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現在パワー素子について学習を行っています。
実験でパワー素子(パワーMOSを使用予定)を使用し、高負荷時の各特性や、発熱、周辺定数の設定を学習するように言われています。
調べていると、パワーMOSの特性を調べる実験方法等は多少なり見つけたのですが、高負荷時の実験方法がなかなか見つかりません。
さらに、負荷のうちどのような物が高負荷と呼ばれる部類に入るのか解らなく困っています。
・高負荷とはどのような物か。
・このような実験方法などはどうだ。
など、上記について出来るだけ素人にでもわかるような解説をしていただければ助かります。
上記以外でも、些細な事からヒントとなるような事など、なんでも参考にさせていただきたいと思いますのでご助言よろしくお願いします。
No.2ベストアンサー
- 回答日時:
高負荷とは、より負担が大きい、ということです。
例)許容消費電力1Wならば、2W消費させる。
負荷抵抗1kオームを高抵抗2kオームにしたら、これは軽負荷となってしまいます。
定格等の値に対してだったのですね。
どれを基準に言っているのかが解らなかったので
大変参考になりました。
ご回答ありがとうございました。
![](http://oshiete.xgoo.jp/images/v2/common/profile/M/noimageicon_setting_08.png?e8efa67)
No.1
- 回答日時:
こんにちは。
MOS素子などの特性における高負荷実験を命じられているのですね。それでしたら、簡単なことです。MOS素子の特性を調べる実験方法に基づき装置を作り、ターゲットとする素子の特性限界に近い値の電圧や周波数(スイッチング周波数)を発生させる装置につなぎ実験をすればよいのです。ただし、臨界値周辺にあっては、可変できる装置にしなければなりません。それだけの実験をすればよいと思います。限界あたりを見ることが出来るような回路を製作してみます。
ですが、高負荷についてまだつかみきれていないところがあるので
高負荷に関しても一言いただければ幸いです。
ご回答ありがとうございました。
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