ゲート絶縁膜

の検索結果 (42件 1〜 20 件を表示)

MOSトランジスタのスイッチングの動作周波数について

…MOSトランジスタのゲート絶縁膜にSiO2が使われるのが一般的にですがゲート絶縁膜の誘電率ε、そして電気容量CとMOSトランジスタのスイッチングの動作周波数にはどのような関係があるのでし...…

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HfO2の結晶軸の同定(インプレーン XRD)

…X線回折測定(インプレーン)にて、ゲート絶縁膜のHfO2(ハフニウムオキサイド)を測定しました。 20deg〜60deg間に大小あわせ10個くらいのピークが見られましたがそれぞれのピークの結晶方位を...…

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トランジスタについて

…金属酸化膜型トランジスタのゲート電流は流れないんですか?…

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半導体スケーリング則について

…半導体のスケーリング則についてですが、ゲート酸化物は膜厚を薄くすると絶縁破壊することを聞きました。 ふと思ったのですが、それならばゲート酸化物の膜厚を一定にしてスケーリング...…

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ゲートで遅延が起きる理由

…LSIの設計において,ゲート遅延と配線遅延などを考慮に入れますが,ゲート遅延はなぜ起こるのでしょうか. 配線遅延については,それだけの長さを信号が伝わるために必要だから,と理解できる...…

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半導体 Low-ε

…Low-εっていったいどんなものですか?…

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P型MOSFETの特性(閾値等)について

…PMOS-FETの各種特性(Vd-Id、Vg-Id、W-Id、L-Id、W-Vth等)を測定しました。 いくつかお聞きしたいことがあるので箇条書きで書くことをご了承ください。 1:ゲート幅を変化させた場合(ゲート長固定)、...…

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ISFETの原理 なぜ水素イオンだけに着目するのか

…こんにちは、ISEFTの原理について学んでおります。 http://www.isfet.com/company/?page_id=1468 こちらのサイトで概要をつかもうとしたのですが、ひとつ気になることが御座います。 「ISFETが漬かって...…

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酸化した金属の低抗率

…一般的な金属に関してなんですが、金属は酸化すると抵抗率(Ωm)は上がりますか、それとも下がりますか? 特にアルミニウムについて知りたいのですが。…

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MIS構造のC-V測定について

…半導体初心者ですが宜しくお願いします。 どの半導体デバイスの教科書にも必ずMIS(MOS) キャパシタのC-V特性が載っています。 書いてあることはなんとなくわかるのですが、結局何のためにC...…

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MOS-FETの材料について

…MOS-FETのゲート電極に用いられる素材がアルミニウムからポリシリコンに代わった背景が知りたいのですが、具体的な記述がなかなか見つかりません。 なぜポリシリコンが使われるようにな...…

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トランジスタ

…?バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタの入力インピーダンスを比較した時、 バイポーラトランジスタ<電界効果トランジスタ となるのはなぜですか? ?バイポーラトランジスタ...…

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USBメモリの寿命

…ここで以前質問したときUSBメモリの寿命は基本的にないと教えていただきました。 しかし大手電機メーカーで買ったUSBメモリ(3000円相当のもの)が大体3年くらいで認識しなくなってしまいま...…

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MOSのゲートコンタクト作成プロセスについて

…MOSのポリシリコンゲート上に直接コンタクトを打ち、メタルに接続するレイアウトは見たことありません。 ポリシリコンを伸ばして、MOSから少し離してコンタクトを打ち、メタルに接続する...…

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SDカード、USBについて

…SDカードやUSBには寿命があるという話ですが、自分で調べたところ、 ・10万回の読み込み、書き込みで壊れる。 ・長期のデータ保存には適していない。 等の情報がありました。 実際長期...…

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半導体微細化の限界について

…半導体微細化の限界について どこまで微細化が出来るのだろうか。 ある東大の教授は"。 原子サイズという壁も実は壁でない"と申しているが ならば1nmの半導体を作れと言われて作...…

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基板バイアス効果でのしきい値について

…MOS構造で基板にバイアスをかけると単純にしきい値が下がると 思うのですが、教科書では式から見て上がると書いています。 例えば、ゲートに5Vかけていたとして、それがしきい値だとし...…

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MOSFETの微細化

…近年、LSIの分野ではMOSFETの微細化が進み、ゲート長が0.1μm以下の領域に入り、多くの問題が生じていることがいわれていますが実際どのような問題があるか教えてください。…

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半導体製造工程について

…半導体の製造工程を簡単にフローチャートで教えてください。…

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トランジスタの回路記号の矢印

…トランジスタの回路記号の矢印は何を表しているのですか? バイポーラトランジスタの場合はP型半導体→N型半導体の方向に矢印が出ているのかと思いましたが MOSーFETではN→Pになっていま...…

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