
シリコン基板が(100)面でカットしてあるシリコンウェハがあるとします。
(1)の方向のように、オリフラ方向からシリコンウェハの側面を見た場合、
結晶面(ミラー指数)はどのように表されるでしょうか?
同様に、オリフラ以外の方向((2)~(8)からシリコンウェハの側面を見た場合、
結晶面(ミラー指数)はどのように表されるでしょうか?
また、シリコンウェハの側面から見たとき、
シリコン原子が最も多く見えるミラー指数はどのように表されるでしょうか?
いびつなAAで申し訳ありません。
また、質問も多く、申し訳ありません。一部の回答でも歓迎です。
回答の根拠となるwebページを紹介されても結構です。
↓(4)
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↑(1)
A 回答 (3件)
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No.3
- 回答日時:
>シリコンウェハの表面から見た方位しか書いていないようですが・・・。
下にある110だと思ったのですが
そうでないにしても、100と110があればオリフラの面指数もでるのでは?
最近計算してないので出し方すら忘れました ^_^;
No.2
- 回答日時:
私は老人でオリフラという日本語がわかりません。
図もよくわかりません。RHEEDの回折パターンでしょうか。どちらにしても結晶方位はX線回折の本に記載のステレオ投影で完全に記述されます。
No.1
- 回答日時:
この回答への補足
シリコンウェハの表面から見た方位しか書いていないようですが・・・。
どこに側面から見た方位が書いていますか?
(結晶は専門外でよくわかりません。)
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