No.5ベストアンサー
- 回答日時:
まず、トランスのFETへの接続方法がおかしいです。
これではFETがON-OFFしてもトランスには電流がほとんど流れません。添付した回路のように構成すればトランスの2次側に昇圧された出力が得られます。
ただし、
1)トランスの1次側のインダクタンスが添付図では50uHですがこれより低い場合はマルチバイブレータの発振周波数を70kHzより更に高くする必要があります。
2)添付回路例では2次側に使用できる負荷は100kΩ程度以上にする必要があります。負荷の抵抗値をもっと低い値まで使用したい場合は抵抗R7の値を小さくします。注意:R7を小さくしてゆくとトランス1次側に流れる電流のピークが大きくなってゆきます。発熱に十分注意する必要があります。
回路の動作はFETがonするとトランスの1次側の電流が時間とともに上昇してゆきます。その電流が飽和する前にFETをOffにすると電流は時間とともに下降してゆきます。FETがOff後はトランスのFETのドレインと15Vの電源間に接続されているショットキーダイオードに電流が流れます。ショットキーダイオードが無ければドレインの電圧はOff直後に非常に高い電圧に飛び上がりFETの耐圧を超えてしまいFETを壊してしまいますので必ず使用してください。
No.4
- 回答日時:
出力信号=パルス
FETのゲート入力はコンデンサーを通し、パルスだけを入力します。
ゲートへ抵抗を接続するのは、バイアスをかけるためだけです、信号入力には使いません。
No.3
- 回答日時:
No.2です。
変換ミスがありました。
>直流敵には・・・ → 直流的には・・・
に訂正。
トランスの一次側に直列にコンデンサを入れると良いでしょう。容量は信号の周波数はトランスの特性により変わりますので分りません。
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