XPSにおけるSiCのピーク

Si基板上にマイクロ波CVD法によりダイヤモンドを堆積させました。
この時、基板上にはダイヤモンドの他にSiCなどが多量に存在していると
聞きました。
試料をXPSで測定しようと思うのですが、SiCのピークはどのあたりに
現れるのでしょうか？
具体的な値、参考URLなど知っていたら教えてください。
よろしくお願いします。

No.1 ベストアンサー 回答者： akuz 回答日時： 2003/03/03 12:53

SiCのピークは Si（97-111eV)とC（280-292eV)の２つ範囲にて確認できます。

SiCのカーボンからの光電子ピークは　283.2±0.2eVに確認できます。
しかし、284.6eV付近にDLCのカーボンが現れる為、波形分離無しでは
確認出来ません。その場合、1)可能な限り少ないピーク本数で、
2)裾野は出来るだけ合うように分離する。
そうすれば、おおよその比率も計算できます。
半値幅は　1.8eVぐらいで合うはずです。
Si側のピークは過去測定データをひっくり返さないと忘れましたので、
申し訳ございませんが回答いたしません。

アルバックファイ発行のデータファイル　または、島津製作所の装置
取扱説明書別表のケミカルシフト欄に記載あります。

XPS分析から離れて久しいので、以前調査した分析記憶を頼りに回答致します。

この回答へのお礼

詳細な説明ありがとうございます！
大変参考になりました。

お礼日時：2003/03/03 23:17