FETとTRの相違点を教えてください。
そもそもTRって一体なんなんでしょう。

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A 回答 (2件)

FETもトランジスターの一種で電界効果トランジスター(フィールドエフェクトトランジスタ)のことです。

通常のトランジスターがベースに流れる電流によってエミッタ・コレクタ間の電流を制御するのに対して、FETではゲート(通常のトランジスタのベースに相当)にかける電圧でソース・ドレーン間の電流を制御する点が異なります。

トランジスタとはトランスとレジスターを組み合わせた造語で制御端子に流す電流によって抵抗値が変化する素子という意味でしょう。

代表的なFETにはチャンネル型とMOS型がありますが、最近ではMOS(メタルオキサイドセミコンダクター)が多用されているようです。通常のトランジスタと比べると制御端子のインピーダンスが極めて高く、オン抵抗値(ゲートに電圧を加えソース・ドレーン間を導通状態にしたときの抵抗値)が通常のトランジスタに比べて低くできることなどからスイッチング用には特に多用されています。
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いずれも半導体素子です。



半導体素子の中にユニファイド(単極)の素子とバイポーラ(双極)の素子、3極以上の素子があります。
単極の素子の代表的な物がFET、2極(双極)の代表的な物がバイポーラトランジスター、3極の代表的な物がサイリスターです。

広義ではTRはFETを含む半導体増幅素子を指しますが、狭義ではバイポーラトランジスターのみを指します
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QJ-FETとMOS-FETの違い

J-FETとMOS-FETの違いって何でしょうか?

同じ点なら見つかるのに違いが分かりません。
どなたか 教えてください。

Aベストアンサー

薄い皮膜=酸化膜のことです。

それから、ディプレッション、エンハンスメントの違いは
別の理由で生じます。
MOS-FETに於いて、ドレイン-ソース間に
もうひとつNチャネルを用意するとディプレッション
これをやらないとエンハンスメントになります。

また、接合型では普通はディプレッション特性となりますが
V-FETではエンハンメントの物がありました
(今はV型接合-FET自体が無い)

スイッチングはエンハンスメントのほうが都合が良く、
信号増幅(特に高周波)ではディプレッションの方が都合がよいので
こうしています。
ただし、D級、E級増幅に使われるパワーFETはエンハンスメントです。
動作がスイッチングなので。

Q半導体とLEDの類似点と相違点

半導体レーザとLEDとの類似点と相違点は何ですか?
pn接合、再結合 禁制帯 共振器 位相 の5つのキーワードを使って説明してください。

Aベストアンサー

半導体レーザとLEDはともに半導体のPN接合からなり、電流を注入すると正の電荷からなる正孔と、負の電荷からなる電子が再結合し、禁制帯(バンドギャップ)分の光エネルギーを放出します。

LEDは自然放出光なので光の位相は不ぞろいです。一方半導体レーザの場合、誘導放出なので光の位相が揃っています。また、半導体レーザは共振器内を往復しながら増幅させた光を取り出しているため、大きな光出力を得ることが可能です。

Q電動ガンのFETの発熱について

中華製の電動ガンを購入、自分で調整しています。
どうせならと思い、電動ガンをはじめてFET化をしました。
ですが、FET化をしたものの、バッテリー、FETの発熱が激しいため質問しました。

バッテリーはミニバッテリー(8.4V 1600mAh)を使ってます。
FETは発熱するものの、すぐに冷めてくれます(許容範囲内だから?)
配線ははんだ付けで通しています。

そこで本題ですが、FETの多少の発熱は普通なんでしょうか?
また、FETに釣られてバッテリーも発熱することはあるのでしょうか?

お願いします。

Aベストアンサー

回路図も無いので難しい質問ですが、状況から判断するとあきらかにおかしいですね。
機械接点や配線のロスをなくすためにFET化しているのに、そのFETから熱が出ている、
つまり電力が熱としてロスしているわけですね。本末転倒です。
バッテリーが発熱する原因は充電以外ですと過剰な消費電流しかありません。
ショートに近い状態になっているのではないかと思います。
回路を良く見直してみましょう。

Qラマン分光法と赤外分光法の相違点と共通点

タイトルのとおり、

ラマン分光法と赤外分光法の

共通点と相違点について、教えてください。

よろしくお願いいたします♪

Aベストアンサー

共通点:どっちも、分子内部の振動を見ます。結合の伸び縮みとかそういうの。
相違点:原理が全く違う。
赤外分光法:赤外光を当てて、その吸収を見る
ラマン分光法:光を当てると、通常の散乱(当てた光と出た光は同じ波長)の他に、強度は弱いが、波長がずれた光が出てくることがある。これがラマン散乱。強度を増すためにレーザーで励起する。

分子・振動の対称性によって、赤外は出ないけど、ラマンなら観察できる、とかいろいろあるが、そこらへんは勉強してください。

ラマンといえばこの研究室が思い浮かんでしまう・・・
細胞内部の生命過程をラマン分光法で見ています。
他にも、溶液中の分光学ではかなりいろいろやっている。

参考URL:http://utsc2.chem.s.u-tokyo.ac.jp/~struct/research/index.html

Q接合型FETについて

接合型FETについて

なぜ、MOSFETでは、分圧するのに、接合型FETは分圧しないのでしょうか?

Aベストアンサー

ANo.1,2 です。
>なぜ順方向に電圧をかけたらいけないんでしょうか?
接合型FETの場合、正のVgsを印可するとゲート電流が流れて素子を破壊してしまうのです。
接合型FETは構造的にデプレッション型となり、ゲートに電流を流さない逆バイアスで使用する素子なのです。

FETを理解しよう。 J-FET <図2-2> 参照
http://www.cqpub.co.jp/toragi/TRBN/trsample/2003/tr0304/0304sp2.pdf
 

Q重心ってそもそもなんですか?

質点系の問題を解いているのですが、その中で重心系という言葉が出てきます。参考書を読んでいるうちにわけが分からなくなってきました。重心とはそもそもなんなのでしょう?

Aベストアンサー

質点とは、物体の質量が1点(体積がゼロ)に集中している、という、現実の物体では存在し得ない概念です。

力学では、問題を簡単にするために、現実の物体を質点に近似する手法がよく用いられます。
(例えば、坂道を転がり落ちる球の速度の問題にしても、質点でなく球として問題を解こうとすると、初等力学を学ぶ方々にとっては、複雑すぎますので。)

そのとき、現実の物体の重心の場所に質点があるという仮定をしたりするわけです。


次に、重心とは何か?についてですが、
計算で求める方法は、教科書によく載っているでしょうが、下記には、直感的な理解が出来る例を説明しましょう。

1次元の物体(真っ直ぐな棒状)の場合は、棒の両端の間の中心が重心です。重心の下を指1本で支えれば、うまくいけば、どちらにも傾かずに静止させることができます。

2次元の物体(平たい板状)の場合は、やはり、その物体の下を指1本で釣り合わせることができます。

3次元については、上記のような説明はしにくいですが、まあ、同じようなイメージで直感的に理解してください。

QステッピングモーターのFET

下記URLの真ん中あたりにFETの追加とありますが、どのような理由でFETを追加したのか、なぜFETしかだめなのか、FETがないとどうなるか調べてもいまいち納得がいきません。


どなたかわかる方、ご教授よろしくおねがいします。また、わかりやすい資料があれば教えてください。

下記URL
http://homepage3.nifty.com/mitt/pic/pic5_19.html

Aベストアンサー

Q/どのような理由でFETを追加したのか
A/特にないはずです。

本当の理由はWEBの作成者に聞くべきでしょうが、推察は可能です。

まず、WEB上の’FETを追加’の部分ですが、おっしゃるとおり、スイッチで制御している限りにおいては、
FETは必要ではないです。スイッチで直接制御でも結果は変わらないです。
ここだけ取り出した回答であれば、理由は特にない、という回答になります。

一方、WEB上、次の項目を見れば、’PICで制御’とあります。
PICからはモーターをドライブできるような電力は制御できませんから、
FETは必須です。(ほかの素子でも無論可能ですが、確かにこういったFETを使えば
簡単です)
したがって、ここまでWEBを見た上で回答するなら、次の項目でPICで制御することが頭にあったから、
本来不要であるんだけれどもここ(FETの追加)のところで先に追加してしまった、ということであろうと
推察できます。

Qそもそも、クーロンeってなんですか?

素電荷eというのはそもそもなんなのでしょうか?
「クーロン」の概念を教えてください。
お願いします。

Aベストアンサー

これでどうでしょうか。。。
http://www.geocities.jp/hiroyuki0620785/k1dennki/denka.htm

参考URL:http://www.geocities.jp/hiroyuki0620785/k1dennki/denka.htm

Q直流モータ駆動時のMOS FET破壊について

図の回路を作成し、以下の操作をしました。回路作成後初回の操作となります。

①AC100Vの電源はOFFとしておく
②50kΩの抵抗を左回し。FETのG-S間を短絡しておく。
③AC100Vの電源をONにする。モーターは回らない。
④50kΩの抵抗をゆっくり右回し、FETのG-S間電圧を上昇させる。あるところでモーターが全速力で回りだした。
⑤50kΩの抵抗をゆっくり左回し、FETのG-S間電圧を下降させる。ところが、FETのG-S間が短絡されるまで回してもモーターは全速力で回り続けている。
⑥AC100Vの電源をOFFとする。モーター停止。
⑦FETに取り付けたヒートシンクを手で触る。発熱は無く、常温のまま。
⑧50kΩの抵抗が最も左回しの状態で、FETのG-S間が短絡されていることを確認。
⑨AC100Vの電源をONにする。再びモーターが全速力で回りだした。

上記はFETを破損した過程の記述となりますが、破損原因が分からなくて困っています。
FETの破損原因について、心当たりをお持ちの方はいらっしゃいませんでしょうか?

図の回路を作成し、以下の操作をしました。回路作成後初回の操作となります。

①AC100Vの電源はOFFとしておく
②50kΩの抵抗を左回し。FETのG-S間を短絡しておく。
③AC100Vの電源をONにする。モーターは回らない。
④50kΩの抵抗をゆっくり右回し、FETのG-S間電圧を上昇させる。あるところでモーターが全速力で回りだした。
⑤50kΩの抵抗をゆっくり左回し、FETのG-S間電圧を下降させる。ところが、FETのG-S間が短絡されるまで回してもモーターは全速力で回り続けている。
⑥AC100Vの電源をOFFとする。モーター停...続きを読む

Aベストアンサー

状況から推定してFETの D-S 間が短絡しているように思います。
一般にFETの D-S 間は大電流では断線し耐圧オーバーではショートするようです。このFETは耐圧は十分にあるようなので耐圧オーバーはちょっと考え難いように思います。
しかしドレインに負の電圧が加わったら・・・・モーターと並列のダイオードが断線していませんか?
FETにも D-S 間にダイオードがあるようですがこれも断線するとドレインに負の電圧が加わります。破壊原因になり得るように思います。

「安全動作領域」については検討しておられますか?
FETでもバイポーラでも電圧が掛った状態で流してもよい電流には時間の制限があります。
TK10Q60Wでは100Vの電圧が掛った状態で流し得る電流は10A、その継続時間は100μ秒以内です。
これを超えると内部のジャンクション部分が溶けて破壊します(外見的には熱くない)。
詳細はデバイスのデータシートを見てください。

スイッチング形態も気になります。
ゲート電圧をゼロからゆっくり上げていますね。モーターに電流が流れ始めた時はFETはスイッチング素子としての完全なONではなくアナログ的なON、つまり D-S 間にかなり大きな抵抗が残った状態になっているはずです。モーターは起動時には機械的には無負荷であっても大電流が流れますがこの起動電流のためにチップは高温になり溶けてしまいます。あまりにも短時間で高温になるため放熱器では吸収できません。

状況から推定してFETの D-S 間が短絡しているように思います。
一般にFETの D-S 間は大電流では断線し耐圧オーバーではショートするようです。このFETは耐圧は十分にあるようなので耐圧オーバーはちょっと考え難いように思います。
しかしドレインに負の電圧が加わったら・・・・モーターと並列のダイオードが断線していませんか?
FETにも D-S 間にダイオードがあるようですがこれも断線するとドレインに負の電圧が加わります。破壊原因になり得るように思います。

「安全動作領域」については検討しておられ...続きを読む

QMOS-FET?絶縁ゲート形FET?

MOS-FET=絶縁ゲート形FETと思っていいのでしょうか?

Aベストアンサー

こんばんは。
半導体関係の技術開発経験者です。

MOSは、Metal-Oxide-Semiconductor の略であることはご存知かと思います。
しかしながら、LSIのFETは、ゲートはメタルではなくシリコンです。
(シリコンとメタルの2層になっている場合が多いですが、絶縁膜に接するのはあくまでもシリコンです。)
それでも、MOSFETと呼ぶ習慣が根付いています。

また、絶縁体がOxide(SiO2)でない場合もあります。
ですから、MOSFETと書かずにMISFETと書く人もいます。
(I = Insulator )


というわけで、「MISFET」も含め、ケースバイケースで使い分けてください。
多くの場合、
MOSFET = 絶縁ゲート形FET
としてよいと思います。


以上、ご参考になりましたら。


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