教えてください
上記タイトルの内容です
(初心者なので意味不明な質問になると思いますので先にごめんなさい)
IGBTモジュール(発電機についてました)
このトランジスタの故障判定をテスターで行う方法が知りたいのです
色々検索したところ、ベース、コレクタ、エミッタの導通を計測すれば良いと出ました
(エミッタに流れるのはわかりました)
そこで、テスターで図ろうとしましたが、端子?の名称にはBもCもEもありませんでした
どのような見方をすれば良いでしょうか?
ちなみに、「トランジスタの内部構造を理解すれば~」は勘弁してください
死んでしまいます
そんな単純なモノではないことはわかっていますが
「この端子がこれ!」と、単純に理解するようなことはできないでしょうか?
(PとNはM4のナットでとまり、他の端子はコネクターに差し込む感じです)
1つ・・・2つぐらいの流れ方の例や、
ココとココは絶縁されていないとおかしいなどわかるようなことがあれば
教えてください
宜しくお願いします
No.3ベストアンサー
- 回答日時:
IGBTモジュールの故障判定をテスターで行う方法で簡単に判断する方法は、短絡モードの破壊判定程度です。
他のオープンモードや特性不良は外部に試験回路を追加して4個のGBT素子を判定することになります。
>1つ・・・2つぐらいの流れ方の例や、
>ココとココは絶縁されていないとおかしいなどわかるようなことがあれば
>教えてください
↑ ↑
PとNの短絡故障モードと上下のGBT素子の短絡モード判定は可能です。
先に回答の通りテスタのリードを入れ替えて抵抗を測ります。
ちなみに、Pはコレクタに相当し、以下
Nはエミッタ
UとVは上のエミッタ、下のコレクタ
GuP・GvP、GuN・GuNはゲートです。
(バイポーラトランジスタのベース相当ですが、絶縁されたゲートです。)
*ゲートは静電気で動作しますので、人体の静電気を逃がして各端子間をシヨートして静電気を逃がしてからPNUV間の短絡モードの破壊判定を実施してください。
No.2
- 回答日時:
通常のバイポーラトランジスタのようにテスターでの導通検査では無理ですね。
というのもIGBTはFETとバイポーラトランジスタをひとつの半導体素子として構成したものですので。バイポーラトランジスタのベースにあたる部分にはFETが構成されていますので、絶縁された構造になっています。
IGBTの意味を調べてみると判るかと思いますが、インシュレーテッド ゲート バイポーラ トランジスタ の頭文字ですので、文字通りゲートが絶縁されています。したがってバイポーラトランジスターのような導通試験では良否の判断はできません。
細かく言えば間違いですが、ダーリントントランジスタって知っていますか?ひとつの半導体ない内部にダーリントン接続された負たるのトランジスタを作りこんだ構造なのですが、IGBTではこのトランジスタのうちベース側にあるほうをFETに置き換えたようなものと考えればわかりやすいかもしれませんね。当然ながらベースに当たる端子はFETですからゲート端子は絶縁されていますのでテスターで導通検査することは無理ですね。
No.1
- 回答日時:
テスタでの良否判定はほとんど不可能です
短絡と断線なら何とかわかるかもしれませんが、確実なことはなんともいえません
全ての端子間を テスタのリードを入れ替えて(極性を変えて) 抵抗を測ります
通常は、極性によって抵抗が変わります
両方向とも導通/断線なら 故障の可能性が高い ですが 確実なことはなんと言えません
(原理がわかっている者がきちんと行っても断定はできません、まして その知識も無いものが行うのですから擾乱にしかならないでしょう)
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