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A 回答 (2件)
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No.2
- 回答日時:
最近のデバイス設計者の大きな関心事は、つまり、
1.ゲートがうまくできたか。
ゲート絶縁膜のEOTや厚さのばらつき、ゲート直下の不純物濃度、ゲートの仕事関数など
2.キャリアの移動度が狙った値以上になっているか
という2点に集約されるんだと思います。
#1で閾値といったのはちょっと限定しすぎで、C-Vを測るのは、つまりゲートが思ったとおりにできているかを測るためです。
C-V特性の平らなところで、EOTがわかりますし、C-Vのグラフの凹みの深さで不純物濃度が、幅で仕事関数が分かったりします。
Vg-Id特性は、つまりトランジスタ全体の性能で、上の2つの要因を含めいろんな要因が同時に効いてきてしまうので、普通は、まずはとりあえず、、C-V特性を測って1番だけをちゃんと評価して、それから、Vg-Idを測って、1の結果と合わせて移動度を評価っていうのが一般的です。
例えば、IEDMとかでの発表とかをみても、そうしているのが多いですし、実際、C-V特性が載ってない論文があるとたいていC-V特性はどうなのか、っていう突っ込みが入ります。
No.1
- 回答日時:
デバイス設計者(プロセス設計者)の立場から言えば、C-Vカーブをみることで、MOSの閾値電圧がわかります。
MOSの閾値を狙った値にコントロールするっていうのが、デバイス設計者の一番大きな仕事なわけですが、C-Vカーブがきちんと思い描いていた通りになっていることが分かれば、これが保証されます。
C-Vカーブがきちんとしているのは、不純物濃度、ゲートの仕事関数、ゲート絶縁膜の厚さや均一性が狙った値になっている、ということです。
というわけで、自分でなんかわけわからないデバイスを作ったら、きちんとできてるかを調べるために、まずC-V特性を測ってみます。
回路設計者からすれば、MOSキャパシタをバラクタとして使うこともよくありますから、まあC-V特性もほしいでしょう。
なるほど。
閾値電圧がわけるということは要はどのぐらいのゲート電圧で反転層ができるかがわかるんですね。
でも、閾値電圧ならVg-Idがわかればわかると思うのですが、
それでもC-V特性が欲しいのは何故なんでしょうか?
重ね重ね恐縮ですがお願いします。
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