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アルミ製 真空チャンバー(容積1L)内に 酸素ガス O2と混合ガス (水素ガスH2 5%/ 窒素ガス95%)を充填、(圧力は1気圧~0.5気圧の範囲)する場合、 チャンバー内で、過酸化水素ガス?(酸化水素ガス?名称はわからないのですが)等、酸素と水素の混合ガスが形成される可能性があると指摘を受け、またそれらのガスは爆発性を持つことから危険であることから、チャンバー内で両ガスが交わらない工夫が必要であるとの説明を受けています。
真空チャンバーは、シリコン基板などを赤外光などで加熱(500度―1000度)に加熱するプロセスに
使用されます。

上記の論理は正しいのでしょうか?

A 回答 (1件)

高温で酸素を入れる工程がシリコン基板にあるのかよくわかりませんが(酸化膜なら蒸留水の水蒸気を使うはず)、そのチェンバー内で 水素と酸素は必要なのですか?



そりゃ 酸素と水素が入っていれば爆発の危険がありますが...
水素がいらないならチェンバー内で小さな炎を燃やしておけば水素は燃えて水になります。それではいけないのですか?
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この回答へのお礼

ご教授有難う御座います。
チャンバー内のシリコン基板を高温状態にすることは間違いないのですが、その高温時どちらのガスを充填するかの情報は現在、私自身は持っていません。 そのチャンバーに酸素と、H2ガス/5%が含まれた混合ガスが交わった際、爆発の危険がある事は明白ですよね。
おっしゃる通り、H2ガスを燃焼させて、排気する処置は、以前行いました。

お礼日時:2020/10/21 12:44

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