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半導体工学のNMOSトランジスタの問題について、
L=0.5μm,W=5μmのNMOSトランジスタが,しきい値電圧VTHN=1V,利得係数βN=0.6 [mA/V^2]であった場合,以下の問いに答えなさい.
(i)VGS=3V,2Vの時の飽和ドレイン電圧VDSATをそれぞれ求めなさい
・VGS=3Vの時
VDSAT = 2[V]
・VGS=2Vの時
VDSAT = 1[V]

(ii)以下の電圧条件でのドレイン電流IDSをそれぞれ求めなさい
・VGS=3V、VDS=1Vの時
IDS =0.9[ mA ]
・VGS=3V、VDS=3Vの時
IDS =1.2[ mA ]
と言う問題で、なぜこのような値になるのでしょうか?
解答に途中式が無かったので質問させていただきました。
回答お願いします。

教えて!goo グレード

A 回答 (2件)

MOS Trの基本特性式から導けます。


スレ主さんが学生なら教科書に記載されています。

その基本特性の解説です。
https://www.comp.tmu.ac.jp/virtue001/junior/semi …
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この回答へのお礼

先ほど自分でやってみたところ出来ました。
ありがとうございます。

お礼日時:2021/10/25 16:57

質問のとおりです。



私は夜の生活が大好きですが、彼はがんばってくれていますが、疲れ果てないか心配です。
どうしても射精したいらしくて、最後までいかないと、終わってくれません。

50代同士で回数的には多いですか?
減らしたほうがよいでしょうか?

また、私たちより多いかた(相手が若いなどの特殊事情を除く)で、何か工夫していること(Hの頻度以外で、食べ物や健康に関わることなど)があれば、教えてください。
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