No.7ベストアンサー
- 回答日時:
「n+」は「nと性質が違う」という意味です。
+が書かれてない領域にも濃度差は大きくあるのですが、
ある濃度を越すと、性質が違うものに変質するんですね。
変質した部分を+で表してるんです。
ICの不純物濃度は多様で+記号だけでは表しきれません。
+は、性質が違うという意味に用いられています。
>#6
そんな大文字小文字にこだわったドキュメントはあまり見ないけど、工場の社内規則かな。
一般にどんな使われかたをしてるか、無作為に検索した結果を示します。
http://www.powerdesigners.com/InfoWeb/design_cen …
http://www.power-tech.com/cartext.htm
参考URL:http://www.powerdesigners.com/InfoWeb/design_center/articles/IGBTs/igbts.shtm,http://www.power-tech.com/cartext.htm
No.6
- 回答日時:
実用的には、N+ P+ n- p- の4つを覚えておけばよいと思います。
(なぜか、+/-と大文字/小文字が連動していますが、習慣がそんなもんだと思ってください。)
N+ は、N型不純物濃度の高いN型
→N型MOSFETのソース・ドレイン
P+ は、P型不純物濃度の高いP型
→P型MOSFETのソース・ドレイン
n- は、N型不純物濃度の薄いN型
→P型MOSFETのNウェル
p- は、P型不純物濃度の薄いP型
→N型MOSFETのPウェル
濃度の値は、おおむね、
N+,P+ が、面積1cm^2当たり1E15程度の原子個数以上の不純物(ヒ素/ホウ素)を0.1μm~1μm程度の薄さの中に押し込めたもの、
n-,p- が、面積1cm^2当たり1E14程度の原子個数以下の不純物(リンかヒ素/ホウ素)を1μm程度以上の厚さに拡散させたもの
です。
濃度が高い・薄いには、物理的な意味もあるのですが、一番頭の中で理解しやすい、一つ目のことがあります。
シリコン基板全体、あるいは、表面からある程度深い深さまでの領域をP型にしたくて、かつ、ごく表面の0.5μmだけをN型にしたいときは、どうしますか?
このとき、いちばん簡単な方法は、予め薄い濃度のP型をシリコン基板全体あるいは表面からある程度深い深さまで作っておきます。しかる後に濃い濃度のN型不純物をごく表面に打ち込めば、ごく表面にあった薄いP型は濃いN型に打ち消されて、完全にN型になってしまいます。
(他の事に例えれば、薄いアルカリ溶液に濃い酸を加えれば、アルカリが打ち消されて、完全に酸になってしまうのと同じようなことです)
このように、NPの濃度の差を桁違いに付けることが、PN接合をつくる、最も簡単な方法なのです。
だから、N+ P+ n- p- という4種があるのです。
なお、N+ドレインのすぐ横に小さいn-領域を作ったり、P+ドレインのすぐ横に小さいp-領域を作ったりする技術も、最近では広く用いられています。これらは、トランジスタの電圧耐性や寿命をアップさせる技術です。
No.5
- 回答日時:
>#2単に「通常のNやPよりも多い」のではなく、
n+,p+と書かれてある領域とは、不純物準位が広がってフェルミ準位がn形では伝導帯中、p形では価電子帯中に位置してる(キャリアが縮退した)領域である、という意味です。それがトンネル効果を生じます。
さらにn++,p++も使われます。
No.4
- 回答日時:
不純物の濃度が高い領域を意味してます。
例えばトランジスタのエミッタ領域;エミッタ(放出するもの)の文字どおりキャリアを豊富に出すためのn+。
もう一つ代表的なのは電極を付けるための高濃度領域;電極金属と半導体の接合は一種のダイオードになり得るが、高濃度で空乏層が極めて薄ければトンネル電流が通って 整流作用の方は無視できる。 配線の金属が電極にも使えたりして製造の工数が減る長所があります。
No.3
- 回答日時:
多分、#2の方の回答であっていると思います。
PNPやNPNのトランジスタで、P同士、N同士のドナー濃度を同じにすると、極性がなくなってしまうため、
片側の濃度を大きくして、PN接合の拡散電位に差をつけているのだと思います。ちなみに、N+,P+側が、エネルギーが低くなるため、コレクタ側になっていると思います。
No.1
- 回答日時:
もし質問の答えになっていなかったらごめんなさい。
多分トランジスタの極性を表しているのだと思います。
N+がNPN型トランジスタ、P+がPNP型ではないかと思います。
お探しのQ&Aが見つからない時は、教えて!gooで質問しましょう!
似たような質問が見つかりました
- 日本語 意味とは何か? どこにあるのか?(Ⅱ) 4 2022/04/21 13:35
- フランス語 フランス語文章の構造 1 2022/09/19 19:14
- 日本語 否定疑問文への回答について 6 2023/01/10 09:14
- MySQL addcslashesの使い方について教えてください。 DBに繋げてそこから、部分一致させたいのです 1 2023/04/14 22:59
- PHP phpのメールフォームの完了画面でメール受信のコードを書いています。 1 2023/05/31 11:39
- 工学 トランジスタ 2SC5053の代替品について 3 2023/04/17 11:28
- 日本語 「が」についての叩き台です。ご感想をお聞かせください。 93 2022/09/29 14:11
- 大学・短大 色素性乾皮症について 1 2022/08/20 14:57
- その他(自然科学) トランジスタの最後の記号Lについて 5 2023/03/12 13:16
- 英語 数量+前置詞/接続詞の解釈について 3 2023/01/10 11:20
このQ&Aを見た人はこんなQ&Aも見ています
-
賃貸で可能な古民家風レトロな部屋作りのコツ!改めて知る畳の高い機能性と魅力も紹介
畳の部屋を雰囲気のよい部屋に仕上げたい!賃貸住宅でもできる古民家風のレトロな部屋作りのコツを伺った。
-
p+、p++、n-、n--の意味は?
その他(自然科学)
-
MOSFETのn+層
物理学
-
ウエルの性質について
物理学
-
-
4
立ち上がり電圧について。たとえばダイオードですが、グラフでは0.5Vま
物理学
-
5
以下の実測データ(ダイオードのIV特性)からn値を求める方法なのですが,どのように求めればいいのです
工学
-
6
電界の強さ
物理学
-
7
EDX分析
化学
-
8
なぜSiプロセスではポリシリコンゲートを用いるのか
物理学
-
9
MIS構造のC-V測定について
物理学
-
10
エクセルで連続データから、数個飛ばしのデータを抜き取る方法
Excel(エクセル)
-
11
MOSトランジスターのゲートはなぜPolyなのですか?
物理学
-
12
noneについて
TOEFL・TOEIC・英語検定
このQ&Aを見た人がよく見るQ&A
デイリーランキングこのカテゴリの人気デイリーQ&Aランキング
-
鉄について
-
N+の+はどういう意味(半導体、...
-
格子定数教えてください!
-
トランスの鉄心
-
電磁石の制作で鉄心の外に紙を...
-
エルビウム添加光ファイバのエ...
-
真性半導体のフェルミ準位について
-
20%のクエン酸液を作りたい
-
コンクリート土間の耐荷重が知...
-
今日は苫小牧や岡山など最高気...
-
建築基準法 手摺の高さ
-
分岐配管の流量計算について
-
鉄骨ゼロ柱?ゼロ節?
-
真鍮の膨張と収縮
-
建築違反?工場下屋(屋根)設置
-
アパートの壁が薄いのですが壁...
-
確実に熱を出す方法を教えてく...
-
通電による銅材の温度上昇につ...
-
エアー配管径の決定方法について
-
法第28条第2項または第3項とは?
マンスリーランキングこのカテゴリの人気マンスリーQ&Aランキング
おすすめ情報