基板の浮遊容量について教えてください。

基板の浮遊容量について教えてください。
ガラスエポキシ基板を使用しています。
ネットでGND層までの距離が0.2mmの場合2.0mm各パッドで
2.0pFの浮遊容量があると知りました。
これはGND層だから発生するのでしょうか？

パターンの下にどこにも接続されていない
浮いているベタのパターンがあった場合はどうなるのでしょうか？

1uAの低電流を基板を通して流しました。
基板の0.2mm下にはベタにGNDがあり出口で大きな遅延を起こしました。
ここまでは納得がいくのですが、
ベタのGNDパターンを切り離しても同じ結果となりました。
切り離したといってもベタは浮いた状態で残っています。
浮いていても同じなのでしょうか？

素人質問で済みません。
分かる方がいましたらお教えください。

No.1 ベストアンサー 回答者： 178-tall 回答日時： 2010/04/23 19:19

基盤のパターン配置がよくわからないので、単純に GND 層の上面に 2.0mm 角パッドを設けてある、としましょうか。

　　ε0 = 8.85418782*10(-12) F/m
　　ガラスエポキシ基板の比誘電率εs = 約 5
　　ガラスエポキシ基板　GND 層までの距離が 0.2mm の場合 2.0mm 角パッド

…として角パッド単体と GND の間の容量は、エッジ効果を無視した近似勘定で、
　　C = ε0*εs*20/1000 ≒ 0.89 pF

せぜい、1 pF くらい。
2 pF というのは、一対 (ペア) 分なのでしょうか？
　　

この回答への補足

凄いです。
ちゃんとした計算があるのですね。
2mm角で2pFというのはネット検索をしたときに
実測で2pFでした・・・というような記述を発見したのです。
0.89pFが正解だと思います。

補足日時：2010/04/28 21:21