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No.2
- 回答日時:
<br /> > 電子の移動度と正孔の移動度の違い<br /> 上記3つの半導体では一般に伝導帯における電子の有効質量の方が<
正孔の有効質量よりも軽いので、電子の移動度の方が大きくなります。上記3つの半導体はsp3型の結合をしているので、バンド構造がある程度似ていて、価電子帯が主にp軌道、伝導体がs軌道からできます。
この場合、価電子帯の方が平べったくなるので、有効質量が大きくなります。(有効質量はバンドの分散関係の2階微分の逆数に比例する。)
No.1
- 回答日時:
こんにちは。
一般的には、移動速度の順にゲルマニウム<シリコン<ガリウム砒素です。
「シリコン」と「ゲルマニウム」の場合には、周期表の同族元素であり、原子量の小さなシリコン原子が電子交換などにおいて、エネルギーは高めですが、移動速度が速くなるという特性があります。
ガリウム砒素の場合には、ガリウム原子に砒素を僅かに注入することによって、トンネル効果の閾値が下がり、電子の移動速度が速くなるためです。
なお、正孔は電子が不足しているために生じるものであり、移動はしません。
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