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NチャンネルJ-FETの静特性について以下の問が分かりません。


gm = - (2/VP) √(IDS IDSS)となることを誘導せよ。

VP : ピンチオフ電圧
IDSS : ゲート短絡ドレイン電流


過程などを具体的に書いてもらえると嬉しいです。
よろしくお願いします。

A 回答 (1件)

VGSが -VP<VGS<0 の時に ドレイン電流 IDS は次の式で表される



  IDS = IDSS*(1 - VGS/VP)^2      (1)

gm は ゲート電圧VGSの微小変化に対するドレイン電流IDSの微小変化であるから

  gm = δIDS/δVGS    (2)

したがって、式(1)を式(2)の定義で微分すると

  gm = δIDS/δVGS = -2*IDSS*(1 - VGS/VP)/VP   (3)

と求まる。

 式(3)でゲート電圧をIDSで表すために式(1)よりVGSを求めると

 VGS = -VP*(√(IDS/IDSS) - 1)     (4)

を得るので、式(4)を式(3)に代入して整理すると、

 gm = -(2/VP)*√(IDS*IDSS) と  求まります。
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この回答へのお礼

とても分かりやすい解答ありがとうございました。

お礼日時:2010/12/20 16:13

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