Ｐ型ＧａＮ

いつもお世話になっております。
さっそくですがＰ型ＧａＮだけではないのですが、深い不純物準位をもった半導体はどうして高抵抗といえるのでしょうか？
ご教授ください。よろしくお願いします。

No.2 ベストアンサー 回答者： gandhi- 回答日時： 2009/06/29 02:29

電気回路ででてくる抵抗 ∝ 室温でできるアクセプタのできにくさ

抵抗値 ∝ アクセプタ密度 です。

電荷を運ぶキャリア、ホールが少ないほど、電流が流れにくい、
つまり抵抗値が高いということです。

この回答へのお礼

なるほど！大変わかりやすい回答ありがとうございました！

お礼日時：2009/06/29 11:17

No.1 回答者： gandhi- 回答日時： 2009/06/28 17:20

エネルギー準位が深い場合、室温でもドープした不純物の全てがホールを作らないためです。

GaNの場合Mgをドープするのが一般的ですが、活性化率は僅か１％程度だったと思います。
ですから、10^19cm-3でドープしても、ホール密度10^17cm-3しか得られません。

Ｓｉなど一般の半導体の場合、5meV程度の浅い不純物が使えるので、その場合の活性化率は95％(？)といった具合になります。

この回答へのお礼

お答えくださってありがとうございます。
ここでの抵抗という意味は電気回路ででてくる抵抗の意味ではなく、室温でできるアクセプタのできにくさを意味しているのでしょうか？
変な質問ですいません＾＾；

お礼日時：2009/06/28 18:57