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電気抵抗が電圧に比例する。どうして?

シリコンの電気抵抗を測定しています。
印加電圧10Vで測定すると1.7MΩなのですが、
25Vで測定すると3.8MΩ、100Vで13MΩです。
電圧以外、測定条件は変更してません。

電流が電圧に比例したならわかるのですが、抵抗が電圧に比例して大きくなっていくいみがわかりません。
特別な素子ではなく、ただのシリコンウェハです。

よろしくお願いします。

A 回答 (4件)

10Vで1.7MΩってだいぶ抵抗が高いですね。


Siでもドープ量の少ないものです。

こういった高抵抗のものは単に金属を蒸着して電極を付けても、
ましてやテスターの端子を押し付けただけでは、
オームの法則に従うわけがありません。

むしろショットキー接合に近い感じだと思います。

たぶん実際はオーム的接合とショットキー接合の中間くらいで非常に
やっかいです。

シリコンでも抵抗が高いと電気抵抗を測定するには、
ノウハウが必要です。
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この回答へのお礼

回答ありがとうございます。
ちゃんとやるのは大変なんですね・・・。
とりあえず今回はそのままデータを使用しました。
勉強しなおします。
ありがとうございました。

お礼日時:2011/02/19 15:39

四端子法で測ってます?

この回答への補足

四端子法ではないですが、ガード電極を使用して、漏れ電流を除去しています。

補足日時:2010/05/24 13:48
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電流で比べて見てください。


おそらく使えるキャリヤーの数が限られていて、定電流特性を示すのでしょう。
電圧を上げると少しキャリヤーが増えて電流が微増しているのでしょう。

この回答への補足

回答ありがとうございます。
表示された抵抗値から電流を計算したところ(抵抗計を使用しているので抵抗値がでます)、
印加電圧10Vのとき6μA、1000Vのとき9μA でした。
電圧が100倍になる間に、電流は1.5倍にしかなりませんでした。

シリコンの純度が高く、電流を流すキャリアをもった不純物が足りない、
ということでしょうか。
この場合、正確な体積抵抗率を求めるにはどう測定したらよいでしょうか。
さらなるご回答いただけると助かります。
よろしくお願いいたします。

補足日時:2010/05/24 16:17
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単純にオームの法則ではないんですか?


>電圧以外、測定条件は変更してません。

I(電流)x R(抵抗)=V (電圧)
Iが不変なら、電圧が大きくなれば、抵抗も大きくなる。。。
-----って、簡単な事ではないですよね。。。。
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この回答へのお礼

回答ありがとうございます。
おっしゃるとおり、
RがVに比例するということは、Iが不変なのでしょうが、
なぜIが変わらないのかわかりません。
電圧依存性のあるような素子ではないはずなんですが…。

お礼日時:2010/05/24 14:00

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