MOSのエンハンスメント型とディプレッション型について

MOSのエンハンスメント型とディプレッション型についてどのようなものなのかは理解したんですが、この二つの違いを生かしてどのように使われているのかが分かりませんでした。　　どなたか簡単にでいいんで教えてください。よろしくお願いします。

No.1 ベストアンサー 回答者： BAA2 回答日時： 2002/06/13 20:48

両者の基本的相違点は、ゲートソース間電圧 Vgs=0 のとき、エンハンスメント型がオフになるのに対して、デプレッション型はオンとなります。

従って、一つのゲート制御電位でオン・オフモードが相違するスイッチ回路を作ることができます。

更に、この基本的相違点を生かしますと、高絶縁のスイッチ、即ち、ゲートとチャネル間のリーク電流が極めて小さいスイッチ回路を作ることができます。

高絶縁回路を必要とする場合、回路そのものを他の回路から絶縁隔離する必要がありますが、高絶縁回路にスイッチが入ってくるとスイッチそのものやそれを装着するプリント基板等を絶縁隔離することが困難になります。

そこで、高絶縁を要する回路と他の回路を同電位にすることにより、リーク電流をゼロにする方法を採用します。
エンハンスメント型はオフのときに、デプレッション型はオンのときに、チャネルとゲート等他の回路間が高絶縁のスイッチ回路を実現することができます。
複数のスイッチ回路があるとき、それぞれのスイッチがオン・オフいずれで高絶縁が必要となるかによって、エンハンスメント型とデプレッション型を使い分け、リーク電流の極めて小さいスイッチ回路を実現することができます。

No.2 回答者： saikoro 回答日時： 2002/06/13 21:40

CMOS以前はロジックゲート（インバータetc)はドライブ側をエンハンスメント型、負荷側をデプレッション型(ED-MOS）で使用していました。

もちろんエンハンスメント－エンハンスメント(EEMOS)でも構成できますが、EDMOSがいろんな面で有利です（動作点に注目して考えてみてください）。

最近のICでは、容量形成に用いているケースが多いのではないでしょうか。
EMOS容量は電圧依存性が大ですが、DMOS容量は小です。