MOSトランジスターのゲートはなぜPolyなのですか？

半導体に詳しい方教えてください。
MOSトランジスターは名前の通り、金属(metal)-半導体酸化物(oxide)-半導体(semiconductor)の三層構造だと思っていました。つまりゲートはアルミなどの金属だと思っていました。しかし、ほとんどのMOSトランジスのゲートがPolyであることを最近知りました。なぜPolyなのでしょうか？単純に考えればゲートは電極なのだから抵抗値の低い金属の方が適していると思えるのですが。。。

No.1 ベストアンサー 回答者： rabbit_cat 回答日時： 2009/07/05 00:52

ちょっと前に同じ質問に答えました。

http://oshiete1.goo.ne.jp/qa5044364.html
PolySiだとセルフアライン（マスクの位置あわせ不要）っていうのが一番大きい理由ですかね。あと、適当にドーピングすることで、仕事関数をけっこう自由に変えられるってのも大きい理由ですかね。

ただ、最新のプロセスでは、HKMG（High-k Metal-Gate）といって、High-k絶縁膜とセットにしてメタルのゲート電極を使うようになっています。
最も進んでいるIntelは45nmでHKMGをすでに導入済みです。
IBM、TSMCは、32nmのプロセスからHKMGを導入すると言っています。

この回答へのお礼

ご解答ありがとうございました。Polyを使用するメリットはいくつもあるようですね。勉強になりました。

お礼日時：2009/07/05 10:11