FETとTRの相違点を教えてください。
そもそもTRって一体なんなんでしょう。

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A 回答 (2件)

FETもトランジスターの一種で電界効果トランジスター(フィールドエフェクトトランジスタ)のことです。

通常のトランジスターがベースに流れる電流によってエミッタ・コレクタ間の電流を制御するのに対して、FETではゲート(通常のトランジスタのベースに相当)にかける電圧でソース・ドレーン間の電流を制御する点が異なります。

トランジスタとはトランスとレジスターを組み合わせた造語で制御端子に流す電流によって抵抗値が変化する素子という意味でしょう。

代表的なFETにはチャンネル型とMOS型がありますが、最近ではMOS(メタルオキサイドセミコンダクター)が多用されているようです。通常のトランジスタと比べると制御端子のインピーダンスが極めて高く、オン抵抗値(ゲートに電圧を加えソース・ドレーン間を導通状態にしたときの抵抗値)が通常のトランジスタに比べて低くできることなどからスイッチング用には特に多用されています。
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いずれも半導体素子です。



半導体素子の中にユニファイド(単極)の素子とバイポーラ(双極)の素子、3極以上の素子があります。
単極の素子の代表的な物がFET、2極(双極)の代表的な物がバイポーラトランジスター、3極の代表的な物がサイリスターです。

広義ではTRはFETを含む半導体増幅素子を指しますが、狭義ではバイポーラトランジスターのみを指します
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QJ-FETとMOS-FETの違い

J-FETとMOS-FETの違いって何でしょうか?

同じ点なら見つかるのに違いが分かりません。
どなたか 教えてください。

Aベストアンサー

薄い皮膜=酸化膜のことです。

それから、ディプレッション、エンハンスメントの違いは
別の理由で生じます。
MOS-FETに於いて、ドレイン-ソース間に
もうひとつNチャネルを用意するとディプレッション
これをやらないとエンハンスメントになります。

また、接合型では普通はディプレッション特性となりますが
V-FETではエンハンメントの物がありました
(今はV型接合-FET自体が無い)

スイッチングはエンハンスメントのほうが都合が良く、
信号増幅(特に高周波)ではディプレッションの方が都合がよいので
こうしています。
ただし、D級、E級増幅に使われるパワーFETはエンハンスメントです。
動作がスイッチングなので。

Q半導体とLEDの類似点と相違点

半導体レーザとLEDとの類似点と相違点は何ですか?
pn接合、再結合 禁制帯 共振器 位相 の5つのキーワードを使って説明してください。

Aベストアンサー

半導体レーザとLEDはともに半導体のPN接合からなり、電流を注入すると正の電荷からなる正孔と、負の電荷からなる電子が再結合し、禁制帯(バンドギャップ)分の光エネルギーを放出します。

LEDは自然放出光なので光の位相は不ぞろいです。一方半導体レーザの場合、誘導放出なので光の位相が揃っています。また、半導体レーザは共振器内を往復しながら増幅させた光を取り出しているため、大きな光出力を得ることが可能です。

Qミラー効果の改善

差動増幅回路におけるミラー効果の改善のために、回路のカスコード化を行っています。回路はhttp://up.spawn.jp/file/up0199.bmpのように組んでやっています。Tr3,4のベース部分のパスコンは全体の利得が大きく下がってしまったので、取り除いて測定を行っています。図はエミッタ抵抗の代わりにに定電流源を組んだときのものですが、エミッタ抵抗は2.2kΩ、5.1kΩ、10kΩ、22kΩのものでも測定を行いました。Tr3,4と定電流源を動作させるためにR1~3で分圧しています。
エミッタ抵抗を2.2kΩ~10kΩの値で変化させたときで200k~500kHzの改善ができました。しかし、22kΩのときと、エミッタ抵抗の代わりに定電流源を入れた場合は、ほとんど周波数の改善は見られませんでした。落ち方は少し緩やかにはなっているのですが改善しているとはいえないと思います。
ミラー効果の改善にはこの回路にどのような工夫が必要なのでしょうか?

Aベストアンサー

全くのかん違いをしていました。

単に広帯域アンプを入手したいのではなく、ミラー効果の研究をやっているのですね。
カスコード回路の有無で大きな差異が認められないのは、多分信号源のインピーダンスが小さいためでしょう。
つまり、元々ミラー効果は殆ど影響していないのです。

ミラー効果はトランジスタの帰還容量(Cob)と、信号源のインピーダンスと、アンプの増幅率で形成される時定数によるものです。
従って、カスコード回路でアンプの増幅率をキャンセルしてCobの影響を小さくするか、信号源のインピーダンスを小さくするか、局部電流帰還でアンプの増幅率を下げれば、ミラー効果による影響は小さくなります。

こういう実験をやるには逆に盛大にミラー効果を出してやればよいのです。
例えばTr1、Tr2のコレクタ-エミッタ間に数十pFのキャパシタを接続して、信号源Vi1、Vi2に直列に100kΩ程度の抵抗を直列に接続してみてください。
おそらくカスコード回路の有無が大きく影響すると思います。
では頑張ってください。

Qラマン分光法と赤外分光法の相違点と共通点

タイトルのとおり、

ラマン分光法と赤外分光法の

共通点と相違点について、教えてください。

よろしくお願いいたします♪

Aベストアンサー

共通点:どっちも、分子内部の振動を見ます。結合の伸び縮みとかそういうの。
相違点:原理が全く違う。
赤外分光法:赤外光を当てて、その吸収を見る
ラマン分光法:光を当てると、通常の散乱(当てた光と出た光は同じ波長)の他に、強度は弱いが、波長がずれた光が出てくることがある。これがラマン散乱。強度を増すためにレーザーで励起する。

分子・振動の対称性によって、赤外は出ないけど、ラマンなら観察できる、とかいろいろあるが、そこらへんは勉強してください。

ラマンといえばこの研究室が思い浮かんでしまう・・・
細胞内部の生命過程をラマン分光法で見ています。
他にも、溶液中の分光学ではかなりいろいろやっている。

参考URL:http://utsc2.chem.s.u-tokyo.ac.jp/~struct/research/index.html

QSansAmp Para Driver DI と Bass Driver DI の違い

SansAmp Bass Driver DIを探していますが、SansAmp Para Driver DIというのにぶつかりました。色々な楽器に対応しているとのことですが、両者の違いについて教えてください。
Bass Driver を求めていた者には不適ということなのかどうか、知りたいのです。
ちなみに、Bass Driver も使ったことがないので、素人質問です。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

必ずしも正確ではない言い方なんですが…

あえて大げさな言い方をすれば…ですが、「SansAmp Para Driver DI」は、同社のヒット製品である「SansAmp Bass Driver DI」(当然ですがベース専用)と同じ操作性の「ギター版」を作りました…って感じですね。

メーカーのTech21では、同シリーズの中に既にギター用、アコギ用という位置づけのプリアンプ/アンプシミュレータ製品もあるんですが、ギター用でD.I.機能付きの製品として、「SansAmp Bass Driver DI」と同じような機能付きとして出した製品と見て、当たらずとも遠からずだと思います。

といって、私も「SansAmp Para Driver DI」にベース繋いで試した事はないので、ここは推測ですが、もともと「SansAmp Bass Driver DI」もプリアンプ部の各コントロールの効き幅が大きい製品で、ギタリストでも一部では好んで使っている人も居たという製品でしたから、この『コントロール効き幅の広さ』が反映されているなら、ベースでも使い物になると思います。
なので、まるっきりベースには不適ということは無いと思いますね。

だから、質問者の方がベースとギターの『両刀使い』の方なら、「SansAmp Para Driver DI」使ってみるのも有りじゃないかとは思いますが(ちょっと無責任ですが(^^ゞ)、質問者の方が少なくとも『本業はベース』の方なら、(私もベース専門なので、私の趣味として)「SansAmp Bass Driver DI」の入手にこだわられる事をお薦めしたいですね。
まぁ、なんだかんだいっても、ベース用は専用設計に限る…と、私は思っております。

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Q重心ってそもそもなんですか?

質点系の問題を解いているのですが、その中で重心系という言葉が出てきます。参考書を読んでいるうちにわけが分からなくなってきました。重心とはそもそもなんなのでしょう?

Aベストアンサー

質点とは、物体の質量が1点(体積がゼロ)に集中している、という、現実の物体では存在し得ない概念です。

力学では、問題を簡単にするために、現実の物体を質点に近似する手法がよく用いられます。
(例えば、坂道を転がり落ちる球の速度の問題にしても、質点でなく球として問題を解こうとすると、初等力学を学ぶ方々にとっては、複雑すぎますので。)

そのとき、現実の物体の重心の場所に質点があるという仮定をしたりするわけです。


次に、重心とは何か?についてですが、
計算で求める方法は、教科書によく載っているでしょうが、下記には、直感的な理解が出来る例を説明しましょう。

1次元の物体(真っ直ぐな棒状)の場合は、棒の両端の間の中心が重心です。重心の下を指1本で支えれば、うまくいけば、どちらにも傾かずに静止させることができます。

2次元の物体(平たい板状)の場合は、やはり、その物体の下を指1本で釣り合わせることができます。

3次元については、上記のような説明はしにくいですが、まあ、同じようなイメージで直感的に理解してください。

QNMOS-FET(エンハンスメント)

を使うときにソースとドレインを逆にしてもMOSの対称性から同じように思えるのですがどうでしょうか?
NPNトランジスタならばとてもできない話なので
疑わしいと思います。
実際はどうなのでしょうか?

Aベストアンサー

NMOS-FETは推察されたとおり、通常、ソースとドレインを交換しても同じ特性です。
通常、ソースとドレインは同じ形状で、製造も同時に作製されます。
したがって、単体でNMOS-FET作製した場合、
どちらがソースかドレインか区別がつきません。
電圧をかける時点でどちらか一方をソースに自分で勝手に決めることになります。

一方、NPNトランジスタは拡散で動作しますので、
同じN型でもエミッタとコレクタとで濃度が異なる必要があり、交換可能ではありません。
また通常、エミッタとコレクタとで構造が異なり、
エミッタとコレクタとは同時に作製しません。

上で通常とい言葉を多用したのは、
実際にはいろいろな製造方法が可能なので例外もあるためです。

Qそもそも、クーロンeってなんですか?

素電荷eというのはそもそもなんなのでしょうか?
「クーロン」の概念を教えてください。
お願いします。

Aベストアンサー

これでどうでしょうか。。。
http://www.geocities.jp/hiroyuki0620785/k1dennki/denka.htm

参考URL:http://www.geocities.jp/hiroyuki0620785/k1dennki/denka.htm

Qlifestyleの複数形?

5つの国→ 5 countries
5人の人→ 5 people

のような形で数をつけて書く場合、

5つのライフスタイルは
5 lifestyles
とsをつける方が自然でしょうか。
それとも
5 lifestyleでしょうか。

lifestylesってあまり見かけないので
不安になりました。

Aベストアンサー

lifestyles と言いますよ。ですので、5 lifestylesですが、10以下の数字の場合、five lifestyles と書くのが一般的です。

QMOS-FET?絶縁ゲート形FET?

MOS-FET=絶縁ゲート形FETと思っていいのでしょうか?

Aベストアンサー

こんばんは。
半導体関係の技術開発経験者です。

MOSは、Metal-Oxide-Semiconductor の略であることはご存知かと思います。
しかしながら、LSIのFETは、ゲートはメタルではなくシリコンです。
(シリコンとメタルの2層になっている場合が多いですが、絶縁膜に接するのはあくまでもシリコンです。)
それでも、MOSFETと呼ぶ習慣が根付いています。

また、絶縁体がOxide(SiO2)でない場合もあります。
ですから、MOSFETと書かずにMISFETと書く人もいます。
(I = Insulator )


というわけで、「MISFET」も含め、ケースバイケースで使い分けてください。
多くの場合、
MOSFET = 絶縁ゲート形FET
としてよいと思います。


以上、ご参考になりましたら。


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