トランジスタの大電流化についての見解が違う理由

以下のサイトの
バイポーラー、MOSFET、IGBTの比較ですが
大電流化について、バイポーラーとMOSFETで意見が違います。

この表記の差は、
サンケンさんは、その構造の範囲で容易という意味、
新電工さんは、ほかの構造と比較して得意不得意という意味で大丈夫でしょうか。

サンケン
https://www.semicon.sanken-ele.co.jp/guide/basic …
新電工
https://www.shindengen.co.jp/products/semi/colum …

トランジスタを独学し始めた超素人なので、なにとぞご容赦くださいませ。

No.2 ベストアンサー 回答者： angkor_h 回答日時： 2024/08/24 14:52

大電流化での問題は、

熱損失の軽減(最小化)と放熱、熱暴走、これらによる限界があります。
それを念頭に、読み直してみてください。

この回答へのお礼

お礼日時：2024/09/14 10:09

No.3 回答者： xs200 回答日時： 2024/08/24 20:20

サンケンはパワーMOSFET、新電元はMOSFET。

パワーMOSFETは大電流を扱う素子ですがMOSFETはICなどで使われるスイッチング素子です。パワーMOSFETとMOSFETでは構造が異なりMOSFETは大電流は苦手です。

この回答へのお礼

お礼日時：2024/09/14 10:09

No.1 回答者： isoworld 回答日時： 2024/08/24 14:46

どういう状態で大電流を流すかによります。

アナログ動作で大電流を流す場合はトランジスターのほうが得意です。半導体スイッチと言われるように、大電流をＯＮ／ＯＦＦする用途にはMOSFETが欠かせません。

この回答へのお礼

お礼日時：2024/09/14 10:09