NMOSのゲートソース間電圧ードレイン電流特性の実験のシミュレーションを写真の回路でやったのですが、

NMOSのゲートソース間電圧ードレイン電流特性の実験のシミュレーションを写真の回路でやったのですが、おかしな値が出てしまいます。どこが間違っておるのでしょうか？
ドレインソース間電圧は5v固定で抵抗R1に流れるドレイン電流を、ゲートソース間電通V2を変化させていきながら測定する感じです。

質問者からの補足コメント

• 写真はこれです

  
    補足日時：2022/05/03 00:51

No.1 ベストアンサー 回答者： m-jiro 回答日時： 2022/05/04 00:18

写真が真っ黒なので状況がわかりませんが、症状を推定すると、

入力電圧を変化するとある所でドレイン電流が急に増えたり減ったりする。
ともかく不安定で再現性に乏しい。
特にゲート電圧が0～5Vの真ん中あたりで。
デバイスに指を触れると電流が変化する。
こんな症状ではないですか？

測定に使ったデバイスは前回の質問にあったグラフのものですね？
https://oshiete.goo.ne.jp/qa/12928403.html
これ、CｰMOSの4000シリーズですよね。4069ではないかと推定。

たぶんデバイスが発振しています。50～100MHzというものすごく高い周波数で。ゲート電圧が電源電圧の半分あたりだとアナログ的なゲインが非常に高くなって周辺の状況によっては発振するのです。
対策ですが、VDDとGND間、ゲート入力とGND間にコンデンサを入れます。高周波特性が良好なセラミックコンデンサが良いです。容量は0.01μF程度でOKです。容量の大きさより高周波特性を重視し、配線は短くします。
なおデバイスの出力端子にはコンデンサは入れてはいけません。ラッチアップという症状を起して破壊することがあります。
また4069は同じ回路が6つ入っていますが、使っていない回路の入力端子はGNDに接続してください。