MOS-FETの利得の式にあるrDS

電界効果トランジスタMOS-FET(ｎチャンネル)の電圧利得Aｖを求める式にAv＝gm*rDS*RL/(rDS+RL)というのがあるようなのですが、gmは相互コンダクタンス、RLは負荷抵抗ですが、この式にあるrDSとはなんでしょうか？rDS=(∂VDS/∂ID)*VGSとあるのですが、下の写真のような静特性のグラフから次のように求めればいいのでしょうか？

・負荷線とVGS＝１Vの交点(動作点)でのrDS

　　この点に接線を引き、接線の傾きを求める。(この点での傾きを求める。)

　　rDS=接線の傾き*VGS(1V)

回答よろしくお願いします。

No.1 ベストアンサー 回答者： xpopo 回答日時： 2011/10/10 10:32

今日は、

　ｒDSはFETの出力抵抗です。静特性のグラフ（Ids－Vds特性）でゲート－ソース電圧一定
のカーブで動作点での傾き(∂VDS/∂ID)に相当します。等価回路でで表せば添付の図のように
負荷RLに並列になります。

　したがって、rDSは　rDS＝∂VDS/∂ID　で表せますが、質問者が書かれた式でVGSが掛け

られていますが、これは間違いでしょう。
求め方は、動作点（VDSとID）が分かればそのポイントでの傾きを読み取ります。ただし、
VGｓは掛けない。

この回答へのお礼

回答ありがとうございました！！ｒDSはFETの出力抵抗を示すんですね。あと、やはりVGｓは掛けないですよね。電圧利得の理論値と合わないのでおかしいな～と思っていたので助かりました！！

お礼日時：2011/10/15 20:47