FET ２SK３０Aのスイッチング動作について

ソースをマイナスに接続。
ゲートとマイナス間に１MΩと１μの電解を接続。
ドレインとプラス３V（電池の電源）間に２０Kを接続。
この状態でゲートとプラス間に１K～１Mを接続しても、ゲートとマイナス間に１K～１Mを接続してもドレインの電圧は０Vのままでスイッチング動作をしてくれません。
ゲートをオープンにしてをピンセット等でチョンチョンするとドレインの電圧が３Vになったり１．５Vになったり０Vになったりします。
ちなみにFETは破壊されていません。
ゲート電圧でスイッチング動作をさせる方法を教えてください。

No.1 ベストアンサー 回答者： soramist 回答日時： 2009/10/13 12:21

FETには３種類の特性のものがあることをご存知ですか？

http://www.nahitech.com/nahitafu/mame/mame1/fet. …

2SK30Aは「ジャンクション型のFET」（最近では大変珍しい）ですので、
ドレン電流カットオフをするためには、ゲートをピンチオフまでの逆バイアスを
かけなければなりません。（添付資料[N-JFET]の図参照）
スイッチングが目的なら、最近のMOS FETを使われたらいかがですか？
最近のMOS FETは[エンハンスメント型]がほとんどですから、ゼロバイアアスで
カットオフできます。（使用に際しては特性要確認のこと）

>ゲートをオープンにしてをピンセット等でチョンチョンするとドレインの電圧が
３Vになったり１．５Vになったり０Vになったりします。

ゲートの絶縁抵抗は非常に高いので、周囲からの誘電電圧によって（気付かないうちに）
バイアスが掛っているのです。（逆バイアスを含む）

この回答への補足

大変参考となる情報ありがとうございました。
スイッチング用のFETの選択が誤っていたようです。
０Vで完全OFFとなるエンハンスメントのFETを探します。
また、電源プラス側をスイッチするにはPMOS、マイナス側をスイッチするにはNMOSと考えていいですか？
市販の代表的な型番ご存知でしたら教えてください。

補足日時：2009/10/13 13:48

この回答へのお礼

後は自力で解決します。
ありがとうございました。

お礼日時：2009/10/13 21:00