No.2
- 回答日時:
うーん、条件が振れないのですか……
ところでnoapatoさんは研究者の方ですか?
ZnOにAlを添加する研究に関する論文はごまんとあるはずですが……
まずは論文を確認した方が宜しいかと存じます。
まあ、参考までに
実験条件は基本的にLiでの条件で良いかと思います。
焼成温度を上げるとかすれば拡散時間が短くなると思いますが……
私はスパッタで膜を作っていたのですが固溶限界は1%~5%くらいだったはずです。
それでは
No.1ベストアンサー
- 回答日時:
え~……ZnOですか……
思いっきり研究してました(苦笑)
んで、質問は……
ほへ……?
あなたが持っている装置によります(^^;
スパッタ装置を使う手もあるし、CVDとかレーザーアブレーションとか
イオン注入とかいろいろあります。
膜形成をする場合の基板温度は300~500℃くらいが一般的なようです。
ゾル・ゲル法では難しいかも知れません。
炉しかないなら単純にZnOにアルミニウムを混ぜ込んで焼く。
温度はZnOの融点の2/3くらいの温度が適温だったはず……経験則なのですがね。
ああ、溶かせるなら溶かしたほうがいいやも知れない。
濃度は5%も添加できないんじゃないかな?
とりあえず、どこが問題なのか詳しく教えてください。
この回答への補足
ZnOを取り扱っていたことがあるんですね。心強いです!さて、まず問題としては装置が電気炉しかないと言うことです。それでZnO多結晶にAlを添加してZnOの抵抗値を下げたいのが目的です。Liを添加して抵抗値を上げることには成功しています。その方法はリチウム水溶液にZnO多結晶を浸して900℃で100時間加熱拡散する方法を使っています。Alを添加する方法も同じ方法で良いとは思うのですが、時間があまりなく条件を探している余裕がないのです。そこで細かな条件を皆様にお聞きした次第です。どうぞよろしくおねがいします。
補足日時:2001/05/11 21:11お探しのQ&Aが見つからない時は、教えて!gooで質問しましょう!
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