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FETとTRの相違点を教えてください。
そもそもTRって一体なんなんでしょう。

A 回答 (2件)

いずれも半導体素子です。



半導体素子の中にユニファイド(単極)の素子とバイポーラ(双極)の素子、3極以上の素子があります。
単極の素子の代表的な物がFET、2極(双極)の代表的な物がバイポーラトランジスター、3極の代表的な物がサイリスターです。

広義ではTRはFETを含む半導体増幅素子を指しますが、狭義ではバイポーラトランジスターのみを指します
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FETもトランジスターの一種で電界効果トランジスター(フィールドエフェクトトランジスタ)のことです。

通常のトランジスターがベースに流れる電流によってエミッタ・コレクタ間の電流を制御するのに対して、FETではゲート(通常のトランジスタのベースに相当)にかける電圧でソース・ドレーン間の電流を制御する点が異なります。

トランジスタとはトランスとレジスターを組み合わせた造語で制御端子に流す電流によって抵抗値が変化する素子という意味でしょう。

代表的なFETにはチャンネル型とMOS型がありますが、最近ではMOS(メタルオキサイドセミコンダクター)が多用されているようです。通常のトランジスタと比べると制御端子のインピーダンスが極めて高く、オン抵抗値(ゲートに電圧を加えソース・ドレーン間を導通状態にしたときの抵抗値)が通常のトランジスタに比べて低くできることなどからスイッチング用には特に多用されています。
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