無安定マルチバイブレータの実験をしたのですが、分からないことがあります。
トランジスタは、ベースとエミッタ間、コレクタとエミッタ間にだけ電流が流れるというのは分かるのですが、ある条件下では、これら2つの経路以外にコレクタとベース間にも電流が流れると聞きました。小さなトランジスタになればなるほど顕著にあらわれるらしいのですが、どのような条件になるとコレクタとベース間にも電流が流れるのでしょうか?
またそこに電流が流れるとどのような現象が起こり、無安定マルチバイブレータの動作を乱すのでしょうか?
教えてください。よろしくお願いします。

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A 回答 (4件)

 NPNトランジスタで、コレクタからベースに流れる電流は、Teleskopeさんの回答にもあるように、Icboがあります。

これはPN接合の逆バイアス漏れ電流みたいなもので、印加電圧や温度の影響を受けます。小信号トランジスタでは、最悪値で 1μA というようなレベルです。
 Icboは、コレクタからベースに流れるので、バイアス回路にもよりますが、その何割かはベースからエミッタに流れ、ベース電流になります。従って、これを直流電流増幅率 hFE 倍した電流が、コレクタエミッタ間に流れ、トランジスタのバイアス動作点を変動させます。つまり、直流アンプや交流アンプの基準動作点を変動させる原因の1つです。しかし、無安定マルチバイブレータの回路は、フルスイングのスイッチングをする回路なので、このような動作点の変動はほとんど問題になりません。双安定マルチバイブレータなら、スレッショルドレベルにいくらかの変動を与えるかも知れませんが、コレクタ電流を 0.1mA 以下で設計しない限り、ほとんど問題にならないでしょう。

 一方、NPNトランジスタで、ベースからコレクタの方向に流れる電流というのも考えられます。しかし、ベースからコレクタに直流電流が連続して流れるとしたら、それは明らかに回路がおかしいのであって、問題外です。しかし、見かけ上これに少し似たような現象があります。
 バイポーラトランジスタをスイッチング動作させる場合、充分なベース電流を流してコレクタを飽和させます。小信号トランジスタでは、コレクタエミッタ間電圧は 0.2V 位になります。ベースエミッタ間電圧は 0.7V 位なので、コレクタよりベースの方が電圧が高くなります。だからと言ってベースからコレクタに電流が流れているわけではありません。ただし、過剰なベース電流の一部が、コレクタベースの接合面に余剰キャリアとなってして蓄積されます。そのため、ベース電流を切ってトランジスタをオフさせても、余剰キャリアが吸い出されるまではコレクタ電圧が上昇しない現象が生じます。これを蓄積時間 ts と言います。小信号トランジスタで、特にスイッチング用に作られていないものでは、1μS 前後になることもあります。従って、無安定マルチバイブレータの発振周波数を100kHz位で設計していれば、この影響が出て発振周期が長めになることがあります。

>>小さなトランジスタになればなるほど顕著にあらわれる
というのは、よくわかりません。Icboにしても、蓄積時間にしても、大きなトランジスタの方が一般的に大きくなります。もちろんそれなりに回路を設計するので、影響が大きいかどうかは別問題ですが。
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この回答へのお礼

とても詳しい回答でありがとございました。

お礼日時:2003/10/28 18:50

質問者の請求を逸脱して恐縮だが一応指摘しておきます。



マルチバイブレータの遷移の進行順序

   ____
  /      Vbe  1.片方のベース電圧が
/              オンレベルに達した。
  
──┐      off  2.その結果
   └─── on     オフからオンに転じた。

──┐Vbe       3.それが反対側トランジスタの
   │            ベース電圧を負に振り、
    |  /
    |/      

   ┌───     4.オフに転じさせる。
──┘            蓄積時間が無い場合の図。

     ┌───     同、蓄積時間が有る場合の図。
───┘     


 因果関係は1~4の順に進行するゆえ、
蓄積時間の有無は1の駆動に影響を及ぼし得ない。1はすでにオン済みゆえ。


蛇足ながら;3の波形が負に大きく振れた時にトランジスタのベースエミッタ間逆耐圧(せいぜい5V)を越さぬよう工夫が必要。
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コレクタ~ベース間を通る電流は下記の種類がある


1.ベース~コレクタ間には常に微小な電流が存在している。初等レベルでは教えないだけである。
2.コレクタ電圧を高くしてゆくと耐圧限界を越えた所で雪崩現象が起き大きな電流が流れる。

1はコレクタ遮断電流Icboと呼び温度と共に急激に増加する。これが問題になるケースは主にベースに何も繋がってない状態にした場合や、コレクタ抵抗が非常に大きな場合である。マルチバイブレータでこれが時定数コンデンサの充電に影響するのならそれは設計が不適切と言わざるを得ないので初等レベルにそぐわない。
2の場合なら小さなトランジスタとは耐圧が小さなトランジスタの事か?

もし課題なら原文をくずさず示して欲しい。話し言葉に変えられると読む側によく意味が通じないので。
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この回答へのお礼

小さなトランジスタとはおそらくその事と思います。
なんとかなりそうです。ありがとうございました。

お礼日時:2003/10/28 18:49

これのことかな?。



VCBOとか、VCBOのこと言ってるんでは?。

参考URL:http://nippon.zaidan.info/seikabutsu/1997/01210/ …
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この回答へのお礼

このようなサイトがあるのですね。
参考になりました。ありがとうございます。

お礼日時:2003/10/28 18:51

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Qコレクタ・エミッタ間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧を計算で求めることは可能ですか?
いろいろと調べてみましたがわからなかったので教えていただけると幸いです。

Aベストアンサー

以下のような条件が分かっていれば計算で求められます。

1)動作点としてのコレクタ電流IC、コレクタと電源間に接続されている
負荷抵抗RL、電源電圧VCCが分かっている場合で

エミッタが接地されている場合は:VCE=VCC-IC×RL 

2)上記1)でコレクタ電流ICの代わりにベース電流IBと電流増幅率hfeが
分かっている場合で

エミッタが接地されている場合は:VCE=VCC-IB×hfe×RL

こんなところでしょうか。

Qトランジスタのベース・エミッタ間飽和電圧とは

電子回路の本を読んでいて、トランジスタに「ベース・エミッタ間飽和電圧」という用語があるのを知りました。

以下のことを知りたいと思い検索してみましたが、なかなか良い情報にたどり着けませんでした。

1. この電圧の定義 : ベース端子とエミッタ端子の間の電圧なのか?
2. この電圧の特性 : 大きければいいのか、小さいほうがいいのか?
3. 飽和の意味: コレクタ電流が最大になった状態という意味で正しいのか?

上記に関する情報または情報源についてよろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

>1. この電圧の定義 : ベース端子とエミッタ端子の間の電圧なのか?

回答>>そうです。

>2. この電圧の特性 : 大きければいいのか、小さいほうがいいのか?

回答>>どちらかと言えば小さい方が良い。

>3. 飽和の意味: コレクタ電流が最大になった状態という意味で正しいのか?

回答>>ベース・エミッタ間飽和電圧はコレクタ電流が最大になった状態とは違います。
 まず、コレクタには外部から定電流源で規定の電流、例えば100mAを流しておきます。このときベースにも規定の電流を外部から定電流源で、例えば10mAを流します。このベース電流は半導体メーカによりますが、コレクタ電流の1/10または1/20を流します。通常hFEは100くらいか、それ以上の値を持ってますのでこのベース電流は過剰な電流と言うことになります。例えばhFEが100あったとすれば、ベース電流が10mAならコレクタ電流はそのhFE倍、すなわち1000mA流せることになります。逆にコレクタ電流を100mA流すのに必要な最低のベース電流はその1/hFEでよいわけですから、1mAもあればよいわけです。
 「ベース・エミッタ間飽和電圧」の仕様はトランジスタをデジタル的に動かしてスイッチとして使う場合を想定したものです。
 例えばコレクタ負荷が抵抗で構成されてる場合にトランジスタがONしてコレクタ電流として100mA流す場合、トランジスタをしっかりONさせるためにベースにはhFEから考えてぎりぎりの1mAより多くの電流を流します。
 このように必要以上にベース電流を流すことをオーバードライブと言いますが、そのオーバードライブの度合いをオーバードライブ係数、Kov=Ic/Ib で定義します。コレクタ電流を100mA流し、ベース電流を10mA流せばオーバードライブ係数、Kovは 10になります。
 実際にトランジスタをスイッチとして使用する場合はこのオーバードライブ係数を目安にして、ベース電流を流すように設計します。その際、ベースーエミッタ間の電圧VBEが計算上必要になりますのでこのベース・エミッタ間飽和電圧を使います。例えば、NPNトランジスタをONさせてコレクタに100mA流す場合、ベースにコレクタ電流のKov分の1の電流を流すようにベースと信号源の間の抵抗値RBを計算します。信号源の「H」の電圧が2.5Vの場合、RBはベース・エミッタ間飽和電圧をVBE(sat)とすれば、

    RB=(2.5V-VBE(sat)/10mA 

のようにして求めます。

>1. この電圧の定義 : ベース端子とエミッタ端子の間の電圧なのか?

回答>>そうです。

>2. この電圧の特性 : 大きければいいのか、小さいほうがいいのか?

回答>>どちらかと言えば小さい方が良い。

>3. 飽和の意味: コレクタ電流が最大になった状態という意味で正しいのか?

回答>>ベース・エミッタ間飽和電圧はコレクタ電流が最大になった状態とは違います。
 まず、コレクタには外部から定電流源で規定の電流、例えば100mAを流しておきます。このときベースにも規定の電流を外部から定電流源で、例...続きを読む

Qエミッタ接地増幅回路について教えてください><

教えていただきたいことは2つあります。
(1)エミッタ接地増幅回路はなぜ入出力波形の位相が反転するのでしょうか。
(2)エミッタ接地増幅回路はなぜ入力電圧が大きくなったとき出力波形が歪んでしまうのでしょうか。

1つでもわかる方がいらっしゃいましたらどうか回答よろしくお願いします。

Aベストアンサー

参考URLのトランジスター(エミッタ接地)増幅回路について
Ic-Vce特性と負荷線の図を見てください。
参考URL:
ttp://www.kairo-nyumon.com/analog_load.html

(1)
バイアス電圧を調整して図4の動作点(橙色の点)をVbe特性の中心に設定してやり、その動作点を中心に入力電圧Vbeを変化させてやるとVceとIcが負荷線上で変化して動きます。入力電圧Vbeが増加すると出力電圧Vceが減少し、入力電圧Vbeが減少すると出力電圧Vceが増加します。つまり出力電圧波形の位相は入力電圧の位相が逆になります。つまり、入出力波形の位相が反転することになります。

(2)
入力電圧Vbeが大きくなったとき出力波形が歪んでしまうのは、動作点が負荷線の線形動作範囲の上限に近づくとそれ以上Vceが頭打ちになって、出力電圧波形が飽和してしまいます。言い換えればコレクタ電圧Vceは接地電圧と直流電源電圧Vccの範囲でしか変化できません。その出力電圧波形は入力電圧Vbeが負荷線上の線形増幅範囲だけです。線形増幅範囲を超えるような大振幅の入力Vbeを入力すると出力電圧の波形が飽和して波形の上下が歪んだ(潰れた)波形になります。

お分かりになりましたでしょうか?

参考URL:http://www.kairo-nyumon.com/analog_load.html

参考URLのトランジスター(エミッタ接地)増幅回路について
Ic-Vce特性と負荷線の図を見てください。
参考URL:
ttp://www.kairo-nyumon.com/analog_load.html

(1)
バイアス電圧を調整して図4の動作点(橙色の点)をVbe特性の中心に設定してやり、その動作点を中心に入力電圧Vbeを変化させてやるとVceとIcが負荷線上で変化して動きます。入力電圧Vbeが増加すると出力電圧Vceが減少し、入力電圧Vbeが減少すると出力電圧Vceが増加します。つまり出力電圧波形の位相は入力電圧の位相が逆になります。つまり、入出力波...続きを読む

Qエミッタ接地における出力信号の反転について

あけましておめでとうございます。
新年そうそう申し訳ございませんがよろしくお願いいたします。
(1)エミッタ接地回路における入力信号と出力信号の関係についてですが、ベースバイアスを加えた場合には、出力信号は入力信号に対し反転しているのですが、ベースバイアスなしの場合ではも同様に反転するのでしょうか。あくまで、出力信号が反転するのはベースバイアスを加えたときだけなのでしょうか。

(2)この出力信号の反転について、なぜ反転して現れるのでしょうか。理論にこだわりすぎで、このようなものはよく結果として得られるものもあるかと思いますが、どの回路で・・・というか、どのような仕組み、原理から反転しているのでしょうか。

(3)この反転は出力信号で現れますが、コレクト電圧(コレクト-エミッタ間電圧)において、入力信号に対して反転して現れているのでしょうか。

細かい事項で申し訳ございませんがヨロシクお願いいたします。

Aベストアンサー

 エミッタ接地トランジスタ回路における出力信号(電圧)は、入力信号(電圧)に対して反転します(位相が逆になります)。ベースにバイアスを与えるかどうかには関係しません。

 入力信号(電圧)によってベースに電流が流れ込むと、それがコントロール作用をして、コレクタに増幅された電流が流れることが可能になります。電圧増幅するためにはコレクタに一端を電源に接続した負荷抵抗をつけるわけですが、コレクタを通じて負荷抵抗に増幅された電流が流れると、コレクタの電圧は接地側に近づくので、コレクタから取り出す出力信号(電圧)は原理的に入力信号(電圧)に対して反転します。

 エミッタに抵抗をつけ、この抵抗を介してエミッタを接地すると、エミッタの出力信号(電圧)は、入力信号(電圧)と同相になります(反転しません)。

 コレクタとエミッタの両方に抵抗をつけると、コレクタ出力電圧は反転し、エミッタ出力電圧は反転しません。

QトランジスタのVbeが0.6vである理由

色々探したのですが,どうもイマイチしっくり来る答えが得られなかったので,質問させてください.

一般的な電流帰還増幅回路において,例えば入力電圧が2.6vでも3.6vでも,
おおよそVbe=0.6になる理由が分かりません.
(参考:http://www.page.sannet.ne.jp/je3nqy/analog/1tramp2.htm)

                ←Ic
           ┌───┬── Vcc=10v
           │
           Rc=100kΩ
           │
   Ib →      C   
  ──── B      
  ↑        E     
  Vin        │
  │        Re=20kΩ
  ─┐       │
    ┷        ┷    
  接地(0V)   接地(0V)


例として上記回路にて,
Vin= Voffset(1.6v)+Vampl(+-1mv),
Ic=Is・exp(Vbe/Vt) :指数関数で表せるNPN-バイポーラTr
Is=1pA,Vt=26mV
としておきます.
(参考図書:トランジスタの料理法)


このとき,一般的な増幅度を求める計算では,
先ず,Icに流れる直流電流を 50μA とすると,
直流に対しては Vbe=0.6v なので,VRe=1.0v,Re=VRe/Ic=20kΩ,
と求めてゆくと思いますが,

本来,Ic=50μA流すのであれば,
Ic=Is・exp(Vbe/Vt)を解くと,Vbe=0.46vとなり,0.6vも必要としないと思います.
つまり,
Vbe=0.46v,Re=1.14vとなるのではないでしょうか?


この回路とは別に,単純にR1=10kΩの抵抗と,R2=20kΩの抵抗を直列に繋ぎ,
それを電流源に繋いだ以下のような回路であれば,

 ┌─────┐
 │         │
 │         R1=10k
 │         │
 │         │
 Iin=50μA    │
 │         │
 │         R1=20k
 │         │
 └─────┘

R1,R2を別々に考えて,
VR1=Iin・R1= 0.5v,
VR2=Iin・R2= 1.0v,で求められ,
VR1-to-VR2の端子電圧=VR1+VR2=1.5v
と求めることが出来るはずです.線型素子なわけですし.


なぜ,このような単純な抵抗の場合と,話が食い違うのでしょうか?
トランジスタを「π型等価回路」として見た場合も,
入力be間は単なる抵抗Rπで表すことが出来るはずです.

これは,エミッタ抵抗による負帰還がかかっていることに由来するのでしょうか?
若しくは,ツェナーダイオードによる定電源の様な,ダイオードの特性によるものでしょうか?
幾らトランジスタが非線形といえど,オームの法則による分配則ぐらい成り立つはずだと思ってます.


加えまして,
トランジスタを「π型等価回路」として見た場合,
Vin=Rπ・Ib + Re・Ie = Ib・(Rπ + (1+β)・Re),
Vbe= Ib・Rπ,これより,
Vbe/Vin = Rπ/(Rπ + (1+β)・Re) となり,
(Rπ=β/gm,gm=Ic/Vt)

Vbe=2.5%
gm´=1/Re=97.5%
の割合で,電圧がかかていると言うことが言われていますが..(トランジスタの料理法より)

確かに一応,数式では出ていますが,Reが無いトランジスタ単体での増幅が,
Ic=Is・exp(Vbe/Vt)の式より全て導出できるのに,Reが入ることで,
どうもハッキリとしない「Vbe=0.6v なので,VRe=1.0vで..」
と言った計算をしなければなら無い理由がよく分かりません.


一般的な電流帰還増幅回路において,例えば入力電圧が2.6vでも3.6vでも,おおよそVbe=0.6になる理由がを教えてください.
宜しくお願い致します.

色々探したのですが,どうもイマイチしっくり来る答えが得られなかったので,質問させてください.

一般的な電流帰還増幅回路において,例えば入力電圧が2.6vでも3.6vでも,
おおよそVbe=0.6になる理由が分かりません.
(参考:http://www.page.sannet.ne.jp/je3nqy/analog/1tramp2.htm)

                ←Ic
           ┌───┬── Vcc=10v
           │
           Rc=100kΩ
           │
   Ib →      C   
  ──── B ...続きを読む

Aベストアンサー

単純に、「Is=1pA」では大きすぎるのでは?
下記のリンク先では「Is=0.0001~0.01pA」位になっています。
http://dsaz37.hp.infoseek.co.jp/idealtr.html
http://homepage1.nifty.com/th3/tramp.htm
http://home.ee.kanagawa-u.ac.jp/sken/items/Activities/d2_02.htm

Qトランジスタの破壊の原理について教えてください

トランジスタの破壊について教えてください。
例えばVBEO=5Vとした場合にエミッタ-ベース間に5V以上の逆電圧がかかった場合に
電流が流れることによりトランジスタは破壊するのでしょうか?それとも電圧がかかるだけで破壊するのでしょうか?
対策としてベースに逆流防止のためダイオードを入れた場合には(微笑しか)電流は流れないので、
電圧がかかっても破壊には至らないと考えてよいでしょうか?
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

エミッタ-ベースはダイオードと考えて下さい 当然耐えられる逆電圧があります
数V~十数Vで これを超えますと電流が急に増え熱で劣化叉は壊れます

何を目的の回路かによって対策は変わります と言いますのは対策によって目的の増幅回路等に影響を及ぼすからです
逆流防止のためダイオードを入れた場合も当然影響しますので良く検討して下さい

スイッチング用トランジスターはエミッタ-ベース間逆耐圧が高いのでパルス動作には良く使われます
と言うよりパルス回路では逆電圧が掛ける事が多いので初めから高く作られているのです

Q無安定マルチバイブレータにおけるキャパシタの働き

無安定マルチバイブレータは、2つのトランジスタをそれぞれTr1、Tr2とすると、Tr1のベース電圧が正になることでTr1のコレクタ電流が増加し、それによってTr2のベース電圧が0になりTr2がoffになる。(説明がおおざっぱすぎるかもしれませんが)これをTr1とTr2で交互に繰り返すことで発振するものだということはわかっているのですが、2つのキャパシタの働きがいまいちわかりません。

わかる人がいれば、できるだけ詳しく教えていただけるとありがたいです。回答よろしくお願いします。

Aベストアンサー

1,C1に+5V充電されていて、Tr1がONになった瞬間C1の+側が0Vになることで-側が-5Vになる。
Tr1を単なるスイッチにおきかえれば,R1は除去できて,R2とC1が直列になった回路でC1とTr2のベース・エミッタ間(ダイオード)が並列になっているようなものです.
C1は充電されていたのに,いきなり0Vと接続されてしまうのですから,いわばショートされたようなものですね.C1を電池として考えると
C1(+)=>GND=>電池(-)=>電池(+)=>R2=>C1(-)っていう感じの回路になって,これは2つの電池を輪につないで間に10kΩを挟んでいるようなものです.

2,Tr2がOFFになる。
このときTr2のベース電圧は・・っていうと最初は-5Vくらいまで下がりますけど,C1が放電されていくにつれて次第に電圧が上がってきます.
これがリンク先にあるB2-Eが斜めに上昇している部分のうち0Vより下の部分です.
C1が放電されきって端子間の電圧が0Vになっても止まらず,電池からR2を通して逆向きに充電されていきます.(空のコンデンサをR2と直列にして電池とつないだと考えてください)
これがB2-Eが上昇している部分のうち0Vより上側になっている部分です

充電が進むにつれてC1の-側(R2と繋がっている側)の電圧も上昇してTr2のベース電圧もあがってきます.

これでTr2のベースにほんの僅か電流が流れ始めます(完全にONというほどではない).するとトランジスタの増幅作用で大きなコレクタ電流が流れ,C2が放電,Tr1のベース電圧低下で一気にTr1がOFFします.

Tr1がOFFすると,Tr2のベース部分の回路はR1とC1の直列回路とR2が並列になったような状態になります.これでTr2のベース電圧もポン!と跳ね上がります.
これがB2-Eの電圧が斜めに上昇が終わったところにある,線が切れたように見えている部分です.

C1は0.6Vほどですが逆向き充電されているので,電池とC1が直列になったようになって,この瞬間のベース電圧はいつもより高くなりますし,その後もコンデンサが並列になったことで通常より少しベース電流が多めに流れるので,この間VBEも少し大きめになります.
波形を良く見ると線の切れた直後が,少し上から降りてくるような波形になっているのはこのためです.

1,C1に+5V充電されていて、Tr1がONになった瞬間C1の+側が0Vになることで-側が-5Vになる。
Tr1を単なるスイッチにおきかえれば,R1は除去できて,R2とC1が直列になった回路でC1とTr2のベース・エミッタ間(ダイオード)が並列になっているようなものです.
C1は充電されていたのに,いきなり0Vと接続されてしまうのですから,いわばショートされたようなものですね.C1を電池として考えると
C1(+)=>GND=>電池(-)=>電池(+)=>R2=>C1(-)っていう感じの回路になって,これは2つの電池を輪につないで間に10kΩを...続きを読む

Q電圧増幅度の出し方

入力電圧と出力電圧があってそこからどうやって電圧増幅度を求めるんですか?
電圧増幅度を出す式を教えてください

Aベストアンサー

増幅回路内の各段のゲイン、カットオフを求めて、トータルゲイン及びF特、位相
を計算するという難しい増幅回路の設計にはあたりませんので、きわめて単純に
考えればいいですよ。

電圧利得(A)=出力電圧/入力電圧

となります。

これをデシベル(dB)で表すと

G=20LogA(常用対数)

で計算できます。

ご参考に。

Qマルチバイブレータについて

各マルチバイブレータについてのご質問になりますが、非(無)安定マルチバイブレータ、単マルチバイブレータ、双安定マルチバイブレータの、各それぞれの応用例を、教えてくださいm(__)m。
どういったものに使用されているのか教えてください。
是非お願いいたしますm(__)m。

Aベストアンサー

こんにちは。
非安定マルチ→発振回路、分周回路

  あまり高い安定度を必要としない周波数源として使われる事が多いよう
  です。またベース(ゲート)回路に発振周波数の整数倍の周波数を入力
  すると入力信号に同期した整数分の一の方形波を取り出す事ができます。

単安定マルチ→トリガパルス整形回路を動作させる信号をアナログ信号から
  パルスを作るチャタリング防止接点などの振動で細かい沢山のパルスが
  発生したとき、単安定マルチの時定数以下の細かいチャタリングパルス
  をキャンセルできる。

双安定マルチ→計数回路、分周回路、記憶回路、方形波への波形整形
  コンピューターで一番使われてる回路はこれでしょうね。

こんなところでいかがでしょうか。

Q三端子レギュレータに付けるコンデンサ

三端子レギュレータ7805を使用するのに、あるHPで「入力、出力側にそれぞれ1つずつ0.1μFのコンデンサを付ける」というのを見た事があるのですが、別の本には入力側には22μF、出力側には100μFを取り付けるとありました。
どちらが正解なのでしょう?また、2つの違いは何でしょう?
目的に応じて使い分けたりするのでしょうか?

Aベストアンサー

どちらも正しく、どちらも間違っています。
本に書いてあるから、ではなく、設計によって違ってきます。
つまり、入力電圧、入力のリップル含有率、出力電流、出力に求めたいリップル含有率、出力のリアクタンス分・・・などなど
それによって計算します。
それから、リップル率によってコンデンサに流れる電流を求め、そこから発熱を求め、それに耐えられるコンデンサを選びます。
また、入力電圧と出力電圧の差、出力電流、リップル率、使用状態の周囲温度などから、レギュレータの発熱を計算し、熱抵抗を求めて、放熱板を決定します。
かなり面倒な計算なので、おおよその回答を言いますと、7805は出力が5V1Aの定格ですから、最大0.8Aまで使うとし、入力はAC6Vの全波整流として、入力も出力も100μFの電解コンデンサと0.1μFのプラスチックコンデンサを並列接続したもので、いけると思います。
ただし、0.1μFのコンデンサはレギュレータの足に直結します。
100μFのコンデンサは回路中についていればどこでも良いです。

入力はAC6Vの全波整流で、出力電流を0.8A取ると、レギュレータで約1.6Wを消費しますので、周囲温度を30℃まで使うとして、ジャンクション温度を80℃にしたければ、熱抵抗は25℃/W程度の放熱板が必要です。
これ以外の入力電圧や、出力電流の場合は再計算が必要です。

どちらも正しく、どちらも間違っています。
本に書いてあるから、ではなく、設計によって違ってきます。
つまり、入力電圧、入力のリップル含有率、出力電流、出力に求めたいリップル含有率、出力のリアクタンス分・・・などなど
それによって計算します。
それから、リップル率によってコンデンサに流れる電流を求め、そこから発熱を求め、それに耐えられるコンデンサを選びます。
また、入力電圧と出力電圧の差、出力電流、リップル率、使用状態の周囲温度などから、レギュレータの発熱を計算し、熱抵抗を...続きを読む


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