No.1
- 回答日時:
エネルギー準位が深い場合、室温でもドープした不純物の全てがホールを作らないためです。
GaNの場合Mgをドープするのが一般的ですが、活性化率は僅か1%程度だったと思います。
ですから、10^19cm-3でドープしても、ホール密度10^17cm-3しか得られません。
Siなど一般の半導体の場合、5meV程度の浅い不純物が使えるので、その場合の活性化率は95%(?)といった具合になります。
この回答へのお礼
お礼日時:2009/06/28 18:57
お答えくださってありがとうございます。
ここでの抵抗という意味は電気回路ででてくる抵抗の意味ではなく、室温でできるアクセプタのできにくさを意味しているのでしょうか?
変な質問ですいません^^;
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