激凹みから立ち直る方法

人知を超えた問題とはいえ私も人間界では最高峰の頭脳を有している自負はありますので答えを出すことは何とかできました。しかしあっている自信が全くありません。
どなたか人間を超越した頭脳をお持ちの方お力をお貸し下さい。

下の図は微小信号に対するベース接地T型モデルを示している。
ベースエミッタ接合をpnダイオードと考えたとき、電流I、電圧V特性は次式で与えられる
I=I0(exp(pV/kT)-1)
I0は逆方向飽和電流です。
IV曲線の局所的な傾きが1/rEに等しいとおくことによって順バイアスV=V0におけるrEを求めよ。


以下私なりの答え
傾きが1/rEに等しいということなので上の式をVで微分しVにV0を代入したものが1/rEと等しいと考えました。なので
I0*q/kT*exp(qV0/kT)=1/rE
rE=kT/qI0*exp(-qV0/kT)
ではないでしょうか

ではないですよね・・・

「バイポーラトランジスタに関する人知を超え」の質問画像

A 回答 (1件)

rE=kT/qI0*exp(-qV0/kT)



で正しいです。
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この回答へのお礼

自信がなかったのですがあっているのならよかったです!ありがとうございました!!

お礼日時:2016/08/10 01:18

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