外出自粛中でも楽しく過ごす!QAまとめ>>

アンテナ効果によるゲート破壊について教えていただきたいのです。

3層メタル配線のCMOSプロセスなのですが
・最下層の配線が長くアンテナになっている可能性あり
・その配線から中間層配線→最下層配線→トランジスタのゲートに接続
・よって最下層配線がアンテナにとすれば中間配線層ができてから
・中間層配線から上の工程(最上層配線へのコンタクト工程など)
 の途中で、絶縁層の下にある最下層配線に電界を生じさせ、アンテナ
 破壊を引き起こす可能性があるか

詳しいプロセスは書けないのですが、一般的にこの条件でアンテナ破壊
が起こる可能性はあるでしょうか?

このQ&Aに関連する最新のQ&A

A 回答 (2件)

No1にて マイナスイオン→プラスイオン に訂正です。


メタルEtchの際、マイナスイオンにてレジストが
マイナス帯電するため、配線層側壁からはプラスイオンが入り込みます。
    • good
    • 0
この回答へのお礼

hillton様
早速ご丁寧かつ的確なご回答いただきありがとうございました。
大変助かりました。
参考にさせていただきます。
本当にありがとうございました。

お礼日時:2006/12/08 18:35

Plasma etch/Depの際の電荷蓄積による静電破壊が主だと思いますが、


このときアンテナとして働くには、そのアンテナが最上層になければ
ならないはずです。そして多くがマイナスイオンが配線層の側壁から
入り込んで接続されてるゲート膜を挟んで高ポテンシャルになることによ
り破壊を引き起こすとされてます。従って、いくら長いアンテナでも
絶縁層で覆われてしまえばアンテナとしては働かないと思います。
可能性はゼロかと言われれば返答は難しいですが、今までそんな実例
や文献を見た事が有りません。
最下層配線へのコンタク形成の際にもしチャージするとするなら、
そのコンタクト加工条件は相当強烈なものである必要があると思います。
もしそうであれば、静電破壊が起こる前にレジストがもたないと思います。
    • good
    • 0

このQ&Aに関連する人気のQ&A

お探しのQ&Aが見つからない時は、教えて!gooで質問しましょう!

このQ&Aを見た人はこんなQ&Aも見ています

このQ&Aを見た人が検索しているワード

このQ&Aと関連する良く見られている質問

Qエクセル STDEVとSTDEVPの違い

エクセルの統計関数で標準偏差を求める時、STDEVとSTDEVPがあります。両者の違いが良くわかりません。
宜しかったら、恐縮ですが、以下の具体例で、『噛み砕いて』教えて下さい。
(例)
セルA1~A13に1~13の数字を入力、平均値=7、STDEVでは3.89444、STDEVPでは3.741657となります。
また、平均値7と各数字の差を取り、それを2乗し、総和を取る(182)、これをデータの個数13で割る(14)、この平方根を取ると3.741657となります。
では、STDEVとSTDEVPの違いは何なのでしょうか?統計のことは疎く、お手数ですが、サルにもわかるようご教授頂きたく、お願い致します。

Aベストアンサー

データが母集団そのものからとったか、標本データかで違います。また母集団そのものだったとしても(例えばクラス全員というような)、その背景にさらならる母集団(例えば学年全体)を想定して比較するような時もありますので、その場合は標本となります。
で標本データの時はSTDEVを使って、母集団の時はSTDEVPをつかうことになります。
公式の違いは分母がn-1(STDEV)かn(STDEVP)かの違いしかありません。まぁ感覚的に理解するなら、分母がn-1になるということはそれだけ結果が大きくなるわけで、つまりそれだけのりしろを多くもって推測に当たるというようなことになります。
AとBの違いがあるかないかという推測をする時、通常は標本同士の検証になるわけですので、偏差を余裕をもってわざとちょっと大きめに見るということで、それだけ確証の度合いを上げるというわけです。

QなぜSiプロセスではポリシリコンゲートを用いるのか

Siプロセスに関しての質問です。

現在のSi集積回路では、ゲートにポリシリコンを利用して
いるようですが、将来的にはメタルゲートが有望のようです。
そこで質問なのですが、なぜポリシリコンをゲートに用いるのでしょうか?
半導体の教科書でMIS構造を勉強するときには、当然ゲートはメタルです。
なぜSiプロセスでは、ポリシリコンが登場しているのでしょう。
プロセスが大幅に簡単になる、コスト削減、といった理由でしょうか?

ご教授いただけると幸いです。
どうぞ宜しくお願いします。

Aベストアンサー

ゲートを形成した後にも熱をかけたり酸化したりするプロセスがあるからです。ポリシリコンはこれらの後処理に対して金属と比較すると一般に安定なので、後処理に対する制約が少ないのです。 

ただし、ポリシリコンの弱点は比抵抗が高い事で、この弱点を克服するために高融点金属とのシリサイドが使われるようになりました。さらには高融点金属をそのまま使う事ができれば抵抗は下がりますが、この場合は後工程の処理に特別な配慮が必要です。

Qsedの置換文字に変数を使用したいのですが・・・

あるファイルの特定の文字を変換し、上書きをする処理を行いたいのですが、sedの置換文字に変数が渡せなくて困っています。

例:
X="a"
Y="b"
echo test.txt | sed 's/${X}/${Y/g}' >test.txt

sedでは置換文字に${X}といった変数を使用することはできないのでしょうか?

Aベストアンサー

' ・・・' で囲まれた中の$はそのままドルマークです。変数展開をするなら、'・・・'で囲んではいけません。

何も囲まないか、"・・・"で囲むかです。

Q±4σに入る確率について教えてください

ウィキペディアの検索より、
確率変数XがN( μ, σ2)に従う時、平均 μ からのずれがσ以下の範囲にXが含まれる確率は68.26%、2σ以下だと95.44%、さらに3σだと99.74%となる。
と分かりました。

そこで
4σ、


の場合確率はどうなるか教えてください。
よろしくお願い致します。

Aベストアンサー

Excel で NORMDIST を使い、平均 50、標準偏差 10 (いわゆる偏差値)で計算してみましたら、次のようになりました。

 σ 0.682689492137086
2σ 0.954499736103641
3σ 0.997300203936740
4σ 0.999936657516326
5σ 0.999999426696856
6σ 0.999999998026825
7σ 0.999999999997440
8σ 0.999999999999999
9σ 1.000000000000000

Excelの関数の精度がどの程度のものか分かりませんが、9σで100%になりました。

QRail-To-Rail OpAmpって何ですか?

表題のとおりです。
Rail-To-Rail OpAmpの機能、特徴、できればブロック図のようなものでもいいので、回路図を教えてください。
宜しくお願いします、識者の方!

Aベストアンサー

補足です.

>本当は内部回路の略図のようなもの(機能単位でまとめられた回路の概略図)があれば見てみたかったのですが。
前回の回答を書いた時は,「リニア・テクノロジー」と「マキシム」「モトローラ」しか気にしてなかったのですが,「アナデバ」(Analog Devices)のデータシートに内部回路図が出ていました.下記URLのpdfファイルを参照してください(うれしいことに日本語です :-)).
回路の細かい動作についても記述されています.
#私はデータシートを教科書がわりにしています(中途半端な解説書よりわかりやすかったりするもので・・・ *^_^*).

参考URL:http://www.analog.co.jp/product/datasheets/OP184_OP284_OP484.pdf

Q「消費電力」と「消費電流」について

電気機器で「消費電力(W)」もしくは「消費電流(A)」といった
表記がありますが、
(消費電力W)=(電圧V)×(消費電流A)
の式にあてはまるのでしょうか?

例えば100V電源で使用する機器の「消費電力(W)」が300Wなら、
「消費電流(A)」は3Aということになるのでしょうか?

また上記の場合、-48V電源なら「消費電流(A)」は
どの様に計算するのでしょうか?

お分かりになられる方がいらっしゃいましたら、
何卒よろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

交流の消費電力は
P=VIcosθ
です。

θはVを基準としたIの遅れです。このcosθは力率と言われるものです。
VIは皮相電力で単位はVA(ボルトアンペア)です。VIcosθは有効電力、VIsinθは無効電力です。単位はともに、W(ワット)です。

コンデンサーに交流を流すと、電流の位相は電圧Vよりπ/2遅れるので、θ=π/2ですからcosθ=cos(π/2)=0となり、電力は消費されません。

インダクタンス(コイル)に交流を流すと、電流はπ/2進むので、θ=ーπ/2ですから、矢張り、電力は消費されません。

抵抗だけの時はθ=0ですので、cosθ=1となり、消費電力はP=VIとなりません。

一般に、電器機器には抵抗、コンデンサー、コイルが複雑に絡んでいますので、cosθ=1ではありません。
したがって、交流の場合、消費電力は
P=VI
とはなりません。
以上。

Q基板バイアス効果でのしきい値について

MOS構造で基板にバイアスをかけると単純にしきい値が下がると
思うのですが、教科書では式から見て上がると書いています。

例えば、ゲートに5Vかけていたとして、それがしきい値だとします。
(P型半導体で考えます)
基板に-1Vかければそのぶん酸化膜-半導体表面の電荷が増え、
ゲート電圧を4Vかければ反転し、しきい値電圧は低くてすむと思います。

この例えはどこかおかしいのでしょか?
なにか根本的なことを間違えているのでしょうか?
どなたか教えてください、お願いします。

Aベストアンサー

> 反転領域の電荷が減り、反転がとける?
MOSダイオードの場合、反転層の電子は基板から湧き出るイメージでいいかもしれませんが(正確さには欠けるかも)、MOSトランジスタの場合、反転層の電子はソースから供給されます。だからゲート/絶縁膜/半導体のみを考えてはだめです。

> なぜ基板バイアスを印加すると電子が流入しにくくなるのでしょうか?
文章では説明は難しいのですが、
ソースと反転層の堺(電子の供給点)をSとして、ソース(n型)/S/基板(p型)の電位を計算してみてください(空乏層は二つの2次関数、ソースはフラット)。
次にゲート/絶縁膜/S/半導体の電位を計算してみてください(空乏層は一つの2次関数、絶縁膜は1次関数)。
このグラフを重ねるとソース/基板のバイアスが深いほど、ゲート電圧を大きくしないと電子が流入しないことが理解できると思うのですが...(わかりにくいですよね。うまく説明できなくてごめんなさい)

Qオーミック接触とは?

間の抜けた質問のようで申し訳ないのですが、オーミック接触ってどんな時に重要なのでしょうか?
整流性の無い金属-半導体接触だというのは分かったのですがそれ以上のことを書いてあるサイトが見つけられませんでした。
どうか詳しい方、ご教授下さい。よろしくお願いします。

Aベストアンサー

半導体と金属を接触(接合)させ、ある処理をするとジャンクション特性が出て来ます。つまり、金属から半導体に電流を流す際の特性と半導体から金属に電流を流す際の特性が変わってきます(簡単に考えるとダイオード特性と思ってください)。また、電圧-電流特性が一次式以外の特性(例えば二次特性)となります。

しかし、オーミック接触の場合はこの特性が出ず、オームの法則が成立する特性となります。

どんな時に重要かとの質問ですが、一次式の特性が必要な際に必要です。
例えば、トランジスターやダイオード、IC等のボンディングワイヤーを半導体に取り付ける際にダイオード特性が出たら困りますよね。

QAC解析とDC解析

今、回路のシミュレータなどを使って勉強をしているのですが、AC解析やDC解析などの言葉をよく聞きます。しかし、いったい何を解析しているのか分かりません。解析の前についているACやDCとはいったい何なのでしょうか?

Aベストアンサー

わたしも,何年か前に,「SABER」という回路シミュレータを使ったことがあります.

そのときに知ったことですが,
AC解析
DC解析

というのは,
AC解析 入力端子に,ACをかけたときの回路の応答.
   のことで,周波数がパラメータとなります.

   つまり,その回路に,周波数を変化させて,正弦波を入力したときの,注目している端子の応答がどうなるかというものです.

 これは,回路の「周波数応答」として表現できると思います.


一方,DC解析は,入力端子にある電圧をステップ状に印加したときの回路の応答を表現したものと考えられます.
 「ステップ状」とは,時刻ゼロで,0で,その後に一定値をもつ入力のことです.
 自動制御では,「インディフェンシャル応答」と呼ばれています.

もうひとつ,あって,「過渡応答」というのが「SABER」にはありました.これは,ユーザが自分で定義した入力波形を与えたときの注目している端子の電圧値変化です.

要するに,回路の特性を表現するときに,代表的な入力条件を決めておいて,その応答結果を比較しようと言うことです.
比較できるものなら何でも良いのでしょう.
その代表選手が,

  AC解析
  DC解析

です.

わたしも,何年か前に,「SABER」という回路シミュレータを使ったことがあります.

そのときに知ったことですが,
AC解析
DC解析

というのは,
AC解析 入力端子に,ACをかけたときの回路の応答.
   のことで,周波数がパラメータとなります.

   つまり,その回路に,周波数を変化させて,正弦波を入力したときの,注目している端子の応答がどうなるかというものです.

 これは,回路の「周波数応答」として表現できると思います.


一方,DC解析は,入力端子にある電圧をステップ状...続きを読む

Qエクセルの散布図のX軸に文字を表示したいのですが、どうしたらよいのでしょうか?

エクセルの散布図を使って、下の表をグラフにしたいと思ってます。
a  a1
b  a2
c  a3

この場合、そのまま折れ線グラフにすると、X軸にしっかり、a,b,cと出てくるのですが、散布図の場合は、X軸が1,2,3となってしまって、セル内の文字が表示されません。

X軸の目盛りに、セル内の文字を表示させるにはどうしたらよいのでしょうか?お願いいたします。

Aベストアンサー

残念ですが散布図では不可能です。
そもそもグラフの概念が違います。
散布図は変数領域に対するもう一方の変数の領域を見るためのグラフです。
主に物の寸法バラツキに対する、出力される数値などの相関性を見るために使用するので、要素は全て変数なんです。

質問内容のグラフは、モノに対する物量をあらわすという考え方がありますので、X軸は必然的に固有名詞になります。
この場合、散布図ではなく折れ線グラフで表すのが普通ですね。(2軸の折線でなくても可能)
Y軸要素が2つまでなら、Y1軸とY2軸に分けて要素振り分けが可能です。3つ以上ですと、EXCELでは不可能でしょう。
また、X軸の名称は同列の高い順に並びますので、連続性がある場合は、グラフの元データは上から順番に記入していかなくてはなりません。


人気Q&Aランキング