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簡単な質問ですみません。
純バイアスと逆バイアスというものがあるようですが、どういった事でしょうか?

A 回答 (5件)

こんにちは。

何らかのPN接合についてのお話のようですね。

>電子の流れと電圧の流れが逆という事でしょうか?
電圧というのは流れるものではありません。
よく水圧に例えられますが、電流を流そうとする力(圧力)と思うとよろしいかもしれません。
力と逆向きには流れません。
ただ、気をつけないといけないのは、電流と電子流は逆向きだという事です。
電子流はマイナスからプラスへ流れます。
電流はプラスからマイナスへ流れます。

このやっかいな話の大元は、まだ電子が発見される前、電気現象そのものは沢山知られていました。
そこで電気が流れる方向を便宜的に決めてしまったのが電流で、実際に電子回路で主に扱う電子流は逆だったというのが判っても、いろいろな理論が出来上がったしまったので変える訳にはいかなかったという事です。
ただ、電荷を担うのが電子だけではなく、正の電荷を持つイオンやホール(正孔)の流れでは電流と同じになります。

以上をご理解の上で、いくつかのパターンがありますのでその説明を。

●電流を流すPN接合(ダイオード、トランジスタ)
判り易いように電子をキャリアとしてみると、バイアスが順方向なら、N型に電極から電子が注入されて電子密度が上がり、空乏層に電子が流れ込む方向です。
これによって空乏層に電子というキャリアが存在するので、空乏層が消失します。
逆方向では、N型のキャリアである電子が電極のプラス電荷に引かれて電極から離れた部分のキャリア密度が低くなり、空乏層が拡大します。

●電流を流さないPN接合(FET、ICのシリコン基板等)
ある程度大きな逆バイアスを与える事で、空乏層を作ると、そのバイアス電圧以内の信号の振幅電圧では順バイアスにはならず、その接合間には電気が流れません。
これを利用して、逆バイアス電圧で空乏層の幅を変化させて、反対側の半導体の電気が通れる領域(チャンネルといいます)の電気抵抗を変化させるのが電界効果トランジスタ(FET)です。

また、空乏層を絶縁物に見立てると、逆バイアス電圧の範囲内で使うなら、コンデンサーと同じ構造になります。
これが可変容量ダイオード(バリキャップ)。

もうひとつ、同じように逆バイアス電圧以内で使うなら、二つの半導体同士を直流的には絶縁する事ができます。
これを利用して、片方の半導体片の中にさらにいくつもの電極やPN接合を作り、基板としたものがPN接合基板というIC(集積回路)に用いられる仕掛けです。
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ある装置に入力を与えるとき、入力に一定の「げた」をはかすことがあります。

この「げた」をバイアスとも言います。「げた」の値が「正」のとき「順バイアス」、「負」のとき「逆バイアス」と言います。
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こんばんは



説明は下の方々の通りですので参考HPなどを
ちょっと専門的かも知れません・・・

参考URL:http://www.nanoelectronics.jp/kaitai/semiconduct …
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この回答へのお礼

有難う御座います。参考になりました。

お礼日時:2004/04/17 22:19

こんにちは。


分野が不詳なので、私が知ってる電気関係でお答えします。
トランジスタやダイオード、サイリスタ、IC、LSI・・・といった物を使う時、これらを作っている半導体という物質にはP型とN型があり、その組合せでトランジスタやダイオードが出来ているのですが、P型の方がN型に比べて電圧が高くなるようにしないと電流が流れません。
これを順方向といいます。
この順方向になって電流が流れるようにあらかじめ直流電圧をかけておく事を順バイアスと言います。
逆に電圧をかけておいて電流が流れないようにして使うのが逆バイアスです。

この回答への補足

説明有難う御座います。
ただ、自分は電子の流れは理解できる気がするのですが、電圧の事が全く理解できないんです。
電子の流れと電圧の流れが逆という事でしょうか?
P型の方が電圧が高くないと電流が流れないというのは、N型の方に電子を送り込んで、強制的に空乏層を突き抜けさせて、電子をP型に送り込むという事でしょうか?

補足日時:2004/04/17 22:13
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バイアスを電位差と考えたらどうでしょうか??たとえば,順バイアス時にダイオードはアノードからカソードへ電流が流れますよね!また、ダ

イオードはカソードからアノードへは電流は流れないので,そこへ逆バイアスを強制的にかければカソードのほうが電位が高くなるので電流は流れなくなりますよね!

この回答への補足

アノードというのはマイナス側の事でしょうか?
アノードからカソードへ電流が流れるという事は、マイナスからプラスへ電子が流れるという事でしょうか?
逆バイアスをかけるとプラスの方が電位が高くなるというのが良く分かりません…。

補足日時:2004/04/17 22:16
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Qダイオードの逆バイアスのときの電流について

ダイオードの逆バイアスのときの電流は、少数キャリアによる拡散電流、
によるものでしょうか、それともドリフト電流によるものでしょうか?

それと、その時の電流が逆方向飽和電流と考えていいのでしょうか?? 

いろいろネットで調べていますが、
説明の方法がたくさんあって、混乱している状態です。


よろしくおねがいします。

Aベストアンサー

>ダイオードの逆バイアスのときの電流は、少数キャリアによる拡散電流、
>によるものでしょうか、それともドリフト電流によるものでしょうか?
条件を限定するとその通り

>それと、その時の電流が逆方向飽和電流と考えていいのでしょうか?? 
条件を限定するとその通り


手元に資料ありませんので、以下記憶です。

低注入水準で逆バイアスのダイオードの電流は拡散電流と発生再結合電流の2つがあります。

今問題にしているのは
 Io(exp[qVa/kT]-1)
のようなので、これは拡散電流です。

近似では、p型で空乏層から十分離れた熱平衡の領域でのキャリア密度npo、空乏層端のキャリア密度npo・exp[qVa/kT]を境界条件として解くのだったと思います。

逆バイアスVaが十分大きく、exp[qVa/kT] << 1 の状態で流れる電流が逆方向飽和電流です(空乏層端のキャリア密度が0に近似できる状態)。

空乏層外のドリフト電流を無視できる理由は、少数キャリアに対し無視できないほどに電界があると、多数キャリアによるドリフト電流がとんでもないほど流れてしまうからだったような。

>ダイオードの逆バイアスのときの電流は、少数キャリアによる拡散電流、
>によるものでしょうか、それともドリフト電流によるものでしょうか?
条件を限定するとその通り

>それと、その時の電流が逆方向飽和電流と考えていいのでしょうか?? 
条件を限定するとその通り


手元に資料ありませんので、以下記憶です。

低注入水準で逆バイアスのダイオードの電流は拡散電流と発生再結合電流の2つがあります。

今問題にしているのは
 Io(exp[qVa/kT]-1)
のようなので、これは拡散電流です。

近...続きを読む

Qエクセルで計算すると2.43E-19などと表示される。Eとは何ですか?

よろしくお願いします。
エクセルの回帰分析をすると有意水準で2.43E-19などと表示されますが
Eとは何でしょうか?

また、回帰分析の数字の意味が良く分からないのですが、
皆さんは独学されましたか?それとも講座などをうけたのでしょうか?

回帰分析でR2(決定係数)しかみていないのですが
どうすれば回帰分析が分かるようになるのでしょうか?
本を読んだのですがいまいち難しくて分かりません。
教えてください。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

★回答
・最初に『回帰分析』をここで説明するのは少し大変なので『E』のみ説明します。
・回答者 No.1 ~ No.3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。
・『指数』って分かりますか?
・10→1.0E+1(1.0×10の1乗)→×10倍
・100→1.0E+2(1.0×10の2乗)→×100倍
・1000→1.0E+3(1.0×10の3乗)→×1000倍
・0.1→1.0E-1(1.0×1/10の1乗)→×1/10倍→÷10
・0.01→1.0E-2(1.0×1/10の2乗)→×1/100倍→÷100
・0.001→1.0E-3(1.0×1/10の3乗)→×1/1000倍→÷1000
・になります。ようするに 10 を n 乗すると元の数字になるための指数表記のことですよ。
・よって、『2.43E-19』とは?
 2.43×1/(10の19乗)で、
 2.43×1/10000000000000000000となり、
 2.43×0.0000000000000000001だから、
 0.000000000000000000243という数値を意味します。

補足:
・E+数値は 10、100、1000 という大きい数を表します。
・E-数値は 0.1、0.01、0.001 という小さい数を表します。
・数学では『2.43×10』の次に、小さい数字で上に『19』と表示します。→http://ja.wikipedia.org/wiki/%E6%8C%87%E6%95%B0%E8%A1%A8%E8%A8%98
・最後に『回帰分析』とは何?下の『参考URL』をどうぞ。→『数学』カテゴリで質問してみては?

参考URL:http://ja.wikipedia.org/wiki/%E5%9B%9E%E5%B8%B0%E5%88%86%E6%9E%90

★回答
・最初に『回帰分析』をここで説明するのは少し大変なので『E』のみ説明します。
・回答者 No.1 ~ No.3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。
・『指数』って分かりますか?
・10→1.0E+1(1.0×10の1乗)→×10倍
・100→1.0E+2(1.0×10の2乗)→×100倍
・1000→1.0E+3(1.0×10の3乗)→×1000倍
・0.1→1.0E-1(1.0×1/10の1乗)→×1/10倍→÷10
・0.01→1.0E-2(1.0×1/10の2乗)→×1/100倍→÷100
・0.001→1.0E-3(1.0×1/10の3乗)→×1/1000倍→÷1000
・になります。ようするに 10 を n 乗すると元の数字になるた...続きを読む

Qなぜpn接合に逆バイアスをかけても電流は流れない?

なぜpn接合に逆バイアスを印加しても電流は流れないのでしょうか?

まず私が理解しているpn接合の流れを書きます。

・ドナー不純物をドープされているn型半導体(キャリアとして動ける電子が多数存在)
・アクセプタ不純物をドープされているp型半導体(キャリアとして動ける正孔が多数存在)

両者を接合させると

(1)濃度勾配により、n→p向きに電子が、n←p向きに正孔が拡散していく。
(2)接合面近傍では電子と正孔の結合によりキャリアは消滅。空乏層ができていく。
(3)そして接合面近傍では、n型半導体がプラスに、p型半導体がマイナスに帯電していく。
(4)それによってできた電位差によって、拡散方向とは逆向きの力を受けて電子と正孔の移動は停止する。

ここに順バイアス(n側にマイナス、p側にプラス)をかけると、
n側で多数キャリアである電子は接合を横切ってp側へ移動していき、回路へと流出していく。
そしてその分、電子が回路からn型半導体に流入し、これが続くため、電流が流れる。

このようなストーリーだと理解しています。

しかし私が思うに、逆バイアス(n側にプラス、p側にマイナス)をかけたとしても、
n側で多数キャリアである電子はそのまま回路へ流出していく。
そしてその分、電子が回路からp型半導体に流入し、接合を横切ってn側へ移動していき、そのままやはり回路から流出する。

という事が起こるのではないでしょうか?

よく参考書等に書かれているのは、

(1)p型半導体はキャリアとしての電子が少ないので、n側へ流入してくる電子がない。このため電流は流れない。
(2)逆バイアスによってキャリアが両端に引き寄せられ、空乏層が広がるだけで電流は流れない。

と言った内容です。
しかし、私の疑問として

(1)p型半導体には確かにキャリア電子が少ないが、電子は回路から流入してくるから、それが流れるのではないか?
(2)意味は分かります。例えばp側に注目すると、正孔が電極側に集まっていきます。
 つまり価電子帯に充満している電子が少しずつ接合面に向けて移動しているということだと思います。
 しかし価電子帯の電子は自由に動けるキャリアではないので、そのままn側へ移動していって回路へと流出するわけではありません。
 しかし、この(2)の説明でも、(1)の疑問を解決できているとは思えません。


以上、長くなりましたが要約しますと、
逆バイアス時になぜ回路からp型半導体にキャリア電子が流入しないのか?
ということです。

どなたか、よろしくお願いします。

なぜpn接合に逆バイアスを印加しても電流は流れないのでしょうか?

まず私が理解しているpn接合の流れを書きます。

・ドナー不純物をドープされているn型半導体(キャリアとして動ける電子が多数存在)
・アクセプタ不純物をドープされているp型半導体(キャリアとして動ける正孔が多数存在)

両者を接合させると

(1)濃度勾配により、n→p向きに電子が、n←p向きに正孔が拡散していく。
(2)接合面近傍では電子と正孔の結合によりキャリアは消滅。空乏層ができていく。
(3)そして接合面近傍では、n型半導体がプラ...続きを読む

Aベストアンサー

今回の最初の疑問「[金属][p+][空乏層(p半導体の)]という構造になるため、電子は流入しない」に対する回答は、No.5回答と同じです。
第1に、自由電子はp領域に過渡的にしか存在できません。正孔が安定して居れる場所がp領域です。
第2に、p領域には電界が存在しないので、電子を動かす力が働きません。

第2の疑問ですが、例えば対面する2枚の金属を考えて下さい。
片側に(電子線を照射する等で)電子を溜めると、それに対抗するもう一方の金属表面に+電荷が誘起されます。
それはコンデンサーが充電された状態と見なせます。
このコンデンサーは(放電が進む間は)電池と同じ働きをします。
この場合、「電子を押し出したり」「電子を吸い取る」働きはどのように説明できますか?

物理学では、ファラデー以来、+電荷と-電荷の間には電界(あるいは電気力線)が存在して、その中に電荷を置くと力を及ぼすと解釈しています。
これは非常に単純で一般性の高い考え方であると思います。
この考えでは、電位は電界を距離について積分した値になります。

Qマイナスの電圧ってどういう事でしょうか?

申し訳ありません。
基礎中の基礎かもしれませんが、忘れているのか、悩んでます。
まず電流や電圧にマイナスなんてものはあるのでしょうか?-500Vとか-500Aとか・・・
これはどういう事を示しているのでしょうか?

事の発端は、あるメーカの電位治療器というものを見たのです。
-500Vの直流電源によってマイナスの電界を作り、その中に人間が入る事によって治療を行なう。(つまりマイナスイオン化する?)
マイナスの電圧?それによってマイナスの電界?
どういう事なんでしょう?
それにマイナスの電界が発生するとなんで治療になるんだ?
と疑問が山積みです・・・

せめてマイナス電圧だけでもいいので教えていただけませんか?

Aベストアンサー

電圧 という意味なら押す方向が逆になってるだけ。(電池が逆)

言っているのはマイナスの電荷では?(マイナス電子の集合)

Q電気・電子回路のバッファについて

電気回路にバッファというものがありますが、これはどのような働きをしているのですか?(74LS~ とか) 安定化のためにあるようですが…
詳しく教えて頂けませんでしょうか。

Aベストアンサー

バッファー(Buffer)は日本語に直訳すれば緩衝増幅器になります。緩衝増幅器は電流(波形)の増幅、電圧(波形)の増幅や整形、出力インピーダンス変換(高出力インピーダンスを低インピーダンスや整合インピーダンスに変換)のために挿入されます。回路1の出力を回路2の入力に接続する時、回路2を接続した影響が回路2に及ばなくしたり、出力波形の整形や出力インピーダンスを変換します。
ディジタル回路では出力用のバッファーでは
1)出力電流増幅、2)出力インピーダンスを下げる、3)論理レベル(1や0に対応する電圧)の電圧レベル調整・波形整形、が目的で
1)と2)はファンアウト増やす機能です。出力のタイプはオープンコレクター(オープンドレイン)、3ステート、単にファンアウトが大きいものがあります。
入力用バッファーでは、1)雑音や論理レベルが明確でないデジタル信号の波形整形(論理1と論理0の明確な信号に再生)、2)後続の回路の負荷(ファンイン)を減らして前置回路への影響を少なくする。
といった目的で使われ、主に入力電圧振幅に対して出力電圧にヒステリシス特性を持つシュミット回路が採用されています。

バッファー(Buffer)は日本語に直訳すれば緩衝増幅器になります。緩衝増幅器は電流(波形)の増幅、電圧(波形)の増幅や整形、出力インピーダンス変換(高出力インピーダンスを低インピーダンスや整合インピーダンスに変換)のために挿入されます。回路1の出力を回路2の入力に接続する時、回路2を接続した影響が回路2に及ばなくしたり、出力波形の整形や出力インピーダンスを変換します。
ディジタル回路では出力用のバッファーでは
1)出力電流増幅、2)出力インピーダンスを下げる、3)論理レベル(1...続きを読む

Q波長(nm)をエネルギー(ev)に変換する式は?

波長(nm)をエネルギー(ev)に変換する式を知っていたら是非とも教えて欲しいのですが。
どうぞよろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

No1 の回答の式より
 E = hc/λ[J]
   = hc/eλ[eV]
となります。
波長が nm 単位なら E = hc×10^9/eλ です。
あとは、
 h = 6.626*10^-34[J・s]
 e = 1.602*10^-19[C]
 c = 2.998*10^8[m/s]
などの値より、
 E≒1240/λ[eV]
となります。

>例えば540nmでは2.33eVになると論文には書いてあるのですが
>合っているのでしょうか?
λに 540[nm] を代入すると
 E = 1240/540 = 2.30[eV]
でちょっとずれてます。
式はあっているはずです。

QVccとVddの違い

トランジスタのバイアス電圧などでよくVccとかVddとかかかれているのをみます。
Vccのccとは何の略で、Vddのddとは何の略なのでしょうか?
また使い分け方を教えて下さい。

Aベストアンサー

cはコレクタ,dはドレインの略です.
Vcと表記すると該当のトランジスタ1個のコレクタ電圧を指しますよね.
Vccという表記は,それと明確に区別するために使われていると思います.
ccで,複数のトランジスタのコレクタを意味しているのでしょう.
つまり,ccは「コレクタ側電圧(電源)」,ddは「ドレイン側電圧(電源)」
と考えればよいでしょう.
ちなみに,Veeでエミッタ側のマイナス電源(NPNの場合)を表します.
それと,ccとかddとかは,大文字でCC,DDと表記することが決まっている
はすです.小文字の場合は「小信号」を意味するからです.
IEEEやJEDECで表記の規則が手に入るはずです.

Qカットオフ周波数とは何ですか?

ウィキペディアに以下のように書いてました。

遮断周波数(しゃだんしゅうはすう)またはカットオフ周波数(英: Cutoff frequency)とは、物理学や電気工学におけるシステム応答の限界であり、それを超えると入力されたエネルギーは減衰したり反射したりする。典型例として次のような定義がある。
電子回路の遮断周波数: その周波数を越えると(あるいは下回ると)回路の利得が通常値の 3 dB 低下する。
導波管で伝送可能な最低周波数(あるいは最大波長)。
遮断周波数は、プラズマ振動にもあり、場の量子論における繰り込みに関連した概念にも用いられる。


ですがよくわかりません。
わかりやすく言うとどういったことなのですか?

Aベストアンサー

>電子回路の遮断周波数: その周波数を越えると(あるいは下回ると)回路の利得が通常値の 3 dB 低下する。
>導波管で伝送可能な最低周波数(あるいは最大波長)。
>遮断周波数は、プラズマ振動にもあり、場の量子論における繰り込みに関連した概念にも用いられる。

簡単にいうと、一口に「カットオフ周波数」と言っても分野によって意味が違う。
電子回路屋が「カットオフ周波数」と言うときと、導波管の設計屋さんが「カットオフ周波数」と言うとき
言葉こそ同じ「カットオフ周波数」でも、意味は違うって事です。



電子回路の遮断周波数の場合
-3dB はエネルギー量にして1/2である事を意味します。
つまり、-3dBなるカットオフ周波数とは

「エネルギーの半分以上が通過するといえる」

「エネルギーの半分以上が遮断されるといえる」
の境目です。

>カットオフ周波数は影響がないと考える周波数のことでよろしいでしょうか?
いいえ
例えば高い周波数を通すフィルタがあるとして、カットオフ周波数が1000Hzの場合
1010Hzだと51%通過
1000Hzだと50%通過
990Hzだと49%通過
というようなものをイメージすると解り易いかも。

>電子回路の遮断周波数: その周波数を越えると(あるいは下回ると)回路の利得が通常値の 3 dB 低下する。
>導波管で伝送可能な最低周波数(あるいは最大波長)。
>遮断周波数は、プラズマ振動にもあり、場の量子論における繰り込みに関連した概念にも用いられる。

簡単にいうと、一口に「カットオフ周波数」と言っても分野によって意味が違う。
電子回路屋が「カットオフ周波数」と言うときと、導波管の設計屋さんが「カットオフ周波数」と言うとき
言葉こそ同じ「カットオフ周波数」でも、意味は違うって事です...続きを読む

Qダイオードの用途

ダイオードの用途について教えてください。ダイオードは何かは分かっていますがどのような使用用途なのか教えてください。
整流用のダイオードとツェナーダイオードについてお願いします。

Aベストアンサー

整流用ダイオードはダイオードの順方向特性を利用して、交流を直流(脈流)に変換するために使用します。一番身近な物としてはACアダプターなどで、これはトランスとダイオード、平滑用コンデンサーだけで構成されたものが多いでしょう。最近では小型化や大容量化のためにトランスを用いないスイッチング方式の物も増えていますが、これらの機器でも、交流を直流に変換するのにはやはりダイオードを使用しています。ダイオードとは素子の名称で、整流器と言う意味でレティファイヤーと呼ぶ場合もあります。一般にPN接合型シリコンダイオードが用いられ、形状としては素子を単独でパッケージした物、2つの素子をアノードコモンまたはカソードコモンの状態でパッケージした物、4本の素子をブリッジ構成に接続してパッケージした物などがあります。整流用に使用する場合は以下の点に留意する必要があります。耐電圧は十分な余裕(2~3倍程度)を取る、尖頭電流(誘導負荷や平滑用コンデンサーなど)に対して十分な余裕を持つこと、大電力での使用では放熱にも留意が必要です。また、商用電源程度の周波数であれば問題ないのですがスイッチング電源等で使用する場合は、動作速度が高速なショットキーバリア型やファストリカバリー型を使用しないと正常に動作しないばかりか、破壊にもつながります。

ツェナーダイオードは逆方向に電圧を掛けて使用します。用途としては定電圧電源の基準電圧や回路の入力保護などに用いられています。ツェナーダイオードに逆方向の電圧を印加していくと、ある電圧(ツェナー電圧)で急激に電流が流れ始めます。通常のダイオードでも逆方向に電圧を掛けていけば、ある電圧に達したところで一気に電流が流れ始め(なだれ現象)ますが、これはダイオードの破壊を意味します。ツェナーダイオードでは素子の破壊なしにこの現象が利用できる点が他のダイオードと異なります。
一番単純な使用法はツェナーダイオードと抵抗だけで構成された定電圧回路ですが、ごく少容量の回路以外ではまず使用されません。これはツェナー電圧を超えた分の電圧は全て抵抗とツェナーダイオードで消費されることになり、大電流を流すことが不可能であり、また、回路の効率も低いものになってしまいます。そこで、トランジスタなどの他の能動素子とあわせて使用し、ツェナーダイオード自体は基準電圧の発生用に使用するのが一般的です。実際の使用にあたっては、ツェナーダイオードでの消費電力(ツェナーダイオードに流れる電流×ツェナー電圧)に対して十分な余裕を見ること、余裕が少ないとツェナーダイオード自体の発熱で、電圧が変化してしまいます。通常供給されている(手に入る)物は3V~60V程度の範囲なので必要に応じて分圧回路と併用し必要な電圧得る。ゲートICなどの入力保護に用いる場合ICの電源電圧を超えない範囲でスレッシュホールド電圧に十分な余裕を取ることなどです。

ダイオードにはこの他にも定電流ダイオード(ある負荷に対しての電圧が変化しても電流を一定に保つ、充電器や回路保護などに使用)や、バリキャップ(ダイオードに逆方向の電圧を掛けたときにPN接合層に生じる空乏層の大きさが変わるのを利用しコンデンサとして利用、FM変調等に利用)、発光ダイオード、PINフォトダイオード(光リモコンなどでおなじみ)、GUNダイオード(衛星放送の検波用としてアンテナに組み込まれています)、ゲルマニュームダイオード(シリコンダイオードに比べ低い電圧での動作が可能、シリコンダイオードでは0.6V(機種により異なる)以下ではどちらの方向にも電流が流れない)、などが有ります。また、ダイアック(双方向のツェナーダイオード)は交流回路でトライアックと組み合わせて調光器などに、整流用のダイオードに制御端子を付けた(内部的にはPNPNなどの4層構造)SCR(シリコンコントロールレティファイヤ、シリコン制御整流器)などもダイオードとは呼びませんが、電力制御用の整流器として用いられます。

整流用ダイオードはダイオードの順方向特性を利用して、交流を直流(脈流)に変換するために使用します。一番身近な物としてはACアダプターなどで、これはトランスとダイオード、平滑用コンデンサーだけで構成されたものが多いでしょう。最近では小型化や大容量化のためにトランスを用いないスイッチング方式の物も増えていますが、これらの機器でも、交流を直流に変換するのにはやはりダイオードを使用しています。ダイオードとは素子の名称で、整流器と言う意味でレティファイヤーと呼ぶ場合もあります。一般...続きを読む

Q誘電率(ε)と誘電正接(Tanδ)について教えてください。

私は今現在、化学関係の会社に携わっているものですが、表題の誘電率(ε)と誘電正接(Tanδ)について、いまいち理解が出来ません。というか、ほとんどわかりません。この両方の値が、小さいほど良いと聞きますがこの根拠は、どこから出てくるのでしょうか?
また、その理論はどこからどうやって出されているのでしょうか?
もしよろしければその理論を、高校生でもわかる説明でお願いしたいのですが・・・。ご無理を言ってすみませんが宜しくお願いいたします。

Aベストアンサー

電気屋の見解では誘電率というのは「コンデンサとしての材料の好ましさ」
誘電正接とは「コンデンサにした場合の実質抵抗分比率」と認識しています。

εが大きいほど静電容量が大きいし、Tanδが小さいほど理想的な
コンデンサに近いということです。
よくコンデンサが突然パンクするのは、このTanδが大きくて
熱をもって内部の気体が外に破裂するためです。

伝送系の材料として見るなら、できるだけ容量成分は少ないほうがいい
(εが少ない=伝送時間遅れが少ない)し、Tanδが小さいほうがいい
はずです。


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