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質量阻止能と、質量エネルギー吸収線量の意味と
なぜあのような単位になるかが、参考書などを読んでも
理解できません。
どなたか教えていただけないでしょうか。
お願いします!

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A 回答 (2件)

質量阻止能について。



まず、「阻止能」というのは、物質に放射線が入射したとき、物質中の単位道のり当たりに失うエネルギーですから、
分子に失うエネルギーMeV、分母に道のりの長さcmが来まして、
[阻止能の単位]=Mev/cm
となります。

放射線の飛程はセンチメートルオーダーではありませんが、
簡単のため、厚さ1cmの板が多数重なった状況を考えましょう。

まず、
板の厚さ方向1cm(放射線の道のり1cm)当たりに物質の原子が沢山あれば、阻止能は大きくなり、少なければ阻止能は小さくなります。
厚さ方向の原子の数が異なる2種類の板を考えます。
一方の板は、もう片方の板に比べて、1cm当たりの原子数が2倍多ければ、その板の枚数を2分の1にすれば、もう片方の板の枚数とトントンになります。
つまり、阻止能と単位厚さ当たりの原子数とは比例関係にあるわけです。

次に、
1枚の板を床に置き、上からその板を眺めた状況を考えましょう。
面積当たりの原子数が多く見えるほど、板の色は濃く見えます。
色が濃いほど、放射線が入射したとき放射線が原子にエネルギーを奪われる確率が増えます。
したがって、面積当たりの原子数が多いほど、それに比例して、阻止能が大きくなります。


以上のことから、
阻止能 ∝ 厚さ当たりの原子数[cm^-1] × 面積当たりの原子数[cm^-2]
    ∝ 原子数密度[cm^-3]

ある元素を考えたとき、原子数密度は質量密度[kg/cm^-3]に比例するので、

阻止能 ∝ 質量密度[kg/cm^-3]

という結果になりました。
物質の阻止能と質量密度とは比例関係にあるわけです。

つまり、
その物質を他の物質とを比較をするとき、阻止能を質量密度で割り算して、
阻止能/質量密度 = 質量阻止能
とすれば、同じ密度でも、こっちの方の物質のほうが阻止能が大きい/小さいといった、その物質の特徴を表す量になります。

よって、質量阻止能の単位は、
MeV/cm ÷ kg/cm^3 = MeV・cm^2/kg
(エネルギー × 長さの2乗 ÷ 質量)
となります。


質量エネルギー吸収線量の方は習わなかったか、忘れたかで、よく分からないのですが、
どういう単位になっていますか?
教えていただけると、もしかして回答できるかもしれません。

この回答への補足

回答ありがとうございます!
とても分かりやすいです!

質量エネルギー吸収係数はm2 ÷kgです

補足日時:2007/04/15 00:09
    • good
    • 3
この回答へのお礼

丁寧で分かりやすい説明ありがとうございました。
質量エネルギー吸収係数については
また自分で調べてみたいと思います。
助かりました!!

お礼日時:2007/04/16 19:27

>>>


質量エネルギー吸収係数はm2 ÷kgです


これはフォトン(=光子)の話、放射線で言えばガンマ線の話のようですね。

ガンマ線は物質中に入射すると、指数関数的に減衰していきます。
「減衰」というのは、1個のフォトンのエネルギーがだんだん小さくなるのではなく、ある道のりを進んだ時点で、多数のフォトンのうち、どれだけの個数割合のフォトンが原子(というか、電子)と衝突せずに通過して生き残っていたか、という話になります。

前回の回答のように板に例えると、
1枚目の板を通過した時点で元の2分の1に減衰するとすれば、さらに2枚目の板を通過したところでは元の4分の1、3枚目通過後は8分の1、といった具合です。
板1枚通過毎に、生き残りが半減していくということですね。

これを式で書けば
生き残り = 元の個数×2^(-道のり)
となりそうです・・・

・・・が、しかし!
指数関数のべきの部分は、無次元(単位がないこと)でないといけない、というお約束があります。
このままでは、べきの部分にメートルという次元があります。
そこで、道のりの単位であるメートルを消すために、適当な係数を掛けてみます。

生き残り = 元の個数 ÷ 2^(正の係数×道のり)
 = 元の個数 × 2^(-正の係数×道のり)

係数の単位を、m^(-1)と決めてやれば、べきの部分が無次元になります。
その係数をμ、さらには、道のりをt、生き残りをN、元の個数をN0 と書けば
N = N0・2^(-μt)

この式は、たしかに、どれだけの道のりで半減するのかを見極めるのには便利ですが、物理学や工学の慣習として、自然対数の底eを用いて
N = N0・e^(-μt)
と書くのが常套手段です。

e≒2.7 ですから、μtが1増えるごとに、2.7分の1に減衰していきます。

μが大きいほど減衰が早く、μが小さければ、なかなか減衰しない、ということになります。
つまり、μというのは、物質がフォトンを減衰させる能力の大きさを表す量です。
逆に考えますと、
減衰させる能力が大きいということは、それだけ、エネルギーを受け取りやすい(吸収しやすい)ということです。


以上、話が長くなりましたが、
つまり、
μというパラメータは、ガンマ線が照射されたとき、その物質がどれだけ影響されるか(吸収するか)ということを示すものであるということがわかりました。
ですから、μをエネルギー吸収係数として意味づけすることができます。

μは、当然、原子数密度に依存します。
ということは、前回回答の阻止能と同じ話で、質量密度ρが大きいほど大きくなります。


ですから、μ[m^(-1)]をρ[kg/m^3]で割り算すれば、質量密度当たりの吸収係数という、その物質特有の量になります。

質量エネルギー級数係数μ/ρの単位は、
m^(-1)/kg/m^3 = m^2/kg


・・・ということで、
ガンマ線の減衰を考えるとき、指数関数のべきの部分を無次元にする、というところがポイントでした。
    • good
    • 0
この回答へのお礼

うわー、わざわざありがとうございます!!
前回と同様、とっても分かりやすくてビックリです!
理解できてスッキリしました。
本当にありがとうございました!

お礼日時:2007/04/20 01:40

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どなたか真の計数率(cps)の求め方を教えて下さい。
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よろしくお願いします。

Aベストアンサー

「真の計数率はいくらか?」という表現には疑問を感じますが、この問題の意図するところは、分解時間が200μsのとき、どの程度の数え落しが見込まれるか?ということを考えなさいということですね。
分解時間の意味をよく考えてみてください。解ると思いますよ。


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Qレイリー散乱とトムソン散乱などの違い

レイリー散乱とトムソン散乱などの違い

こんにちは!
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レイリー散乱とトムソン散乱などの違いが分かりません。
簡単な認識としては

入射光と励起光の波長が等しいものがトムソン散乱で
入射光と励起光の波長が違うものが(アンチ)ラマンストークス散乱
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それと、コンプトン散乱は運動量が一定という解説がされていましたが、
入射光と反射光との波長が違っているという、これはどういうことでしょうか?

簡単でいいので説明してください。

Aベストアンサー

入射光と散乱光の波長が等しいものを弾性散乱といいます。
入射光と散乱光の波長が違うものを非弾性散乱といいます。

トムソン散乱とレイリー散乱は弾性散乱です。
(アンチ)ラマンストークス散乱とコンプトン散乱は非弾性散乱です。

トムソン散乱とレイリー散乱の違いについては、専門家の人には怒られてしまうかもしれませんけど、「入射光の波長が電子遷移を起こす光の波長と同じくらいかそれよりも長いときに起こる弾性散乱のことをレイリー散乱と呼び、入射光の波長が電子遷移を起こす光の波長よりも十分に短いときに起こる弾性散乱のことをトムソン散乱と呼ぶ」というくらいの認識でいいんじゃないかと私は思います。

原子や分子やイオンでは、電子遷移を起こす波長というのは紫外線や可視光線の波長ですから、
可視光線を試料に照射したときに起こるのがレイリー散乱と(アンチ)ラマンストークス散乱で、
X線を試料に照射したときに起こるのがトムソン散乱とコンプトン散乱である、
と考えていいです。


> という認識でいいでしょうか?

試料に照射する光のことを、励起光または入射光と呼びます。つまり励起光と入射光は同じものです。

X線回折実験では、散乱光(散乱X線)が互いに干渉することにより回折光(回折X線)ができます。回折光(回折X線)のことを反射光(反射X線)ということもあります。トムソン散乱は干渉性散乱なので回折が起こりますけど、コンプトン散乱は非干渉性散乱なので回折が起こりません。ですので、コンプトン散乱により出てきた光のことを反射光(反射X線)と呼ぶのは、間違いとまではいいませんけど、避けたほうが無難でしょう。トムソン散乱により出てきた光を反射光(反射X線)または回折光(回折X線)と呼ぶことは、まったく問題ありません。

これらをふまえると、

入射光と散乱光の波長が等しいものがレイリー散乱、
入射光と散乱光の波長が違うものが(アンチ)ラマンストークス散乱、
入射X線と散乱X線の波長が等しいものがトムソン散乱、
入射X線と散乱X線の波長が違うものがコンプトン散乱。

ということになります。


> コンプトン散乱は運動量が一定

運動量が一定、ではなく、運動量の和が一定です(運動量はベクトルなのでベクトル和が一定)。

 入射光の運動量+試料中のある一個の電子の運動量=散乱光の運動量+弾き飛ばされた電子の運動量

左辺の第二項(試料中のある一個の電子の運動量)は、他の三項に比べると無視できるほど小さいので、

 入射光の運動量=散乱光の運動量+弾き飛ばされた電子の運動量

になります。

参考URL:http://www.kutl.kyushu-u.ac.jp/seminar/MicroWorld/Part3/P37/Compton_effect.htm

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入射光と散乱光の波長が違うものを非弾性散乱といいます。

トムソン散乱とレイリー散乱は弾性散乱です。
(アンチ)ラマンストークス散乱とコンプトン散乱は非弾性散乱です。

トムソン散乱とレイリー散乱の違いについては、専門家の人には怒られてしまうかもしれませんけど、「入射光の波長が電子遷移を起こす光の波長と同じくらいかそれよりも長いときに起こる弾性散乱のことをレイリー散乱と呼び、入射光の波長が電子遷移を起こす光の波長よりも十分...続きを読む

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よろしくお願いいたします。

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そう単純には言えません。
光りの散乱で有名なラーマン散乱は一般的に非弾性で干渉性、
ミー散乱は弾性で干渉性と言われています。

ドイツのWikiに簡潔にまとめられていたので訳して紹介します。

Wiki衝突Stoss
http://de.wikipedia.org/wiki/Elastischer_Sto%C3%9F#Elastischer_Sto.C3.9F
(動画が見られます)

弾性衝突
2つの物体が、エネルギを例えば熱や変形エネルギの様な内部エネルギに
転換することなく衝突すること。エネルギ保存則によれば、衝突前の運動エネルギ
(力学的エネルギ)の和は衝突後の力学的エネルギ(運動エネルギ)の和に等しい。
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散乱
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Wiki散乱Streuung
http://de.wikipedia.org/wiki/Streuung_(Physik)

弾性散乱と非弾性散乱は区別される。弾性散乱(弾性衝突も参照)では力学的エネルギの
和は衝突以前のそれと同じ大きさである。非弾性散乱ではこれに対して、例えば既に有る
力学的エネルギの一部がある原子の励起エネルギに転化したり、またはある結合を切る
イオン化過程で使われたりする。

狭い意味では非弾性散乱は入射された粒子が衝突後に、エネルギは減少しても、まだ存在し
しており、広い意味では吸収過程(入射粒子が「消滅」する過程)も非弾性散乱過程に
含まれている。

波の散乱では、干渉性散乱と非干渉性散乱が区別される。干渉性散乱では入射波と散乱波の
間には確かな位相関係があり、非干渉性散乱には無い。干渉性光線が干渉的に散乱されると、
散乱光は相互に干渉する。これは特にレントゲン線(X線)回折に応用される。

そう単純には言えません。
光りの散乱で有名なラーマン散乱は一般的に非弾性で干渉性、
ミー散乱は弾性で干渉性と言われています。

ドイツのWikiに簡潔にまとめられていたので訳して紹介します。

Wiki衝突Stoss
http://de.wikipedia.org/wiki/Elastischer_Sto%C3%9F#Elastischer_Sto.C3.9F
(動画が見られます)

弾性衝突
2つの物体が、エネルギを例えば熱や変形エネルギの様な内部エネルギに
転換することなく衝突すること。エネルギ保存則によれば、衝突前の運動エネルギ
(力学的エネルギ)の和は衝突後の...続きを読む

Qエックス線写真のコントラストについて

エックス線写真のコントラストに影響を及ぼす因子として線質があると教わりました。これはなぜでしょうか?写真のどの箇所も一様に同じ線質のエックス線があたるので無関係のように思えるのですが・・・。
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>線質があ
どちらをさしているのか.文面から読み取れませんでした。

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医療の場合には.AgBrを直接攻撃するのではなく.印画紙の前後にけいこうざいを塗り.けいこうざいをXせんが攻撃して蛍光を発し.この蛍光を保存する場合があります。波長が多少AgBrとは異なります。

波長によっては.透過する場合・散乱する場合があります。散乱すると輪郭がぼやけて(例.良い写真は乳房等脂肪と大気の協会がきれいに移る)しまい.コントラストが下がります。

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なお.透過撮影は.私の場合には.カウンターを使うことしかしていません。

Q半価層について

半価層、実効エネルギー計測実験をしたのですが、わからないことがあります。
検討のなかに第一半価層より第二半価層の方が厚いのはなぜか?という質問がどうしてもわかりません。わかるかた教えてください。

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Q空間電荷制限領域?

空間電荷制限領域とは何でしょうか?
恐らく2極管関係の単語だと思うのですが・・・
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二極管は、熱電子放出によりカソード(陰極)からプレート(陽極)に到達します。このとき、放出される熱電子の密度が小さい場合(プレート電圧Vpに比べてカソードの温度が低い場合)、陰極から陽極の電界分布は直線的となり、途中の空間に熱電子が溜まることなく全て陽極に達します。このときの電流密度は、カソードの温度で定まるため、温度制限電流と呼ばれます。
J=AT^2e^(-eφ/kT)

J:電流密度
A:定数 4πmek^2/h^3
T:絶対温度
φ:仕事関数

次に、放出される電子の密度が大きい場合(プレート電圧Vpに比べて、カソードの温度が高い場合)、電子は全部、陽極に到達できずに空間に溜まってしまう(空間電荷)。(詳しくは、参考URL)このときの電流は、温度によらず空間電荷の電界(プレート電圧Vp)によって定まるので空間電荷制限電流と呼ばれています。
Ip=GVp^(3/2)

G:パービアンス(電極によって定まる定数)

尚、似たようなもので、半導体ではPN接合付近に出来る空乏層(空間電荷領域)があります。

参考URL:http://www.k3.dion.ne.jp/~tapooh/kyoto-u/papers/phys-exp/phys-exp10-thermoelectron.pdf

二極管は、熱電子放出によりカソード(陰極)からプレート(陽極)に到達します。このとき、放出される熱電子の密度が小さい場合(プレート電圧Vpに比べてカソードの温度が低い場合)、陰極から陽極の電界分布は直線的となり、途中の空間に熱電子が溜まることなく全て陽極に達します。このときの電流密度は、カソードの温度で定まるため、温度制限電流と呼ばれます。
J=AT^2e^(-eφ/kT)

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Qクエンチについて

MRIやNMRなどの核磁気共鳴装置で起こりうる事故としてクエンチという現象がありますが、いまいちどういう現象なのか理解できません。物理の本などでは「超伝導が破れて常伝導になることで一気に液体ヘリウムが蒸発して噴出する・・」というようなことが書いてありますが、どうしてそういったことになるのか教えてほしいです。そしてそのような状況になると何故液体ヘリウムが蒸発するのでしょうか?

Aベストアンサー

物理実験で超伝導磁石を使っている者です。
クエンチの個別現象が回答されているので、分かりやすくまとめてみます。

1.物理的ショックや装置の劣化、操作ミスなどの原因で、冷却されている超伝導磁石の中の超伝導線の一部が常伝導になってしまう。

2.超伝導状態では電磁石の電気抵抗がゼロなので、強い磁場を作るために通常は限界に近い大電流が流れており、常伝導になった部分に生じた抵抗で大きな熱が発生する。

3.発生した熱のために、常伝導になってしまった付近の超伝導線が暖まり、超伝導が破れて常伝導の部分が広がる。広がった常伝導部分でさらに大きな熱が発生し....という1,2,3の連鎖反応が瞬時に起こり、超伝導磁石中を流れていた電流が一気に熱に変わる。これは、別にセラッミックス系の高温超伝導材料に限らず、金属系の低温超伝導材料でも同じことです。

4.超電導磁石を冷却するのには、通常は液体ヘリウムが使われていますが、液体ヘリウムというのは水や液体窒素に比べて非常に蒸発熱(液体を気化すのに必要な熱量)が小さく、例えば水が540cal/mL、液体窒素が約40cal/mLなのに対し、液体ヘリウムはわずか0.6cal/mLですから、発生した熱であっというまに大量の液体ヘリウムが蒸発してしまうわけです。

通常は、このようなクエンチ対策として、液体ヘリウムデュワーにガス放出弁が、超伝導磁石には超伝導コイルが常伝導になった時に、常伝導状態のコイルより抵抗が小さいバイパス導線を液体ヘリウムの外で並列に繋いで、その部分で電流を消費して液体ヘリウムの蒸発を押さえる、などの工夫がなされていますが、完全に安全とは言えないのとクエンチによって超伝導線が徐々に劣化する可能性が有るので、出来るだけクエンチは避ける注意が必要です。

物理実験で超伝導磁石を使っている者です。
クエンチの個別現象が回答されているので、分かりやすくまとめてみます。

1.物理的ショックや装置の劣化、操作ミスなどの原因で、冷却されている超伝導磁石の中の超伝導線の一部が常伝導になってしまう。

2.超伝導状態では電磁石の電気抵抗がゼロなので、強い磁場を作るために通常は限界に近い大電流が流れており、常伝導になった部分に生じた抵抗で大きな熱が発生する。

3.発生した熱のために、常伝導になってしまった付近の超伝導線が暖まり、超伝導...続きを読む

Q質量減弱係数

1.25MeVと0.0595MeVの時の銅と鉛の質量減弱係数がわかりません。
誰か教えて下さい。

Aベストアンサー

放射線データブックには鉛のグラフがありました。それから読みとったところは
1.25Mev : μ/ρ=0.06cm^2/g  
0.06Mev : μ/ρ=4.0cm^2/g

米国NISTのデータが下記のURLにあります。鉛も銅もあります。

参考URL:http://physics.nist.gov/PhysRefData/XrayMassCoef/tab3.html

Q線スペクトルと連続スペクトル

線スペクトルと連続スペクトル

いろいろな光源のスペクトルを観察すると、
線になったり、連続になったりしますが、
なぜ、線になるものもあれば、連続になるものもあるのでしょうか。
線スペクトルになるしくみ、連続スペクトルになるしくみを
どなたか簡単に説明していただけないでしょうか。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

こんにちは。

電球(白熱電球、豆電球など)は、連続スペクトルになります。
太陽もそうです。
これは、熱運動によるものだからです。
電流が流されたフィラメントは高音になり、光を出します。
熱運動では粒子1個1個の運動が確率分布になるので、エネルギーがばらばらになります。
よって、連続スペクトルを呈します。
(いわば、エネルギーがばらばらの線スペクトルの集合です。)
赤外領域の光も出しますので、熱が多く出て、エネルギー効率は悪いです。

一方、蛍光灯のスペクトルは、線スペクトルです。
赤1本、緑1本、青1本の合計3本ピーク(黄色と青の2本のタイプもある)があって、
3つの混色で、人間に「白」を認識させます。
赤、緑、青、それぞれの蛍光物質が管の内側に塗布されていて、
蛍光灯内部で発した紫外線が、3種類の蛍光物質を励起し、それが基底状態に戻るとき、
赤、緑、青になります。
液晶画面のバックライトも蛍光灯です。(最近は、蛍光灯ではなくLEDのもありますが)
必要な光以外をほとんど発しないので、エネルギー効率がよいです。

Qナイキスト周波数(間隔) 標本化定理

複数の本やサイトを用いてナイキスト周波数や標本化定理,サンプリング周波数について,学んでいるものです.
しかし混乱しました.

ナイキスト間隔とは,元の信号を再現出来る最高の間隔でこれ以上の間隔でサンプリング(標本化)すると折り返し歪が生じるというような間隔,逆に言うと,これより小さなサンプリング間隔でサンプリングすれば良いと本に書いてありました.

また,ナイキスト間隔の逆数はナイキスト周波数であり,
サンプリング間隔の逆数はサンプリング周波数であるので,
サンプリング周波数はナイキスト周波数より大きければ良い,と書いてあるのですが,ここが分けわかりません.

Example

周期T=2の波をサンプリング間隔Ts=0.5でサンプリングした場合
周期の周波数はf=0.5Hz,サンプリング周波数はfs=2Hz この時,

ナイキスト周波数はfn=1Hz,ナイキスト間隔は Tn=1なのでしょうか?
だとすると,ナイキスト周波数以上でサンプリングすればいいという記述はどういった意味なのでしょうか? 

サンプリング定理によると,(ローパスフィルタなどを用いずに)折り返し歪を防ぐには,
常にナイキスト周波数の2倍以上の周波数が求められるのだから,
サンプリング周波数はナイキスト周波数の2倍以上なら良いと書くべきではないでしょうか?
しかし自分でも感じるのですが,この結論もまた謎です^^;

複数の本やサイトを用いてナイキスト周波数や標本化定理,サンプリング周波数について,学んでいるものです.
しかし混乱しました.

ナイキスト間隔とは,元の信号を再現出来る最高の間隔でこれ以上の間隔でサンプリング(標本化)すると折り返し歪が生じるというような間隔,逆に言うと,これより小さなサンプリング間隔でサンプリングすれば良いと本に書いてありました.

また,ナイキスト間隔の逆数はナイキスト周波数であり,
サンプリング間隔の逆数はサンプリング周波数であるので,
サンプリング周波数はナ...続きを読む

Aベストアンサー

「元の信号」はいろんな周波数の成分を含んでいます。「元の信号」が含む周波数成分のうちで最も高い周波数を持つ成分の周波数(略して「最高周波数」と言ったりしますが)をωとするとき、2ωがナイキスト周波数であり、これが、サンプリングによって「元の信号」の情報を失わない(∴「元の信号を再現できる」)ために必要な最低限のサンプリング周波数である、ということです。

 「元の信号」が周期的かどうかは、ナイキスト周波数の話とは関係ありません。
 「元の信号」が周期的でない場合、あらゆる周波数の成分が含まれうる。一方、「元の信号」が周期Tを持つ場合には、「元の信号」が含む成分の周波数は(n/T) (n=0,1,2,…)に限られ、半端な周波数の成分は含まれない。単にそれだけの違いに過ぎません。

 で、おそらくご質問は、「元の信号」の周期がいくらかという話と、「元の信号」の含まれる最高周波数はいくらか、という話を混同なさっているんでしょう。 
 それは「元の信号」に n=2以上の成分が含まれない(だから「元の信号」は周期Tのサインカーブと直流成分の和である)と仮定したことになります。でも、そんな条件はどこにもないはず。

 まとめますと、ナイキスト周波数は「元の信号」の周期とは全く関係なく、ただ、「元の信号」が含む最高周波数によって決まるんです。
 で、「元の信号」が含む最高周波数はいくらか、というのは、その「元の信号」を作り出した信号源の性質に依る。たとえば、「元の信号」が、ある周波数より高い成分が通過できないようなフィルター(ローパスフィルター)を通して得たものであれば、通過できる最高周波数によってナイキスト周波数が決まる。


 なお、

> (ローパスフィルタなどを用いずに)折り返し歪を防ぐには

とお書きですが、もし「元の信号」にローパスフィルタを作用させていくらかでも信号に変化が生じさせてしまったならば、その後では、もはやどんなに細かくサンプリングしても「元の信号」は再現不可能になります。
 そうじゃなくて、「元の信号」が生じるまでの過程で(例えば、観測している物理現象の特性だとか、センサーの応答特性だとか、レンズのピンぼけだとか、アンプのゲイン特性だとかによって)ある周波数より高い周波数の成分が含まれていない(正確には、ノイズに比べて無視できる程度の振幅しかない)という状況が生じる。それに合わせてサンプリング周波数を設計するんです。

「元の信号」はいろんな周波数の成分を含んでいます。「元の信号」が含む周波数成分のうちで最も高い周波数を持つ成分の周波数(略して「最高周波数」と言ったりしますが)をωとするとき、2ωがナイキスト周波数であり、これが、サンプリングによって「元の信号」の情報を失わない(∴「元の信号を再現できる」)ために必要な最低限のサンプリング周波数である、ということです。

 「元の信号」が周期的かどうかは、ナイキスト周波数の話とは関係ありません。
 「元の信号」が周期的でない場合、あらゆる周波数の...続きを読む


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