A 回答 (2件)
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No.2
- 回答日時:
そう。
要は確率の問題なので、一般には自由キャリア濃度と光密度の積が大きいほど、吸収が大きくなります。半導体レーザの場合、クラッド層のキャリア濃度を低くすると共に、光の染み出しが大きくならないよう、屈折率差などを設計します。
No.1
- 回答日時:
文字通り、光のエネルギーが自由キャリアに吸収される現象です。
半導体の場合、伝道帯下端にいる自由キャリア(電子)が光のエネルギーを吸収して上位のエネルギーレベルに励起され、緩和するときには熱として放出されます。
半導体レーザでは、活性層内へ電子、ホールの自由キャリアを注入して反転分布を作り、再結合するときのエネルギー差を光として取り出しますが、クラッド層内で自由キャリア吸収があると、結果的にそのエネルギーは熱に変換され、発光に寄与しません。
つまり発光効率が低下するため、閾値は上がるし、スロープ効率や温度特性は劣化し、最悪の場合は結晶の破壊につながります。
とても分かりやすい回答ありがとうございます。
もうひとつ疑問に思った事なのですが、自由キャリア吸収が発生しやすい条件はあるのですか??キャリアが多いとこでおきやすいのですか?
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