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- 回答日時:
真性半導体なら禁制帯幅に相当するということでしょう.
不純物半導体なら,n型なら平均的なドナーレベルと伝導体の底の差にあたるということになりますかね.p型なら価電子帯の頂と平均的なアクセプターレベルか.
基本的に伝導度 σ は σ=neμ で表わされます.
μはキャリア移動度,e はキャリア電荷,n はキャリア密度です.
半導体の場合,n が n=n0×exp(-E/RT) の形で変化し,これが伝導の温度依存性の大半を支配します.その結果,伝導の活性化エネルギーは概ねキャリア密度の温度変化を示す Boltzmann 因子のなかの活性化エネルギーに相当します.あとはこの E が半導体のどういう事象と結びつけられるかという問題ですね.
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