MOS構造の反転状態について、と半導体について。

　MOS構造の反転状態を決めるゲート電圧は基盤の不純物濃度には依存しないのでしょうか？
　半導体に光を当てると電流が流れるようになるが、これは光の波長には関係しないのでしょうか？

No.1 ベストアンサー 回答者： mmky 回答日時： 2002/10/13 23:14

(1)MOS構造の反転状態を決めるゲート電圧は基盤の不純物濃度には依存しないのでしょうか？

回答：MOS構造の反転状態を決めるゲート電圧は2つの条件で決まります。
1つ目は、金属と半導体間の酸化物層の厚み、2つ目は半導体の導電率
ということで電圧は基盤の不純物濃度に依存します。

(2)　半導体に光を当てると電流が流れるようになるが、これは光の波長には関係しないのでしょうか？
回答：関係します。
光のエネルギーEは,E=ｈf ここでｈはプランク定数、ｆは振動数です。振動数ｆ×波長λ＝光の速度C　ですからE＝Cｈ/λ　になります。光（光子）1個が半導体にあたりますと、半導体表面から電子が飛び出てきます、そのときの電子のエネルギーは、光子1個分のエネルギーE=ｈf　と同じです。ということで、結果的に電子の量は光の振動数ｆ＝C/λ　に比例します。
だから取り出される電流量は、波長に反比例するのです。
概略ですが

この回答へのお礼

分かりやすい回答でありがとうございます。次回もよろしくお願いします。

お礼日時：2002/10/14 13:53