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No.4ベストアンサー
- 回答日時:
A2、お礼欄への書き込みを拝見しました。
高周波であれば、stray capacity(浮遊容量)などを考えるのですが、1kHz程度であればデバイスの特性以外考えられないですね。
(1kHzは遮断周波数だとして)、もし10kHzくらいから下がり始めるのであれば、GBW 100kHzくらいのデバイスではないでしょうか?
直流特性重視のオペアンプであれば、この程度のものはざらにありますので・・・。
とにかく、デバイスや回路の情報がなければ手も足も出ません。
回答ありがとうございます。
GBWはどうやら100kHzのようです。
GBWとは記述されてないし、まだ習ってないので全然気づきませんでした^^;
No.2
- 回答日時:
んんん???
A1さんのご回答の意味を取り違えていませんか?
増幅素子(回路素子を含む)には高域特性がある(高域でf特が落ちる可能性がある)ということを、A1さんは言っておられると思うのですが・・・違いますか?
使用したデバイスの高域特性はどうですか?
GWが100MHzで回路利得が40dBなら帯域幅は1MHzになりますけど・・・。
(アクティブフィルタはゲインが確保されて初めて成立するものです)
学生実験でやったんですけど、フィルタの詳しい情報などは記載されてなくて・・・
分かってるのはf=1kHzとA=10倍だけなんです。
何分、授業でやってるよりも先の内容を実験でやってるので、全然わからなくて^^;
No.1
- 回答日時:
理論計算では理想的な部品(アンプ、抵抗、コンデンサなど)を想定しているかと思います。
さて、実際に使っている部品は、こういう理想的な特性をもっているでしょうか?
なにか(特に今問題としている周波数の高いところで)理想からずれてるものはありませんか?
回答ありがとうございます。
機器は、永遠に理想的な値を出すとは考えられないですよね~
熱などの影響も受けるでしょうし。
アンプもずっと周波数を通し続けるとは考えにくいので
もしかしたら精度みたいな物があるんじゃないかと考えています。
そのあたりをもうちょっと調べてみようと思います。
ありがとうございました。
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