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よろしくお願いします。

今、ゼミで有機ELについて勉強しています。

ツーリングファクターについてネット上で調べていたのですが手掛かりがありませんでした。よろしければどなたか教えていただけないでしょうか。

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A 回答 (2件)

ANo.1です。


>もしよろしければ具体的に数字を用いて教えていただくことはできないでしょうか?

私がやった方法は以下のとおりです。
(1) 最初に toolig factor = 1 (100%) として、膜厚コントローラの膜厚設定を、例えば100nmとして、成膜する。
(2) その結果、実測した膜厚が150nmだったら、次に toolig factor = 1.5 (150%)として、また成膜する。
(3) その結果、実測した膜厚が110nmだったら、次に toolig factor = 1.1 (110%)として、また成膜する。このようなことを、設定膜厚と実測膜厚が、希望する膜厚精度の範囲内になるまで繰り返す。

たいていの場合、(2)をやった後、(3)の段階で希望する膜厚精度(例えば設定膜厚の±5%未満)に収まります。

上に書いたようなことは、普通、代表的な膜厚でやるだけですが、膜厚範囲が広い場合は(例えば10nm~1μmといった場合)、設定膜厚をこの範囲で変えて、その膜厚ごとにtooling factorを求めるということをやればもっと正確になります。例えば、10nmの場合はtooling factorが145%、100nmの場合は150%、1μmの場合は155%というようなデータを取っておけば、50nm成膜したいとき、tooling factorをいくつにすればいいか計算できるというわけです。
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「ツーリングファクター = tooling factor」ですか?


蒸着機等の膜厚計の補正係数のことでしょうか?

Yes→膜厚計は主な物質のデータを持っていて、蒸着物質を選べば、その密度や音響インピーダンス比から、周波数変化と膜厚の関係を計算して膜厚を表示します。しかし、いろいろな理由[1]で、膜厚計の表示と実測値が異なるので、それを補正するためのパラメータが tooling factor です。tooling factor = 1 (100%) なら計算値をそのまま使うという意味です。

参考URL(英語)の2ページ目に意味が出ていますが、これだとよく分からないでしょうから、分かりやすい意味で書くと
tooling factor = d'/d
d':tooling factor = 100%と設定し、表示膜厚 d [nm] 蒸着したときの実際の膜厚 [nm]
d:表示膜厚

となりますが、メーカによっては分母と分子を逆にしているかもしれません(要確認)。tooling factor は蒸着物質で違うのはもちろん(材料ごとにtooling factor を設定できる)、膜厚に依存することもあるので、膜厚を変えて何種類か成膜し、そのときの tooling factor を計算して、膜厚に対する tooling factor の関係式を作り、実際に成膜するときは、成膜したい膜厚での tooling factor を使うようにすれば誤差が少なくなるでしょう。また、その toolig factor で正しい膜厚になっているか確認し、違っていればまた補正することを繰り返せばもっと精度が上がります。

ちなみに私は、tooling factorの算出をやったことのある元・半導体プロセスエンジニアです。

[1] 一番の理由は、膜厚モニタ(水晶発振子)の位置と基板位置が違うことによる膜厚分布の違いによるものです。物質によって tooling factor が異なるのは、実際の膜質が膜厚計の物性データ(単結晶)と異なるからでしょう。有機ELでは蒸着温度が低いので問題ないでしょうが、高融点金属を蒸着するときは、輻射熱で膜厚モニタの温度が上昇し、表示値がずれてくることもあります(膜厚モニタは水冷されていますが、実際の水晶発振子はほとんど断熱状態です)。

参考URL:http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Course-Teachin …

この回答への補足

不勉強な私の質問に対して丁寧な回答ありがとうございます。

膜厚を測定していた時に聞いた言葉なので、膜厚計の補正係数のことだと思います。

>tooling factor = d'/d

>膜厚に対する tooling factor の関係式を作り、実際に成膜するとき>は、成膜したい膜厚での tooling factor を使うようにすれば誤差が>少なくなるでしょう。

>また、その toolig factor で正しい膜厚になっているか確認し、違>っていればまた補正することを繰り返せばもっと精度が上がります。

について、
もしよろしければ具体的に数字を用いて教えていただくことはできないでしょうか?お願いします。

補足日時:2007/03/26 02:51
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Q波長(nm)をエネルギー(ev)に変換する式は?

波長(nm)をエネルギー(ev)に変換する式を知っていたら是非とも教えて欲しいのですが。
どうぞよろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

No1 の回答の式より
 E = hc/λ[J]
   = hc/eλ[eV]
となります。
波長が nm 単位なら E = hc×10^9/eλ です。
あとは、
 h = 6.626*10^-34[J・s]
 e = 1.602*10^-19[C]
 c = 2.998*10^8[m/s]
などの値より、
 E≒1240/λ[eV]
となります。

>例えば540nmでは2.33eVになると論文には書いてあるのですが
>合っているのでしょうか?
λに 540[nm] を代入すると
 E = 1240/540 = 2.30[eV]
でちょっとずれてます。
式はあっているはずです。

Q真空蒸着できれいな金属薄膜

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というか真空蒸着で10nmをfixすることには既に成功されているのですか?

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Q有機薄膜

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Aベストアンサー

2Å/SECですか。
まあ、そんな感じで上等かなと思います。
厚み計だけでこれ以上は突っ込めないでしょう。

数秒で分子1つ付いてくるって感じでしょうし、数層付けると言う議論になると、層間距離も議論しなくてはなりません。そうなると厚み計はどこまで意味があるのか疑問です。

当然、一秒に2Åの膜が付くというのでなく、秒単位でペタペタと分子が張り付いていくというモデルが想像できる訳です。その時に均一に付いて行くと思いますか?単純な蒸着では、基板の裸の部分に優先的に付くという理由は無いですから、ランダムに重なっているところも有れば、付いてないところもあると考えるのが常識的だと思います。

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これ以上はもっと専門的な所で(他の研究者に相談してみるとか)相談された方が良いと思います。

2Å/SECですか。
まあ、そんな感じで上等かなと思います。
厚み計だけでこれ以上は突っ込めないでしょう。

数秒で分子1つ付いてくるって感じでしょうし、数層付けると言う議論になると、層間距離も議論しなくてはなりません。そうなると厚み計はどこまで意味があるのか疑問です。

当然、一秒に2Åの膜が付くというのでなく、秒単位でペタペタと分子が張り付いていくというモデルが想像できる訳です。その時に均一に付いて行くと思いますか?単純な蒸着では、基板の裸の部分に優先的に付くという理由は無...続きを読む

Q厚膜によるクラック

ガラス基板に膜を成膜し熱処理をすると、
厚膜の場合クラックが生じ、薄膜だとクラックが生じないのですが、
この理由は何ででしょうか。

Aベストアンサー

GaAs基板に 1 μm の酸化Si(SiO2)をプラズマCVD法(基板温度300℃)で成膜したときクラックだらけでしたが、真空蒸着(基板非加熱)ではクラックが入りませんでした(経験談)。

クラックが入る主な要因は

(1) 膜と基板の熱膨張率差
(2) 成膜時の温度
(3) 膜のヤング率
(4) 膜の引っ張り強度
(5) 膜と基板の密着性

です。熱膨張率差が大きいと、成膜時の温度から室温に戻したときの熱応力が大きくなり、クラックが入りやすくなります。正確に言えば、基板の熱膨張率を αs [1/℃]、膜のそれを αf [1/℃] 、成膜温度を Tg[℃]、室温を Ta [℃] とすると、成膜後に室温に戻したときに膜が受ける熱応力 σ [N/m^2] は、基板の厚さが膜よりはるかに大きい場合、

σ = E*(αs -αf)*(Tg - Ta)

で表されます。ただし、E は膜のヤング率 [ Pa = N/m^2 ]、σ の符号は、膜が圧縮応力を受けるときを正とします。膜のヤング率(縦弾性係数)が大きいほど(硬い膜ほど)応力が大きくなります。普通、Tg > Ta なので、αs > αf ならば圧縮、αs < αf ならば引張り応力となりますが、クラックが入るという現象は、膜が引張り応力を受ける場合ですので、原則的には、αs > αf の場合はクラックは発生しません。ガラスは一般に金属や半導体よりも熱膨張率が小さいので、αs < αf となって、膜は引張り応力を受け、クラックが発生しやすくなります。

膜の最大引っ張り強度(それ以上の応力で膜にクラックが発生する)を P [ Pa = N/m^2 ] としたとき、クラックの発生する条件は

σ = E*(αs -αf)*(Tg - Ta) > P

となります。実は、この式は、膜厚で平均した平均熱応力での話なので、厳密には膜の厚さ方向の熱応力分布を考える必要があります(そのため、上式には膜厚が出てきません)。

膜厚が大きいほどクラックが入りやすいというのは、膜厚が厚いほど膜の応力が大きくなるからです。材料力学のテキストを見れば理解できると思いますが、「梁」を曲げたときの梁の応力分布は、梁の中立面を境に、引張り応力と圧縮応力に分かれます。梁の凹んだほうが圧縮、凸側が引張り応力を受けますが、その大きさは中立面の厚さからの距離に比例します。成膜後に室温に冷却するときに、膜は引張り応力を受け、基板は圧縮応力を受けますが、基板のほうがはるかに厚いので、基板が大きく湾曲することはなくて、結果的に室温まで冷却したとき、基板上の膜側が凸になるように基板(梁)が湾曲したような状態になります。したがって、膜の表面に近いほど引張り応力が大きくなります(応力は中立面(基板の中)からの距離に比例)。したがって、厚い膜ほど表面からクラックが発生しやすくなります。

膜と基板の密着性が悪いと、基板と膜の界面位置での応力(膜表面より小さい)によって、膜が基板から完全に剥離してしまうので、クラックというより、膜が剥離してしまいます。

最初の経験談に戻りますが、真空蒸着でクラックが入らなかったのは、(Tg - Ta) が小さかったからです。ガラスは一般的にほとんどの材料と密着性が悪いので、間に、密着性の良い薄い膜(TiやSiNなど)をはさんだりすることがあります。

GaAs基板に 1 μm の酸化Si(SiO2)をプラズマCVD法(基板温度300℃)で成膜したときクラックだらけでしたが、真空蒸着(基板非加熱)ではクラックが入りませんでした(経験談)。

クラックが入る主な要因は

(1) 膜と基板の熱膨張率差
(2) 成膜時の温度
(3) 膜のヤング率
(4) 膜の引っ張り強度
(5) 膜と基板の密着性

です。熱膨張率差が大きいと、成膜時の温度から室温に戻したときの熱応力が大きくなり、クラックが入りやすくなります。正確に言えば、基板の熱膨張率を αs [1/℃]、膜のそれを αf [1/℃]...続きを読む

Q“ in situ ” とはどういう意味ですか

科学の雑誌等で、“ in situ ” という言葉を見ますが、これはどういう意味でしょうか。
辞書では、「本来の場所で」、「もとの位置に」などと意味が書いてありますが、その訳語を入れても意味が通りません。
分かりやすく意味を教えていただけないでしょうか。

Aベストアンサー

「その場所で」というラテン語です(斜体で書くのが一般的です)。

in vitroとかin vivoと同じように、日本語のなかでも訳さないでそのまま「イン シチュ」あるいは「イン サイチュ」というのが普通でそのほうがとおりがいいです。うまい訳語がないですし。

生物学では、in situ hybridizationでおなじみです。この意味は、染色体DNAやRNAを抽出、精製したものを試験管内、あるいはメンブレンにブロットしたものに対してプローブをhybridizationさせるのに対比して、組織切片や組織のwhole mount標本に対してプローブをhybridizationすることをさします。
これによって、染色体上で特定のDNA配列を検出したり、組織標本上で特定のRNAを発現する細胞を検出したりできます。生体内の局在を保った状態でターゲットを検出するということです。

化学反応、酵素反応などでは、溶液中の反応のように、すべての役者が自由に動き回れるような系ではなく、役者のうちどれかがマトリックスに固着していて、その表面だけで反応がおこるようなケースが思い浮かびます。

「その場所で」というラテン語です(斜体で書くのが一般的です)。

in vitroとかin vivoと同じように、日本語のなかでも訳さないでそのまま「イン シチュ」あるいは「イン サイチュ」というのが普通でそのほうがとおりがいいです。うまい訳語がないですし。

生物学では、in situ hybridizationでおなじみです。この意味は、染色体DNAやRNAを抽出、精製したものを試験管内、あるいはメンブレンにブロットしたものに対してプローブをhybridizationさせるのに対比して、組織切片や組織のwhole mount標本に対...続きを読む

Q照明用語?PLQY

照明の効率(有機ELなど)について調べているのですが、PLQYという言葉がよく出てくるのですが、イマイチよくわかりません。わかる方よろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

光ルミネッセンス の量子効率(Photoluminescence Quantum Yield)です。この分野の専門家の方なら説明しませんが、Photoluminescenceは、日本では通称フォトルミと言い、材料の光吸収エネルギーより大きなエネルギーの光を材料に照射したときに、材料内部で電子・正孔の対ができて、それが再結合することで、いろいろな波長の光(ルミネッセンス光)が出てきます。これを分析して、材料の質などを評価する半導体の評価手法の1つです。このルミネッセンス光の量と、元の照射光(励起光)の量の比率が大きいほど有機ELの質が良いということになります。

英語の技術用語の検索は、英辞郎か英語版Wikipediaをお勧めします。
有機ELは "organic EL"とか"organic LED"で出てきます。

【英辞郎】 http://www.alc.co.jp/
【英語版Wikipedia】 http://en.wikipedia.org/wiki/Main_Page

QX線のKαって何を意味するのでしょう?

タイトルのまんまですが、XRD、XPSなどで使われる特性X線のCu-Kα線、Mg-Kα線のKαってなにを意味するものなのでしょうか?
ちょっと気になった程度のことなので、ご覧のとおり困り度は1ですが、回答もきっとそんなに長くならないんじゃないかと思うのでだれか暇な人教えて下さい。

Aベストアンサー

ちょっとうろ覚えなんですが。。。

X線は、フィラメント(主にタングステン(W)が用いられている)から電子を取り出し(加熱で)、それをX線を発生するターゲット(アルミニウム(Al)やマグネシウム(Mg)や銅(Cu))などに電子を衝突させて発生させます。
ターゲットとなる材料の電子軌道はそのエネルギ-準位がとびとびでかつ元素によって特有の値を持ちます。電子衝突によって飛び出した電子が仮にK殻の電子であったとします。K殻は他の殻(LやM)に比べて低いエネルギーにあるので、L殻やM殻の電子は安定した状態を保とうと、K殻へ落ち込みます。このとき(K殻のエネルギー)-(L殻のエネルギー)に相当するエネルギーがあまるので、これがX線となりこのエネルギーをもつX線が発生します。

そこで、potemkineさんの質問にあるとおり、Kαとかの命名法ですが、Kに相当するものは電子が衝突して飛び出した殻を示し、αは飛び出した殻に対していくつ外側の殻から電子が飛び出したのかを示すもので、1つ上からならα、2つ上ならβ。3つ上ならγといったようにあらわします。
例えば、K殻の電子が飛び出し、そこをM殻が埋めた場合(2つ上の準位)はKβ、L殻の電子が飛び出しそこをM殻が埋めた場合はLα
ちなみに下からK殻、L殻、M殻、N殻の順番です。

エネルギーや半値幅(エネルギーの広がり)の面から一般に用いられてるX線は、AlKα、CuKα、MgKαなどです。

ちょっとうろ覚えなんですが。。。

X線は、フィラメント(主にタングステン(W)が用いられている)から電子を取り出し(加熱で)、それをX線を発生するターゲット(アルミニウム(Al)やマグネシウム(Mg)や銅(Cu))などに電子を衝突させて発生させます。
ターゲットとなる材料の電子軌道はそのエネルギ-準位がとびとびでかつ元素によって特有の値を持ちます。電子衝突によって飛び出した電子が仮にK殻の電子であったとします。K殻は他の殻(LやM)に比べて低いエネルギーにあるので、L殻や...続きを読む

Qマイクロ(μ)の文字を半角で出すには?

マイクログラム  μg  とか
マイクロリットル μL
の表記をするときに、マイクロの文字を半角で出す良い方法はありませんか?
(上の表記は全角で打っています)
半角のmをsymbolフォントにするととりあえず表示できるのですが、パソコンを変えると表示できなかったり(白い四角になってしまう)mにもどってミリと間違えたりして使いにくいのです。
みなさんどうされていますか?

Aベストアンサー

半角(1バイト)で表そうと思ったら,やはりフォントに依存せざるを得ません。
論文投稿というのは,プリントアウトしたものを投稿するのでしょうか。
であれば,Wordなどフォントが指定できるアプリケーションで,フォントをTimes New Roman Greekなどギリシャ文字を含むものに設定して,Altキーを押しっぱなしにしながら,テンキーで0236と打つと出ます。
(もちろん,symbolフォントのmでも出ます。)
テキストファイルによる投稿が求められ,かつ日本語や英語とμの文字とが混在するのであれば,いっそのことTeXを使うという方法もありますね(投稿規定に許されていれば)。

ホームページでも,自分が作るページなどでフォントの指定ができるのなら,同様の方法が使えます。
ここ(教えて!Goo/OKWeb)や一般の掲示板などでは,フォント指定はできませんので,全角(JISの2バイト文字)のμを使うのが無難でしょう。

Qリフトオフプロセス

リソグラフィ関連の話で、リフトオフプロセスという言葉がでてきました。
レジストに関する言葉のようですが、正確な意味がわからないので教えていただきたいです。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

リソグラフィー(あるいはフォトリソグラフィー)とは半導体集積回路などの製造工程において、ウェハ(基板)表面に2次元パター
ンを形成する方法ですが、リフトオフ・プロセスとはフォトリソグラフィー工程の一種です。
通常、フォトリソグラフィーと言うと、次の工程を指し示します。

(1)基板上にレジストを塗布する(普通、適度にベイクさせた後、基板を高速回転しながらレジスト液を滴下し、均一に基板表面に
 塗布します。また塗布後、レジストと基板との密着性を高めるために加熱処理します)。
(2)マスクやレティクルを利用して露光する(パターンが印刷されているマスクを基板に近接させて、光を当てる。レジストは光が
 照射された部分のみ化学的に変質します)。
(3)現像および加熱処理(現像液によって変質したレジストを溶かします。所望のパターンに沿ってレジストを溶かしたことになり
 ます。その後加熱処理を行います)。
(4)エッチングなどを行う(ここで例えばエッチャントなどに浸けると、レジストの無い部分の基板のみがエッチングされ、基板上
 にパターンに沿った段差を形成することができます)。
(5)剥離する(最後にレジストを剥離液などで除去します)。

さて、リフトオフとは、上記の(4)の後に、金属蒸着を行う場合などに利用されます。上記(4)の後、次のようにします。
(5')蒸着する((4)でエッチングをしたとき、エッチャントが段差の側面をも溶かし(サイドエッチと言う)、レジストによって
 ヒサシができます。このヒサシが重要です。このヒサシのお陰で、レジスト上に蒸着された金属膜とエッチングされた部分に成膜
 された金属膜とを断絶できます。またこのとき、金属を蒸着するとき、レジストを一種のマスクに使っていることになります)。
(6')剥離する(最後にレジストを剥離液などで除去。そのとき、レジスト上の金属膜も一緒に取り除かれます)。
このようにすると、蒸着された金属はちょうど(4)でエッチングされた部分に入り込む形で残ります。パターンに沿った金属膜が形成
できるわけです。
「リフトオフ」という言葉は、多分、最後の(6')の過程で、レジスト上に余分に成膜された金属膜を、レジストが持ち上げて(lift)
取り除く(off)、ということから出来た言葉です。文章では分かりにくいと思うので、上記の工程を絵にしてみます。

(1)
■■■■■■■■■■レジスト
□□□□□□□□□□基板
□□□□□□□□□□

(2)
↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓光
▲▲▲▲▲↓↓▲▲▲マスク
■■■■■■■■■■レジスト
□□□□□□□□□□基板
□□□□□□□□□□

(3)現像 
■■■■■  ■■■レジスト
□□□□□□□□□□基板
□□□□□□□□□□

(4)エッチング
 エ ッ チ ャ ン ト 
■■■■■  ■■■レジスト
□□□□____□□基板
□□□□□□□□□□

(5)蒸着
◎◎◎◎◎  ◎◎◎金属膜
■■■■■  ■■■レジスト
□□□□_◎◎_□□基板
□□□□□□□□□□

(6)レジスト除去(これがリフトオフ)

□□□□_◎◎_□□
□□□□□□□□□□出来上がり

こんな絵で上手く伝わるか心配ですが、もし何かわからないことがありましたら、補足をお願いします。

リソグラフィー(あるいはフォトリソグラフィー)とは半導体集積回路などの製造工程において、ウェハ(基板)表面に2次元パター
ンを形成する方法ですが、リフトオフ・プロセスとはフォトリソグラフィー工程の一種です。
通常、フォトリソグラフィーと言うと、次の工程を指し示します。

(1)基板上にレジストを塗布する(普通、適度にベイクさせた後、基板を高速回転しながらレジスト液を滴下し、均一に基板表面に
 塗布します。また塗布後、レジストと基板との密着性を高めるために加熱処理します)。
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QTM偏光とTE偏光

TM偏光とTE偏光/s偏光とp偏光・・・混乱しています。

s偏光とp偏光はなんとなくわかりました。
s偏光:入射面に垂直な偏光方向
p偏光:入射面に平行な偏光方向

以前にあった質問(http://oshiete1.goo.ne.jp/kotaeru.php3?q=152029)で
>偏光の方向を示す言葉として、TE(Transverse Electric field)、
>TM(Transverse Macnetic field)という言葉も使われます。
>TEは電場が横方向なので「水平偏光」、TMは磁場が横方向なので「垂直偏光」となります。
という回答があったのですが、これも入射面に対して横方向(つまり平行?)なのでしょうか?
とすると、s偏光=TM偏光(p偏光=TE偏光)といえるのですか?
そもそもTM偏光とTE偏光/s偏光とp偏光に相関はあるのですか??

なぜ混乱し始めたかというと、別の観点からの説明で、TM偏光とTE偏光について
線状の格子(もしくは溝)への入射では、
格子に垂直な偏光:TM偏光
格子に平行な偏光:TE偏光
と書いてあるものがありました。
二つの説明が正しいとすると、格子が入射面に垂直方向にある場合のp偏光は、TM偏光なのかTE偏光なのか・・・???

とくにTM偏光とTE偏光というのはどういう偏光を指すのかが知りたいです。
まとまらずすみませんが、詳しい方教えてください。

TM偏光とTE偏光/s偏光とp偏光・・・混乱しています。

s偏光とp偏光はなんとなくわかりました。
s偏光:入射面に垂直な偏光方向
p偏光:入射面に平行な偏光方向

以前にあった質問(http://oshiete1.goo.ne.jp/kotaeru.php3?q=152029)で
>偏光の方向を示す言葉として、TE(Transverse Electric field)、
>TM(Transverse Macnetic field)という言葉も使われます。
>TEは電場が横方向なので「水平偏光」、TMは磁場が横方向なので「垂直偏光」となります。
という回答があったのですが、これ...続きを読む

Aベストアンサー

ご当人が説明いたします。

通常光の偏光方向は電場の方向を指します。
s偏光というと電場が入射面に垂直というわけです。

さて、TE,TMと言う場合は「何に対して横なのか」が問題となります。
格子を取り上げた場合は、格子の方向に横に並ぶ方向が電波方向=TE偏光となります。
これがわかれば直交する方向はTMになりますね。
(transverseに対する言葉はlongitudinalになります)

つまり何かの基準となる方向に対してTEとかTMとか言うわけです。

一方s,p偏光は「入射面」に対して言うことが決まっています。

では両者の関係はというとTE,TMを入射面に対して使うことはありません。(理由はよくわかりませんが必要性がないのでしょう)

で、s,p偏光とTE,TMでは決定的な違いがあります。
s,p偏光はある境界面があり、「斜め方向に入射」するときしかs,p偏光という区分はありません。
なぜならば、境界面に垂直であればそもそも入射面が定義できないからです。

一方TE,TMは、たとえば格子を基準に取れば入射角によって区別できないと言うことはありません。
(強いて言うと、格子の方向と光の進行方向が一致するとそういう状態になりますが、普通そういう状態はありませんよね)

だから、たとえば格子面に光が入射するとき、垂直入射であればTE,TM偏光などと言うことは出来ますが、このときにはs,p偏光という区別はありません。

以上で両者必要に応じて使い分けている訳です。

ご当人が説明いたします。

通常光の偏光方向は電場の方向を指します。
s偏光というと電場が入射面に垂直というわけです。

さて、TE,TMと言う場合は「何に対して横なのか」が問題となります。
格子を取り上げた場合は、格子の方向に横に並ぶ方向が電波方向=TE偏光となります。
これがわかれば直交する方向はTMになりますね。
(transverseに対する言葉はlongitudinalになります)

つまり何かの基準となる方向に対してTEとかTMとか言うわけです。

一方s,p偏光は「入射面」に対し...続きを読む


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