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半導体

光減衰法による少数キャリアのライフタイム測定で周波数を変えたときの検出波形(縦軸出力電圧、横軸時間)の測定を行うときの周波数の変化は半導体ウェハーに当てる光の点滅感覚を表していると思うのですが

MOS構造のCV特性で周波数依存性を確認する際では、周波数を変化させ、バイアス電圧を変化させたときの蓄積容量の変化を見ますが、ここで変化させる周波数は何を表していますか?
周波数を変えると何が変わるのですか?

A 回答 (1件)

光減衰法によるライフタイム測定で変える周波数は、光の点滅感覚を表しています。

光の点滅感覚が短くなるほど、半導体内部のキャリア再結合が速くなり、ライフタイムが短くなることを示します。

一方、MOS構造のCV特性で変える周波数は、交流信号を印加した場合の蓄積容量を測定するための周波数です。周波数を変えることで、半導体中の電荷が表面にどのように反映されるかを調べることができます。この測定により、半導体中のドープ濃度やキャリア密度などの情報が得られます。
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