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IGZO-TFTを異なる温度で熱処理したときの、IGZO膜の組成分析をXPSで行っている論文を読んだのですが、「以下のXPSのグラフ(O 1s)のピークが高エネルギー方向に遷移しているのは、酸素空孔の増加を意味している」と書いてありました。

なぜこのようなことが言えるのでしょうか?ピークが高エネルギー方向へシフトするのは、電子密度が下がったときですよね?

「XPSグラフのピークのシフトについて」の質問画像

A 回答 (1件)

酸素空孔が増える→その分、相対的に系全体の電子密度は低下する→酸素のXPSピークが高エネルギーにシフト


という理解で良いかと思ったのですがどうでしょう?
酸素空孔が増える→残った酸素イオンは、まわりの金属イオンにより強くバインドされる→酸素のXPSピークは高エネルギーシフト
の方が分子科学的にはわかりやすいですが。
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この回答へのお礼

なるほど。とても分かりやすかったです!
ありがとうございました!!!

お礼日時:2014/10/29 00:48

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