No.2ベストアンサー
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Siに不純物をドーピングして作るタイプの半導体の場合、基本的にp型のドーパントとn型のドーパントは共存可能です。
濃度が濃いほうの性質が現れることになります。PN接合はp型半導体となっているシリコンに局所的にn型のドーパントをドーピングすることで作成します。ドーピングしたくない箇所にカバーを付け、その状態でドーパントを降らせるなりたたきつけることでPN接合が作られます。
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