
No.5ベストアンサー
- 回答日時:
シミュレーションでは壊れないのでゲートを0と150 Vで振れば動きますが、p-chとn-chのゲートを接続しているので実際にやったらMOSFETは破壊されます。
Gを0 Vにしたとしましょうか。p-chのVgsは-150 Vになるので壊れます。Gを150 Vにするとn-chのVgsが150 Vになるので壊れます。MOSFETを1つずつ制御してください。たとえば画像のようにすれば測定点の電圧は0 Vになります。反対に電圧を左から140 V, 0 V, 10 V, 150 Vとすると電圧は150 Vになります。それを交互にパルスで与えれば電圧は出力されます。使っているMOSFETはLTSPICEにあるものを適当に選んだだけなので自分で適切なものを選んでください。Vgsもデータシートを見て決めてください。
電圧が出ても意味不明な10 uFと10 kΩのために電流は振動します。

ありがとうございます。
デッドタイムを設けた4個のゲート信号を入れたら動作できました。
コンプリメンタリのトランジスタを使ったプッシュプル回路で見るように同じ制御信号で行けるのかと思っていたのですが,デッドタイムがいるのですか?
No.6
- 回答日時:
>p-chとn-chのゲートを接続しているので実際にやったらMOSFETは破壊されます。
xs200さん、よくこの不鮮明な画像からラベルの文字を読めましたね。
ラベルの文字が同じっぽいかな〜〜。と思いつつも、まさかゲートに150Vかけたりしないだろう。きっとどこか1文字違っているはずだと信じて、そこは突っ込みませんでした。
ただ、ゲート駆動に問題があるのだろうとは思っていましたが。
No.4
- 回答日時:
まず、画像が見えません。
添付画像は長い方の辺が500ピクセルに圧縮されます。これを考慮した画像を作成してください。
↓ 500ピクセルの注意書き
https://help.goo.ne.jp/help/article/2668/
148/150Vとはどういう意味ですか? この時負荷はありますか? 周波数は? 画像が見えないのでわかりません。
ドライブ回路はどうなっているのでしょう? MOSの駆動はバイポーラより面倒です。
nMOSのゲートに加える信号電圧は一般にONが+5V以上、OFFが+2V以下、ゲートの耐電圧が±20V程度となっているはずです。これを厳重に守らないとOF/OFFできません。これ、案外に難しいですよ。オマケに本件ではp側とn側で150Vの電位差がありますね。昔はフォトカプラやパルストランスを使って絶縁しましたがドライブ用のICを使っているのですか?
No.3
- 回答日時:
まず、画像ですが、ここでは大きな画像は500✕500ピクセル以下に縮小されてしまうのでこのような大きな範囲の画像では文字も何も見えません。
補足1回に1枚の画像を貼れるので、回路図の必要箇所だけ切り取ったりとか、500✕500サイズでも見えるように工夫して下さい。
あと、情報が圧倒的に足りません。
それぞれのFETゲート駆動はどんな信号を入れたんですか?
出力が148V/150V方形波と書かれているのは負荷の印加電圧ということでいいですか?
それぞれの出力端子の、GND基準の電圧はどうなっていますか?
PchMOSFETがOFFしてないような気がしますが、情報が少なすぎて何とも言えません。
PchMOSFETを使ったことが無いとのことですが、PchMOSFETを駆動するのに、ゲートにはどんな電圧をかけれはいいのかはご存知なのですよね?
そのぐらいの情報は、知らなくても、その気になれば簡単に調べられるはずですので。
No.2
- 回答日時:
上手く電圧が出力されないとは、シミュレーション上で出力されていないということですか?
それともシミュレーションでは出力されているのに、実機テストで出力されないということ?
示されている波形も、それが意図した波形なのか意図してない波形なのかも分からないですし、この質問内容では何も分かりません。
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