
No.2ベストアンサー
- 回答日時:
半導体電極側の電位を参照極に対して変えて,空間電荷層の微分容量を測定して,その電位依存性を Mott-Schottky 式に当てはめれば,外挿値としてフラットバンドポテンシャルは出ます.あくまでも,参照極に対しての値ですが.
> 溶液ー半導体間にどれくらいの電圧がかかっているのか
電位情報は,参照極に対する形でしか測定しませんし,そもそも Mott-Schottky 式は Vfb からのずれで記述されるので,これがなぜ出てくるのかがわかりませんが.
No.1
- 回答日時:
そのSchottky障壁があるときの空間電荷層容量の電位依存性から,
Mott-Schottky plot で求めるのが常道かと.
ただし,これが可能なのは,Helmhotz層容量に比べて空間電荷層容量が十分に小さいという近似が成り立つことと,表面電荷密度等が電位依存しないというが必要なので,ドープ濃度のあまり高くない半導体でないといろいろと面倒になるでしょう.
ありがとうございます。
ですから、「空間電荷層容量の電位依存性から」どうやって求めれば良いのかを教えて頂きたいのですが。
電位というのは半導体にコンタクトするための電極および参照電極間の電位で決まるわけですが、
(溶液ー半導体間ではなく金属ー半導体間の)Schottky障壁の抵抗値は半導体の種類やドープ量、コンタクトするための金属の種類によって異なるわけですから、
溶液ー半導体間にどれくらいの電圧がかかっているのかを見積もることは不可能ではないのでしょうか?
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