
エミッタ接地増幅回路
電流利得Ai=30倍、低生遮断周波数fL=300Hz、負荷抵抗RL=600Ωにおける無ひずみ最大対象振幅Vp-p=5V
(1)動作点を求めよ。
ただし、使用するトランジスタはhfe=120、rbb'=100Ω、hoe=hre=0、Cb'e=500pF、Cb'c=5pFのパラメータを持つとする。またVcc=12V、信号源の内部抵抗Rs=600Ωとする。
一般に増幅器ではRE=kRCが用いられる。
k=0.1
要件は必要条件です。例えばAiは少なくとも30倍欲しいと言う意味
写真の下から2行目
Q点はVCEQ=3.2V、ICQ=8mA
と書いてあるのですが、どうやって求めたのか教えていただきたいです。
VCEQは3Vではないのですか

No.1ベストアンサー
- 回答日時:
解説の真ん中あたり、
「余裕をみて、VCEQ=3V とすると、」とあります。この電圧ならうまく行くだろうと予想し、3Vに決めて以降の計算をしています。
式の一番下で RC を計算しています。
RC=(1200-600K)/(1+K) の式で、K=0.1 とすると、
RC=1036Ω が求まります。
また RE=RC×K=103.6Ω です。
実際にこの回路を製作するとなると1036Ω、103.6Ω はほぼ入手不可能なので近い値、1KΩ、100Ωを使うことになります。
この値で再計算すると、
コレクタ電圧は 12V - 8mA × 1KΩ = 4V(GNDから見た電圧)
エミッタ電圧は 8mA × 100Ω = 0.8V
よって、コレクタ・エミッタ間の電圧(VCEQ)は 3.2V となります。
No.2
- 回答日時:
> ICQは(Vcc-VCEQ)/(RC+RE)より、9/1139≒0.008A=8mAですか?
RC、REは実際に使用する値で計算すべきでしょうね。
計算値では ICQ = 9V / ( 1KΩ + 100Ω ) = 8.18mA となります。
実際にはベースバイアスの抵抗(R1、R2)は設計通りの値のものが入手できないでしょうから入手できる値で補正計算せねばなりません。その結果VCEQが変動して出力電圧の 5Vp-p が確保できないかもしれません。そうなったらVCEQを変更して再設計することになります。
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