半導体の電気抵抗の実験

半導体の電気抵抗の温度による変化を測定する実験をしました。
最小二乗法で精度まで考慮した最終結果を出したいのですが、全く計算があいません。
R=R'e^(Q/kT)―(1)
R:抵抗値(オーム)、T：温度(K)、R':高温極限での抵抗値(オーム)、Q:活性化エネルギー（J) 、k：ボルツマン定数=1.38x10^(-23)
測定結果
温度(度)―抵抗値(オーム)
１８―1041　
２３―842
２８―737
３３―635
３８―547
４３―472
４８―407
５３―349
５８―294
６３―240
６８―197
７３―159
７８―124

(1)の両辺の自然対数をとってln(R)=ln(R')+(Q/k)T^(-1)としてx=T^(-1),y=ln(R),a=ln(R'),b=Q/kとおいてy=a+bxというパラメータa,bを使ったy,xの関係にして計算したのですが、どうもありえない値が出ました。
何か間違いがあれば指摘していただきたいし、具体的なアドバイスがほしいです。よろしくお願いします。

No.1 回答者： kt1965 回答日時： 2009/04/22 14:36

温度は、セルシウス温度ですか？それとも絶対温度（ケルビン）ですか？

もしもセルシウス温度ならば、絶対温度（Ｋ=C-273.16）換算してください。

その辺りがよく分からないので、とりあえずこれだけにしておきます。

この回答へのお礼

回答ありがとうございます。
計算式のTは絶対温度なので、ちゃんと直したのですが…。
今も計算をやり直しています…。

お礼日時：2009/04/22 16:47