MOS-FETの動作について

MOS-FETが飽和領域で動作するとき、厳密なドレイン電流値を見積もるにはチャネル長変調効果と基板バイアス効果を考慮しなければなりません。
それでは、MOS-FETが線形領域で動作するときはチャネル長変調効果は効いてくるのでしょうか？この場合、飽和領域の時と同じように、(1+λVds)が掛け合わせるだけなのでしょうか？λ：チャネル長変調係数、Vds：ドレイン-ソース間電圧とします。
（なお、基板バイアス効果は効きそうな気がします。）

No.1 ベストアンサー 回答者： miran_2006 回答日時： 2007/07/30 17:15

FETを直線領域ではあまり使わないと思いますが、所謂、安全動作領域の中で設計されるか、電流のサイクルからジャンクション温度を計算されるのが宜しいかと・・・

ただ、以前、直線領域での使用を考えた案件がありましたが、試作してみて一見良さそうだったのが、複合素子だったために、デバイス内の特定の素子に負荷が集中してコケたことがありました。
また、データシートでは能動領域での定義を明確にしていない場合が多いようですので、データシートもあまり当てにならないかもしれませんのでお気お付けを・・・
無理に能動領域で使わずPWMなどスイッチングで使用されることをお勧めします。

この回答へのお礼

どうもありがとうございます。
飽和領域でできるだけ使用すべきなわけですね。

お礼日時：2007/07/31 02:12

No.2 回答者： ysmz777 回答日時： 2007/08/07 22:31

チャネル長変調効果はピンチオフ点がドレインから遠ざかることに起因すると考えると、ピンチオフ電圧以下の線形領域ではチャネル長変調効果のようなふるまいは起こらなく、線形領域の式そのものでいいと思います。

より詳細なモデルですとなにかあるかもしれませんが・・・・