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MOSのエンハンスメント型とディプレッション型についてどのようなものなのかは理解したんですが、この二つの違いを生かしてどのように使われているのかが分かりませんでした。  どなたか簡単にでいいんで教えてください。よろしくお願いします。

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A 回答 (2件)

両者の基本的相違点は、ゲートソース間電圧 Vgs=0 のとき、エンハンスメント型がオフになるのに対して、デプレッション型はオンとなります。



従って、一つのゲート制御電位でオン・オフモードが相違するスイッチ回路を作ることができます。

更に、この基本的相違点を生かしますと、高絶縁のスイッチ、即ち、ゲートとチャネル間のリーク電流が極めて小さいスイッチ回路を作ることができます。

高絶縁回路を必要とする場合、回路そのものを他の回路から絶縁隔離する必要がありますが、高絶縁回路にスイッチが入ってくるとスイッチそのものやそれを装着するプリント基板等を絶縁隔離することが困難になります。

そこで、高絶縁を要する回路と他の回路を同電位にすることにより、リーク電流をゼロにする方法を採用します。
エンハンスメント型はオフのときに、デプレッション型はオンのときに、チャネルとゲート等他の回路間が高絶縁のスイッチ回路を実現することができます。
複数のスイッチ回路があるとき、それぞれのスイッチがオン・オフいずれで高絶縁が必要となるかによって、エンハンスメント型とデプレッション型を使い分け、リーク電流の極めて小さいスイッチ回路を実現することができます。
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CMOS以前はロジックゲート(インバータetc)はドライブ側をエンハンスメント型、負荷側をデプレッション型(ED-MOS)で使用していました。


もちろんエンハンスメント-エンハンスメント(EEMOS)でも構成できますが、EDMOSがいろんな面で有利です(動作点に注目して考えてみてください)。

最近のICでは、容量形成に用いているケースが多いのではないでしょうか。
EMOS容量は電圧依存性が大ですが、DMOS容量は小です。
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御指導宜しく御願いします。

Aベストアンサー

エンハンスメントは理解されているということですので、非常に簡単に言いますと、
エンハンスメントのnチャネルでは、ゲートに正電圧を加えて、P形領域に反転層(電子が集まって出きる通路)が出来ますよね?
ここの部分に最初からN形半導体で通路を作ってしまったものが、ディプレッション形です。
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Aベストアンサー

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QFETの電流特性

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よろしくお願いします。

Aベストアンサー

ゲート電極の電位は、電極が金属なので電極全体で一様です。つまりソース側でもドレイン側でも電位はVgです。
ソースドレイン方向で電位が変化するのはチャネル内です。
ソースドレイン間にはVdsという電圧が印可されますが、理想的にはこの電圧は全てチャネルにかかります。
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