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緊急です!
電子回路のバイアス設定問題がわかりません。
考えてはいるのですが、どなたかわかる方教えてください…。

「緊急です! 電子回路のバイアス設定問題が」の質問画像

A 回答 (1件)

VDS=VDD/2=12V/2=6V ですから抵抗Rsと抵抗RDで発生する電圧降下の総和VRは 



  VR=VDD-VDS=6V

になります。

抵抗RDとRsとFETのドレイン電流IDは同じ値になりますので ID は  

  ID=VR/(RD+Rs)=6V/(1.4E3+100)=0.004A=4mA

と求まります。ここで図表のIDS-VGS特性のグラフでIDS=4mAの時のVGSを読み取ると 

  VGS=2.5 V

と読み取れます。これよりFETのゲートの電圧VGはこのVGSに抵抗Rsに発生する電圧降下の和になりますからVGは

  VG=VGS+IDS×Rs=VGS+ID×Rs

で求まりますので、上式に VGS=2.5V、ID=0.004A、Rs=100Ωを代入してVGを求めると、

  VG=2.5V+0.004A×100Ω=2.9V

ここで抵抗R1とR2の総和が与えられてませんが、R1とR2の比はもとめられますので、

  R1:R2=(VDD-VG):VG

が成り立ちますのでこの式にVDD=12V、VG=2.9Vを代入して

  R1:R2=9.1:2.9

と求まります。
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この回答へのお礼

ありがとうございました!!
とても助かりました!

お礼日時:2018/07/11 22:49

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