半導体工学の問題について

半導体工学のNMOSトランジスタの問題について、
L=0.5μm,W=5μmのNMOSトランジスタが,しきい値電圧VTHN=1Ｖ,利得係数βN=0.6 [mA/V^2]であった場合，以下の問いに答えなさい．
(i)VGS=3V，2Vの時の飽和ドレイン電圧VDSATをそれぞれ求めなさい
・VGS=3Vの時
VDSAT = 2[V]
・VGS=2Vの時
VDSAT = 1[V]

(ii)以下の電圧条件でのドレイン電流IDSをそれぞれ求めなさい
・VGS=3V、VDS=1Vの時
IDS =0.9[ mA ]
・VGS=3V、VDS=3Vの時
IDS =1.2[ mA ]
と言う問題で、なぜこのような値になるのでしょうか？
解答に途中式が無かったので質問させていただきました。
回答お願いします。

No.2 回答者： yucco_chan 回答日時： 2021/10/25 16:06

MOS Trの基本特性式から導けます。

スレ主さんが学生なら教科書に記載されています。

その基本特性の解説です。
https://www.comp.tmu.ac.jp/virtue001/junior/semi …

この回答へのお礼

先ほど自分でやってみたところ出来ました。
ありがとうございます。

お礼日時：2021/10/25 16:57

No.1 回答者： SCALP-EG 回答日時： 2021/10/25 13:11

質問のとおりです。

私は夜の生活が大好きですが、彼はがんばってくれていますが、疲れ果てないか心配です。
どうしても射精したいらしくて、最後までいかないと、終わってくれません。

５０代同士で回数的には多いですか？
減らしたほうがよいでしょうか？

また、私たちより多いかた（相手が若いなどの特殊事情を除く）で、何か工夫していること（Ｈの頻度以外で、食べ物や健康に関わることなど）があれば、教えてください。