ものすごく初歩的なことなのですが、
入力電圧と出力電圧が分かればそれより電圧増幅度はわかりますが。
一段階増幅回路図より理論的には
|Rc(コレクタ抵抗)/RL(エミッタ抵抗)|
で、でるとおもうのですが、
この電圧増幅度の計算はエミッタ側にバイパスコンデンサーを入れて負帰還がかからないようにしたときでも成立するのでしょうか?
実際に電圧計で入力電圧、出力電圧を測り、増幅度を
測ったら43.5dB(入力1mV,出力150mV)となり、
上の式を使うとRc=2k,Re=1kΩで6dBとなって
まったくおかしくなります・・・
根本的に理解がまちがってりのでしょうか・・
A 回答 (4件)
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No.4
- 回答日時:
トランジスタの小信号等価回路は勉強されていますか?
そもそもエミッタに抵抗を入れると交流信号に対して負帰還がかかり結果として -Rc/Re という電圧増幅率になります。コンデンサを接続すると電圧増幅率が150倍になることから コレクタ電流は 2mA 程度流れていると思われます。また コンデンサを外した時の 電圧増幅率が -Rc/Re となるのは 負荷抵抗がRcより非常に大きい場合です(例えば1MΩ とか)。
もし 負荷抵抗が 10kΩというように小さい場合 電圧増幅率は -(Rc//RL)/Re となり 約4.4dBとなります。
参考URL:http://www2.tba.t-com.ne.jp/pcambi/memo.htm
No.3
- 回答日時:
>> 実際に電圧計で入力電圧、出力電圧を測り、増幅度を測ったら43.5dB(入力1mV,出力150mV)となり、上式の計算ではRc=2k,Re=1kΩゆえ6dBとなって <<
よろしかったら少し状況を教えてください。
(1) トランジスタの品名
(2) 電源電圧
コレクタ負荷抵抗の値
エミッタバイアス抵抗の値
エミッタバイパスキャパシタの値
(3) ベースのバイアス回路がどうなってるか、言葉でお願いします。例えば「バイアス設定抵抗は、グランド側に何Ω、電源側に何Ω。信号発生器とは何μファラドのキャパシタで接続、バイアス設定抵抗とベースの間に直列に抵抗があるか。」
(4) 測定器は具体的に何ですか?交流電圧計とか具体的に。
ベースに直に触れて測定したのですか?具体的に。 要するに 1mV がベースそのものでの振幅なのかです。
(5) 信号の周波数。
No.2
- 回答日時:
エミッタバイパスコンデンサを入れたときは、式が異なります。
【バイパスなし】
Av=-Rc/(r+RE)
r=26/Ic[mA]
入力抵抗Ri=hFE(r+RE)
ここで、r≪REのとき、
出題者さんの式、Av=-Rc/RE となります。
しかし、
【バイパスあり】
RE=0となるので、
Av=-Rc/r
Ri=hFE・r
となります。
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