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半導体用シリコン単結晶のCZ法に依る引上げ育成時のキャリアガスには通常はアルゴンが使用されていると思います。
キャリアガスに窒素は何故使用されないのでしょうか?
個人的には、①7N純度の窒素は存在するし窒素の方が廉価である、②窒素であれば融液シリコン中の酸素と反応してNOxガスを反応生成する可能性が有ると思うので、アルゴン以上に低酸素品単結晶を育成できる可能性が有る、etcと思うのですが・・・。
何かご存じの方が居られましたらお教えください。
:出来れば簡単な理由もお願いいたします。

思い付きの疑問ですが、結構真面目に考えています。
以上

A 回答 (3件)

結晶化中に化合しやすい物質が有れば反応して化合物が出来てしまうとは考えないのでしょうか?

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この回答へのお礼

ご回答ありがとうございます。
「化合物(多分、SiN)が出来てしまう」には全く異論有りません。
以上

お礼日時:2016/05/23 16:39

アルゴンは不活性ガスの中で一番得やすい物だからだと思います。


窒素などは化合物を作る可能性が高いのでダメではないでしょうか?
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この回答へのお礼

早速のご回答ありがとうございます。
追加で質問して宜しいでしょうか?
(質問)
・・・ですが、「窒化ケイ素の比重はケイ素融液比重よりも重いので沈殿する。従って、融液面に於ける単結晶の固液界面には影響しない。」の考えは間違っていますか?
窒化ケイ素は純シリコン融液に対する「濡れ性」も優れていますので「分粉末の窒化ケイ素でもシリコン融液に浮遊しない」様に思うのですが実際は浮遊してしまうのでしょうか?
何かご存じでしたらお教えください。
以上

お礼日時:2016/05/23 16:02

窒化珪素になってしまうからでしょう。

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この回答へのお礼

早速の回答ありがとうございます。
:「・・・ですね」ですが、

お礼日時:2016/05/23 16:03

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