キャリア移動度が3600[cm^2/V・s]の半導体

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質問者：gsr_gsr
質問日時：2008/03/22 23:42
回答数：1件

はじめまして。

半導体のキャリア移動度が室温で3600[cm^2/V・s]の半導体で有名なものってありますか？

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回答 (1件)

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No.1ベストアンサー

回答者： inara1
回答日時：2008/03/23 12:34

Geでしょう。

3900ですが。
今後、半導体の物性値をいろいろ調べるのなら [1] が役立ちます（英語です）。[2], [3] にGeを含む主な半導体のキャリア移動度が出ています。移動度は電子と正孔で違いますし、温度や不純物濃度、結晶構造などに依存します。なお、資料 [1], [2] のホールの移動度は正孔の移動度という意味です。移動度とは一般的にはホール（Hall）効果を使って測定したホール移動度の意味ですが、正孔のホールと、Hall mobilityのホールは別物です（前者のholeは孔、後者のHallは人名）。

[1]　化合物名をクリックしたところの Electrical Properties（電気的特性）→　Mobility and Hall Effect （移動度とホール効果）http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/index. …
[2]　表I　http://www.rada.or.jp/database/home4/normal/ht-d …
[3]　各半導体材料の特性　http://www.geocities.co.jp/Bookend-Kenji/5046/bu …