TTLによるNAND回路について

講義中に図のような回路を示されたのですが、なぜ各点で図のような電圧になるのかがいまいちわかりません。
解説をよろしくお願いします。
もし可能でしたら、両方の入力が「H」である場合の解説もしていただければありがたいです。

No.4 ベストアンサー 回答者： cruelman 回答日時： 2012/07/24 20:58

入力が両方Hのとき初段トランジスタのB-E間に電流は流れません。

Eの電位が高いので。
この時、C-E間にも電流は流れません。NPNトランジスタの性質上当然ですね。
この時、B-C間はPN接合のダイオードとして作用します。
そしてNo.1ですでに言及した通りB-E間はダイオードです。
ですので二段目のB-E間も三段目下のB-E間もダイオードです。

上記を踏まえると、図の回路は５VラインにR14Kがぶらさがりその先ダイオード３つの直列を介して
グラウンドに落ちる回路であるとみなすことが可能です。
No.1で解説したようにダイオードの電圧降下は0.6Vですからグラウンドからは下から順に
0.6V、1.2V、1.8Vとなるわけです。

No.3 回答者： fjnobu 回答日時： 2012/07/23 09:02

ANo2です。

解答の一部を訂正します。
両方の入力がＨの時の入力段のベース電圧は、１．８Ｖです。
それは、ベース・コレクタ-間が順方向なので、1.2+0.6=1.8Ｖとなります。

No.2 回答者： fjnobu 回答日時： 2012/07/23 08:24

この解説は間違っています。

入力の一つがＬだから、出力はＨになります。
Ｈの時の出力電圧は、約４，２Ｖです。出力段のベース電圧は０Ｖ，その前の段も０Ｖ、入力段のベース電圧は０．６Ｖです。
両方がＨの時は、出力は０，２Ｖ以下、出力段のベース電圧は０，６Ｖ、その前の段のベース電圧は１．２Ｖです。
入力段のベース電圧は、５Ｖ（Ｈの電圧と同じ）です。
なお、ベース電圧の０．６Ｖはトランジスターのベース・エミッタの順方向電圧は、約０．６Ｖだからです。

No.1 回答者： cruelman 回答日時： 2012/07/23 00:59

シリコンダイオードに電流が流れるときの電圧降下は通例では0.6Vです。

トランジスタのベース、エミッタ間というのは一種のダイオードですので
電流が流れるときの電圧降下はダイオードのそれに等しいということになります。

この回答へのお礼

すみません、入力が両方Hでした。

お礼日時：2012/07/23 02:08