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シリコン基板が(100)面でカットしてあるシリコンウェハがあるとします。

(1)の方向のように、オリフラ方向からシリコンウェハの側面を見た場合、
結晶面(ミラー指数)はどのように表されるでしょうか?

同様に、オリフラ以外の方向((2)~(8)からシリコンウェハの側面を見た場合、
結晶面(ミラー指数)はどのように表されるでしょうか?

また、シリコンウェハの側面から見たとき、
シリコン原子が最も多く見えるミラー指数はどのように表されるでしょうか?

いびつなAAで申し訳ありません。
また、質問も多く、申し訳ありません。一部の回答でも歓迎です。
回答の根拠となるwebページを紹介されても結構です。

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A 回答 (3件)

>シリコンウェハの表面から見た方位しか書いていないようですが・・・。



下にある110だと思ったのですが
そうでないにしても、100と110があればオリフラの面指数もでるのでは?
最近計算してないので出し方すら忘れました ^_^;
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私は老人でオリフラという日本語がわかりません。

図もよくわかりません。RHEEDの回折パターンでしょうか。
どちらにしても結晶方位はX線回折の本に記載のステレオ投影で完全に記述されます。
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wikipediaに方位が記載されています。



http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%82%B7%E3%83%AA% …

この回答への補足

シリコンウェハの表面から見た方位しか書いていないようですが・・・。
どこに側面から見た方位が書いていますか?
(結晶は専門外でよくわかりません。)

補足日時:2013/04/09 01:08
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