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VDS=VDD/2=12V/2=6V ですから抵抗Rsと抵抗RDで発生する電圧降下の総和VRは
VR=VDD-VDS=6V
になります。
抵抗RDとRsとFETのドレイン電流IDは同じ値になりますので ID は
ID=VR/(RD+Rs)=6V/(1.4E3+100)=0.004A=4mA
と求まります。ここで図表のIDS-VGS特性のグラフでIDS=4mAの時のVGSを読み取ると
VGS=2.5 V
と読み取れます。これよりFETのゲートの電圧VGはこのVGSに抵抗Rsに発生する電圧降下の和になりますからVGは
VG=VGS+IDS×Rs=VGS+ID×Rs
で求まりますので、上式に VGS=2.5V、ID=0.004A、Rs=100Ωを代入してVGを求めると、
VG=2.5V+0.004A×100Ω=2.9V
ここで抵抗R1とR2の総和が与えられてませんが、R1とR2の比はもとめられますので、
R1:R2=(VDD-VG):VG
が成り立ちますのでこの式にVDD=12V、VG=2.9Vを代入して
R1:R2=9.1:2.9
と求まります。
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