重要なお知らせ

「教えて! goo」は2025年9月17日(水)をもちまして、サービスを終了いたします。詳細はこちら＞

電子書籍の厳選無料作品が豊富！

Siロッドの直径制御

解決済

  • 質問者：asrbells
  • 質問日時：
  • 回答数：2件

半導体で主な結晶成長法に関して
Siロッドの直径制御に使用される2つのパラメータは何か教えてください。

通報する

この質問への回答は締め切られました。

質問の本文を隠す

A 回答 (2件)

No.2ベストアンサー

  • 回答者： myeyesonly
  • 回答日時：

CZ法は、融液から引き上げる方法ですね。



この場合も確か種結晶は回転させながら引き上げますね。
引き上げ速度と回転速度が重要でしょう。

とりあえず参考になりそうなところで
http://www.tocera.co.jp/jpn/products/wafer/cryst …
http://www.jpo.go.jp/shiryou/s_sonota/hyoujun_gi …

ＰＤＦファイルですが、
http://www.toshiba.co.jp/tech/review/2004/07/59_ …

といったところでいかがでしょうか。
    • good
    • 0
    • 件
通報する

No.1

  • 回答者： myeyesonly
  • 回答日時：

こんにちは。


フローティングゾーン法ならば、加熱体の移動速度と結晶棒の回転速度だと思います。
    • good
    • 0
    • 件
通報する
この回答へのお礼

回答ありがとうございます。
CZ法の場合はどうなるのでしょうか？
解りましたら宜しくお願いいたします。
参考となるホームページがありましたら教えて下さい。

通報する
お礼日時：2007/05/06 14:29

お探しのQ&Aが見つからない時は、教えて!gooで質問しましょう！

Q質問する（無料）

ページトップページトップ

Q質問する（無料）

デイリーランキングこのカテゴリの人気デイリーQ&Aランキング

マンスリーランキングこのカテゴリの人気マンスリーQ&Aランキング

おすすめ情報