NチャンネルJ-FETの静特性について

NチャンネルJ-FETの静特性について以下の問が分かりません。


gm = - (2/VP) √(IDS IDSS)となることを誘導せよ。

VP : ピンチオフ電圧
IDSS : ゲート短絡ドレイン電流


過程などを具体的に書いてもらえると嬉しいです。
よろしくお願いします。

No.1 ベストアンサー 回答者： xpopo 回答日時： 2010/12/20 10:15

VGSが　-VP<VGS<0　の時に　ドレイン電流　IDS　は次の式で表される

　　IDS　=　IDSS*(1 - VGS/VP)^2　　　　　　（１）

gm　は　ゲート電圧VGSの微小変化に対するドレイン電流IDSの微小変化であるから

　　gm　＝　δIDS／δVGS　　　　（２）

したがって、式（１）を式（２）の定義で微分すると

　　gm　＝　δIDS／δVGS　＝　－2*IDSS*(1 - VGS/VP)/VP　　　（３）

と求まる。

　式（３）でゲート電圧をIDSで表すために式（１）よりVGSを求めると

　VGS = -VP*(√(IDS/IDSS) - 1)　　　　　（４）

を得るので、式（４）を式（３）に代入して整理すると、

　gm = -(2/VP)*√(IDS*IDSS) と　　求まります。

この回答へのお礼

とても分かりやすい解答ありがとうございました。

お礼日時：2010/12/20 16:13